ダイヤモンド半導体の特長とウェハ・デバイスの研究開発動向と開発事例・今後の展開
★2025年6月25日WEBでオンライン開講。第一人者の金沢大学 徳田 規夫 氏が、ダイヤモンド半導体の特長とウェハ・デバイスの研究開発動向と開発事例・今後の展開について詳細に解説する講座です。
★ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。 本講演では、ダイヤモンドの特長、ダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、徳田先生の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。
- 金沢大学 ナノマテリアル研究所/教授 徳田 規夫 氏
【1名の場合45,100円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
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【本セミナーの主題および状況 本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、究極の半導体として期待されています。半導体デバイスはパワー応用でもロジック応用でも反転層MOSFET構造が極めて重要です。講演者は、独自の成長・不純物ドーピング・表面/界面制御技術を基軸としてダイヤモンド半導体を用いた反転層MOSFETを世界で初めて実現しました。本講演では、ダイヤモンド半導体の第一人者である金沢大学の徳田規夫先生に、これまで と これからのダイヤモンド半導体について講演いただきます。
■注目ポイント
★半導体材料としてのダイヤモンドの特長について学習、習得できる！
★ダイヤモンドウェハ製造技術について学習、習得できる！
★ダイヤモンドダイオードについて学習、習得できる！
★ダイヤモンドトランジスタについて学習、習得できる！
★その他のデバイス応用、今後の展開について学習、習得できる！
講座担当：齋藤順
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 13:30-17:30
【講師】金沢大学 ナノマテリアル研究所/教授 徳田 規夫 氏
【講演主旨】
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。
本講演では、ダイヤモンドの特長、ダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンドウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向について、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に解説します。
【プログラム】
1 はじめに
1-1 半導体材料としてのダイヤモンドの特長
1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2 ダイヤモンドウェハ製造技術
2-1 成長（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
2-2 不純物ドーピング
2-3 スライス・カット
2-4 研磨
3 ダイヤモンドダイオード
3-1 ショットキーバリアダイオード
3-2 PN接合ダイオード
3-3 ショットキーPNダイオード(SPND
4 ダイヤモンドトランジスタ
4-1 MESFET
4-2 JFET
4-3 BJT
4-4 MOSFE
5 その他のデバイス応用
5-1 深紫外線発光デバイス
5-2 電子放出デバイス
5-3 ダイヤモンド電気化学電極
5-4 ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ
6 まとめと今後の展開
質疑応答
【キーワード】
次世代半導体、パワーデバイス、放射線環境デバイス、宇宙用半導体
【講演者の最大のPRポイント】
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つことから、究極の半導体として期待されています。半導体デバイスはパワー応用でもロジック応用でも反転層MOSFET構造が極めて重要です。講演者は、独自の成長・不純物ドーピング・表面/界面制御技術を基軸としてダイヤモンド半導体を用いた反転層MOSFETを世界で初めて実現しました。本講演では、ダイヤモンド半導体の第一人者である金沢大学の徳田規夫先生に、これまで と これからのダイヤモンド半導体について講演いただきます。
【習得できる知識】
・ダイヤモンドの基礎的な知識
・ダイヤモンド半導体研究の歴史・特長
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する技術と課題