書籍

富士フイルム株式会社　 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター　シニアエキスパート　 藤森　亨　氏

【主旨】
　微細加工に必要なリソグラフィ技術、そのための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、EUVリソグラフィの実現を迎えた。しかしながら、適用可能なデバイスメーカーおよび適用レイヤーが限られており、それは露光装置およびその運営コストの高さに一端がある。
　一方、ナノインプリントリソグラフィも微細加工リソグラフィとして長い間検討がなされるも困難な道のりを歩んできたが、EUVの適用困難性から、近年再び脚光をあびてきている。キヤノンの装置発表、富士フイルムの材料プレスリリースは記憶に新しい。微細加工リソグラフィとしてのEUVリソグラフィおよびナノインプリントリソグラフィに関し、紹介する。　

【習得できる知識】
　①リソグラフィにおけるナノインプリントの位置づけ
　②最先端リソグラフィ用EUVレジストとナノインプリントレジストの基礎と課題

【講演キーワード】
　ナノインプリント、NIL、EUV、レジスト、リソグラフィ、微細化、ムーアの法則、ネガティブトーン現像、NTD

【講演のポイント】
　フォトレジスト材料開発、ナノインプリントレジスト材料開発、リソグラフィプロセス、国プロジェクト経験など、講演者はそれらの技術に直接従事もしくは議論・プロジェクト参加した経験があり具体的な課題・展望についての紹介が可能。リソグラフィの歴史における最先端リソグラフィレジストの代表としてのEUVレジストおよびナノインプリントレジストの材料開発を解説する。

【プログラム】

1．私たちを取り巻く環境
　1.1 EUVリソグラフィと生活への適用
　1.2 富士フイルムの電子技術

2. リソグラフィ微細化の歴史
　2.1 「ムーアの法則」を実現するためのパターン縮小
　2.2 EUVリソグラフィの必要性

3. EUVレジスト技術
　3.1 EUVレジストへの挑戦
　3.2 リソグラフィーにおける確率的問題
　3.3 フォトンショットノイズ
　3.4 「KrF/ArF」と「EUV」の違い
　3.5 高EUV吸収材料
　3.6 パターン収縮の歴史

4. ナノインプリントレジスト
　4.1 EUVプロジェクトのロードマップ
　4.2 高NA極端紫外線露光 (High NA EUV)の特徴
　4.3 NIL技術の特徴
　4.4 NIL向けレジスト開発