【 LIVE配信・WEBセミナー】

半導体製造用ドライエッチング・原子層エッチング (ALE) ~ 基礎から最新技術動向まで

★2026年7月7日WEBでオンライン開講。大阪大学 浜口氏が、【半導体製造用ドライエッチング・原子層エッチング (ALE) ~ 基礎から最新技術動向まで】について解説する講座です。

■注目ポイント

★プラズマ科学やドライエッチングプロセスの概要を数式をできるだけ使わずに直感的に理解できるように解説!

セミナー番号
S260735
セミナー名
ドライエッチング/原子層エッチング (ALE)
講師名
  • 大阪大学  エマージングサイエンスデザインR³センター / 名誉教授  浜口 智志 氏
開催日
2026年07月07日(火) 10:30-16:30
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。


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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況

★近年、最先端デバイス製造工程において、エッチング技術がデバイスの製造可能性を決定する場面も多いです。

★開発課題も、ダメージの最小化、高精度化、深堀技術の確立、高速化、選択性の向上、水平加工技術の確立など、多岐にわたります。

■注目ポイント

★最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を基礎となる物理化学原理から解説!

★近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について表面反応機構から最新技術動向までを解説!

★最先端AI技術のプロセス開発・制御応用に関しても最近の動向を概説!


講座担当:牛田孝平

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【時間】 10:30-16:30

【講師】大阪大学 エマージングサイエンスデザインR³センター / 名誉教授 浜口 智志 氏

【講演主旨】

 近年、最先端デバイス製造工程において、エッチング技術がデバイスの製造可能性を決定する場面も多い。開発課題も、ダメージの最小化、高精度化、深堀技術の確立、高速化、選択性の向上、水平加工技術の確立など、多岐にわたる。本セミナーでは、最先端半導体プロセスに用いられるドライエッチング技術全体を、基礎となる物理化学原理から解説し、特に、近年注目を集める原子層エッチング (ALE) 技術について、表面反応機構から最新技術動向までを解説する。また、最先端AI技術のプロセス開発・制御応用に関しても、最近の動向を概説する。


【プログラム】

1.背景

2.プラズマ科学の基礎

3.代表的なプラズマプロセス装置

4.反応性イオンエッチング(RIE)の基礎
 4.1 プラズマ表面相互作用
 4.2 シリコン系材料エッチング反応機構
 4.3 金属・金属酸化物材料エッチング反応機構
 4.4 高アスペクト比(HAR)エッチング概要

5.プラズマCVD概要:原子層堆積(ALD)の基礎として

6.ALDプロセスの概要:原子層エッチング(ALE)の逆過程として
 6.1 熱ALD
 6.2 プラズマ支援(PA-)ALD

7.ALEプロセスの概要と最新技術動向
 7.1 PA-ALE
 7.2 熱ALE:リガンド交換
 7.3 熱ALE:金属錯体形成

8.半導体プロセス分野のデジタル・トランスフォーメーション(DX)
 8.1 半導体業界における人工知能(AI)活用の現状
 8.2 仮想計測(VM)と代理モデル:デジタルツインの構築

9.まとめ

【質疑応答】


【キーワード】

半導体微細加工プロセス、プラズマプロセス、成膜、気相蒸着(CVD)、ドライエッチング、反応性イオンエッチング(RIE)、 原子層エッチング(ALE)、 原子層堆積(ALD)


【講演のポイント】

本セミナーでは、プラズマ科学やドライエッチングプロセスの概要を、数式をできるだけ使わずに直感的に理解できるように解説する。そのため、この分野が全く初めての人でも、その基礎を十分学べるように配慮されている。一方、すでにエッチングプロセス等に従事している人は、現在のプロセスで疑問に思っていることなどを、講義中・講義後などに、遠慮なく質問していただきたい。具体例について、可能な限り回答する。


【習得できる知識】

・プラズマプロセスの基礎知識
・ドライエッチングの基礎知識
・原子層エッチング(ALE)の基礎知識と最新技術動向



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