EUVレジスト、EUVメタルレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向
■本テキストの主題および状況(講師より)
★メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっています。
★微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の3nmノードの量産工程でEUVが用いられており、今年度の2nmノード以降その役割は益々増大します。
★EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けています。
■注目ポイント
★EUVレジスト、EUVメタルレジストについて基礎から要求特性、課題と対策、最新技術動向および最新のロードマップにおける位置づけとビジネス動向を解説!
★注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく解説!
★今後のEUVレジストの技術展望、市場動向とは!?
執筆者
【講師】
Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
目次
【主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の3nmノードの量産工程でEUVが用いられており、今年度の2nmノード以降その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本テキストでは、最新のロードマップとEUVリソグラフィの概要を紹介した後、EUVレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。最後に今後のEUVレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
【プログラム】
1.ロードマップ
1.1リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3最先端デバイスの動向
2.EUVリソグラフィの概要
2.1露光装置
2.2光源
2.3マスク
3.EUVレジストの基礎
3.1EUVレジストの設計指針
3.2化学増幅型EUVレジストの反応機構
3.3EUVレジストプロセス
4.EUVレジストの要求特性
4.1化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
4.2化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
5.EUVレジストの課題と対策
5.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
5.2ランダム欠陥(Stochastic Effects)
5.3EUVレジストの開発動向
5.3.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
5.3.2ネガレジストプロセス
6. EUVメタルレジスト
6.1 EUVメタルレジスト用材料
6.2 EUVメタルレジストの反応機構
6.3 EUVメタルレジストの性能と開発動向
7.EUVメタルドライレジストプロセス
7.1EUVメタルドライレジストプロセス用材料
7.2EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
7.3EUVメタルドライレジストプロセスの性能と開発動向
8. EUVレジストの技術展望、市場動向
【キーワード】
リソグラフィ、レジスト、EUVリソグラフィ、EUVレジスト、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス、ロードマップ
【ポイント】
EUVレジスト、EUVメタルレジストについて、基礎から要求特性、課題と対策、最新技術動向まで把握できます。最新のロードマップにおける位置づけ、ビジネス動向を確認できます。
【習得できる知識】
1)EUVレジスト、EUVメタルレジストの基礎
2)EUVレジスト、EUVメタルレジストの要求特性、課題と対策
3)EUVレジスト、EUVメタルレジストの最新技術動向
4)EUVレジスト、EUVメタルレジストのビジネス動向