プラズマの特性と半導体製造への応用 ～成膜とエッチング入門～
★2025年6月20日WEBオンライン開講。東京電機大学大学院 市川 幸美 氏から、プラズマの特性と半導体製造への応用 ～成膜とエッチング入門～ について解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
★半導体デバイスを作製する上で必須のツールであるプラズマの基礎、物理的な考え方、特徴を解説します。前半では薄膜堆積やドライエッチングに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の特徴や生成機構について、後半ではそれらを踏まえ、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて解説します。
- 東京電機大学大学院 非常勤講師 市川 幸美 氏
【1名の場合】38,500円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
キャンセルポリシー・特定商取引法はこちら
セミナーに関するQ&Aはこちら（※キャンセル規定は必ずご確認ください）
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★半導体デバイスを作製する上で必須のツールであるプラズマの基礎、物理的な考え方、特徴を解説します。前半では薄膜堆積やドライエッチングに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の特徴や生成機構について、後半ではそれらを踏まえ、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて解説します。
■注目ポイント
★プラズマの基礎について学習、習得できる！
★プラズマCVDの特徴と原理（アモルファスSi薄膜を中心に）等について学習、習得できる！
★プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）等について学習、習得できる！
講座担当：齋藤 順
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 13:00-16:00
【講師】東京電機大学大学院 非常勤講師 市川 幸美 氏
【講演主旨】
プラズマはLSIをはじめとした半導体デバイスを作製する上で、必須のツールになっています。しかし、半導体プロセスに用いられるプラズマの原理や基礎について系統的に学ぶ機会は少ないと思います。現在の応用だけでなく、今後道具としてさらにプラズマを利用していくためには、その物理的な考え方、特徴の基礎を理解することが不可欠になります。そこで、本セミナーでは、まず前半で薄膜堆積やドライエッチングに用いられるプラズマ（非平衡プラズマと呼ばれる）の特徴や生成機構について解説します。後半ではそれらを踏まえ、プラズマCVDやドライエッチングの原理、装置の構造、処理条件の最適化法などについて説明します。
【プログラム】
1．プラズマの基礎
1-1. プラズマ中の衝突現象とその定量的な取り扱い
1-2. 衝突反応の種類と反応速度定数の考え方
1-3. Boltzmann方程式
1-4. Boltzmann方程式から得られるプラズマの基礎方程式（拡散方程式、連続の式など）
1-5. プラズマの生成（直流放電プラズマ）
1-6. プラズマの生成（容量性結合RF放電プラズマ）
1-7. プラズマの生成（誘導性結合RF放電プラズマ）
1-8. プラズマの生成（大気圧低温プラズマ）
2．プラズマCVD
2-1. プラズマCVDの特徴と原理（アモルファスSi薄膜を中心に）
2-2. 代表的なプラズマCVD装置
2-3. 製膜パラメータの考え方
2-4. アモルファスSi堆積条件と高品質化
3．プラズマエッチング
3-1. プラズマエッチングの特徴と原理（等方性、異方性）
3-2. 代表的なエッチング装置
3-3. エッチングダメージ
3-4. 終点検出の原理
質疑応答
【キーワード】
プラズマ、半導体、プラズマCVD、薄膜堆積、ドライエッチング
【講演の最大のPRポイント】
本講演では半導体プロセスに用いられる、いわゆる非平衡プラズマの特性を理解していただくため、これまでプラズマそのものにあまり馴染みのない技術者の方々を対象に、その原理を基礎から解説します。本講演を受講することで、半導体製造におけるプラズマプロセスにおいて、プラズマの中で何が起こっているのかを理解できるようになります。
【習得できる知識】
・半導体プロセスに用いられるプラズマの原理と特徴
・成膜に用いられるプラズマCVDの原理や基本的な装置構造
・ドライエッチングの原理や基本的な装置構造