書籍

第1部　 佐賀大学大学院　 理工学研究科 教授/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任） 教授　 嘉数　誠　氏
第2部　 早稲田大学　 大学院情報生産システム研究科 教授　 植田　研二　氏

【第1講】 ダイヤモンドパワー半導体デバイス作製技術と大口径ダイヤモンドウェハ成長技術の進展
【講師】佐賀大学大学院　理工学研究科 教授/佐賀大学海洋エネルギー研究センター（併任） 教授　嘉数　誠　氏

【主旨】
　ダイヤモンド半導体は、Si, SiC, GaNより、さらにワイドギャップの半導体で、次世代の高出力・高効率パワー半導体デバイスとして期待されています。講演では、ダイヤモンド半導体の基礎から、最近の優れたパワー半導体デバイス特性、さらに、今後の課題や将来の可能性について、わかりやすく解説します。

【目次】
1. なぜダイヤモンド半導体が注目されるか
2. ダイヤモンド半導体の物性
3. ダイヤモンド半導体のこれまでの応用例
4. ダイヤモンド半導体のマイクロ波CVD成長
5. ヘテロエピタキシャル成長
6. ダイヤモンド半導体の不純物ドーピング技術
7. NO2 p型ドーピング技術
8. ダイヤモンドMOSFETの作製
9. 選択ドーピングFETの作製
10. 今後の課題と可能性

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【第2講】 ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製
【講師】早稲田大学　大学院情報生産システム研究科 教授　植田　研二　氏

【主旨】
　ダイヤモンドは大きなバンドギャップ（～5.5 eV）や、高絶縁破壊電圧，高熱伝導度等の優れた物理特性を有する事から，次世代パワーデバイス材料として期待されている。また、大バンドギャップと高熱伝導度に加え，化学安定性にも優れている事から極限環境下、特に高温下で安定に使用できるパワーデバイスとして有望である。本講座では、ダイヤモンド半導体を用いた耐高温パワーデバイスの作製、測定、解析技術及びその技術動向について分かり易く解説を行う。

【キーワード】
ダイヤモンド、パワーデバイス、耐高温、ショットキーダイオード、FET

【講演ポイント】
　講演者はここ20年弱の間、大学及び企業でダイヤモンド半導体薄膜結晶成長及びデバイス作製に携わってきた。中でも精力的に取り組んできたのがダイヤモンド半導体を用いた耐高温デバイス開発であり、ダイヤモンドショットキーダイオードの超高温動作、耐高温高耐圧ダイヤモンドパワーショットキーダイオード作製やイオン注入ダイヤモンドFETの高温動作等、様々の成果を挙げてきた。
　本講座は講演者が上記で得た知見をベースに行っていくが、講座を受講する事で、ダイヤモンド半導体の結晶成長、耐高温デバイスの作製及び評価手法、高温下伝導特性解析技術等に加えて、ダイヤモンド半導体を含む耐高温パワーデバイスの技術動向を把握する事が可能となり、高温パワーデバイス作製・評価に必須となる実践的な技術及び知識が見につく事となる。

【習得できる知識】
・高温デバイス作製に向けたダイヤモンド半導体薄膜作製技術
・高温下でのダイヤモンドデバイス評価技術と特性解析技術
・ダイヤモンド半導体等のワイドギャップ半導体を用いた耐高温デバイスに関する技術動向

【目次】
１.   なぜダイヤモンド耐高温パワーデバイスか？
２．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの作製及び高温測定技術
３．耐高温ダイヤモンドショットキーダイオードの作製と高温特性評価
４．耐高温ダイヤモンドFETの作製と高温特性評価
５．ダイヤモンド耐高温パワーデバイスの課題と今後の展望