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1. AIサーバー向けパワーモジュールとEMC対策
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※AIサーバーの高電力化・高速スイッチング化に伴う電源ノイズの課題と、
　パワーモジュールおよびEMC対策の考え方を理解する

　1.1　Samsungのパワーモジュール
　1.2　TDKのパワーモジュール
　1.3　太陽誘電のパワーモジュール
　1.4　Yageoのパワーモジュール
　1.5　村田製作所のパワーモジュール
　1.6　EMC対策における4つの手法
　1.7　スマートフォンにおける「自家中毒」とは

2. 高周波領域における伝搬損失と基板技術
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※高速・大容量通信で問題となる伝搬損失の発生要因と、
　低損失基板材料・フィルター・モジュール技術による対策を理解する

　2.1　空間伝搬で懸念される伝搬損失とは
　2.2　空間伝搬損失と開口サイズ（アンテナ）・伝搬距離の関係
　2.3　テラヘルツ帯（140GHz）の利用と、周波数帯・帯域幅の関係
　2.4　Sub-6のハードウェア構成とミリ波帯における伝搬損失
　2.5　AiMを用いた低損失なミリ波帯ハードウェアの構成と、ミリ波通信モジュールの構造
　2.6　ノイズフィルターとして用いられるLCフィルターのサイズの変遷
　2.7　LCフィルターの構成と、3層構造を構成する各層の電気的特性
　2.8　3材料共焼結技術による高周波域のフィルター特性改善とLTCCモジュール基板技術
　2.9　低損失多層基板材料とは―特性と特徴
　2.10　ストリップライン線路の伝搬損失（α：dB/cm）と、LCP系・PTFE系材料の界面導電率の周波数依存性
　2.11　ミリ波帯におけるLTCCの優位性と、プリント基板伝送線路の損失
　2.12　基板の誘電体損失・導体損失と、銅表面の粗さが伝送損失に及ぼす影響
　2.13　ミリ波領域におけるLTCCの優位性
　2.14　筐体材料とAiMパッケージングの今後の変化予測

3. 電磁波シールドの理論と設計
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※電子機器内で発生・伝搬する電磁波ノイズを抑制するため、
　シールド効果の基本理論と材料・厚さ・電磁界条件による違いを理解する

　3.1　シェルクノフの式とシールド理論
　3.2　電波伝搬と電磁波シールド
　3.3　シェルクノフの式の導出
　3.4　波動インピーダンス
　3.5　遠方界および近傍界におけるシェルクノフの式
　3.6　遠方界におけるシールド効果の計算例
　3.7　遠方界における反射損失（R）・吸収損失（A）の厚さ依存性
　3.8　シールド効果（SE）を構成する反射損失（R）と吸収損失（A）
　3.9　近傍界における反射損失（R）と吸収損失（A）の違い
　3.10　Fe・Ni・パーマロイの電界源近傍（E-field）および磁界源近傍（M-field）におけるシールド効果（SE）
　3.11　電界源近傍・磁界源近傍のシールド効果向上に向けたMu-metalおよびSuper Permalloyの活用

4. 電波吸収体の設計と特性評価
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※シールドだけでは抑えにくい反射・漏洩電磁波を吸収するため、
　電波吸収体の材料設計と高周波領域における評価方法を理解する

　4.1　ポリピロール不織布を用いた電波吸収体の作製と特性評価
　4.2　マイクロ波・ミリ波帯における電波吸収体の設計
　4.3　反射係数（S11）・透過係数（S21）から反射減衰量（Γ）を求める方法―高周波領域における唯一の評価方法

5. メタサーフェス（周波数選択表面）を用いた電磁波シールド設計
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※特定周波数の電磁波を選択的に反射・吸収・透過させる
　メタサーフェスの仕組みと、次世代の電磁波制御技術への応用を理解する

　5.1　メタマテリアルを用いた電波吸収体の構成と特性評価
　5.2　GHz帯からTHz帯へ―テラヘルツ領域におけるメタマテリアルの設計と特性評価
　5.3　メタマテリアル反射板と透明動的メタサーフェス
　5.4　透明メタマテリアル屈折フィルムと透明アンテナ

【質疑応答】