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AT20191202：誰でもわかる！半導体デバイスの製造工程入門
★ウエハ製造方法からウエハ上の前工程、パッケージングによるLSIの最終製品までの後工程まで、一連の製造フローを紹介！
★それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点をわかりやすく解説！
★新しい技術が次々と製品化されているが、これらが各製造工程に与える影響とは？
※本セミナーは、2019年12月20日に実施したセミナー資料です。
番号
AT20191202
出版社
株式会社AndTech
発行年月
2019/12/20
体裁
A4判, 100ページ
フォーマット
紙版
定価
27,500 円(本体25,000円+消費税、送料込)
冊数：
執筆者
(株)ISTL 代表取締役 博士(工学) 礒部 晶 氏
目次
1.はじめに
1-1 シリコンウエハの製造方法
1-2 前工程と後工程とは
1-3 トランジスタの基礎
1-4 半導体デバイスの種類
2.前工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向、問題点等～
2-1 デバイス構造作製の基礎～成膜とパターニング
2-2 酸化・成膜
・酸化
・CVD
・PVD
・めっき
2-3 イオン注入
2-4 リソグラフィー
・レジストコーティング
・露光
・現像
2-5 エッチング
・ウエットエッチング
・プラズマエッチング
・RIE
2-6 CMP
2-7 洗浄
2-8 検査装置
3.半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロー
3-1 STI
3-2 トランジスタ
3-3 配線
4.パッケージの種類とその構造・特徴および技術動向
4-1 リードフレームを用いるパッケージ
～DIP、QFP
4-2 パッケージ基板を用いるパッケージ
～P-BGA、FCBGA
4-3 ウエハレベルパッケージ
～WLCSP、FOWLP
4-4 最新技術動向
～CoWoS、チップレット
5.後工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向等～
5-1 裏面研削
5-2 ダイシング
5-3 ダイボンディング
5-4 ワイヤボンディング
5-5 モールド
5-6 バンプ形成