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AT20220224:レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎と最新技術動向

★レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで今後の展望まで含めてトータルに解説!
★市場動向やビジネスの新規参入可能性分野についても解説!
※2022年2月24日に実施したセミナー資料

番号 AT20220224
監修
出版社 株式会社AndTech
発行年月 2022/03/04
体裁 A4版・パワーポイント資料形式
定価 33,000円(本体30,000円+消費税、送料込)

発刊にあたって

執筆者

大阪大学 産業科学研究所 招聘教授、フォトポリマー学会企画委員長、フォトポリマー懇話会企画委員長 工学博士 遠藤 政孝 氏

目次

【講演主旨】
 メモリー、マイクロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い益々大きくなっており、5nmロジックノードのデバイスが量産されている、また、今年は3nmロジックノードのデバイス量産が予定されている。これらのデバイスの微細化を支えるリソグラフィは現在先端の量産で用いられているArF液浸、ダブル/マルチパターニングに加えて、待ち望まれていたEUVが用いられはじめている。
 本講演では、リソグラフィの基礎、レジストの基礎を述べ、現在の5nmロジックノードに用いられているリソグラフィ・レジスト・微細加工用材料の最新技術をその要求特性、課題と対策をふまえて解説する。最後にこれらの3nmロジックノード以降の今後の技術展望、レジストの市場動向についてまとめる。

【キーワード】
レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料、溶解阻害型レジスト、化学増幅型レジスト、露光、照明方法、マスク、レジストプロセス、ロードマップ、液浸リソグラフィ、ダブルパターニング、マルチパターニング、EUVリソグラフィ、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ

【講演ポイント】
レジスト、リソグラフィ、微細加工用材料の基礎から最新技術まで今後の展望まで含めてトータルに解説し、ビジネスの新規参入可能性分野も示唆する。

【習得できる知識】
・リソグラフィの基礎知識
・レジスト、微細加工用材料の基礎知識
・リソグラフィの最新技術
・レジスト、微細加工用材料の要求特性
・レジスト、微細加工用材料の課題と対策
・レジスト、微細加工用材料の最新技術・ビジネス動向

【プログラム】
1.リソグラフィの基礎
 1.1 露光
  1.1.1 コンタクト露光
  1.1.2 ステップ&リピート露光
  1.1.3 スキャン露光
 1.2 照明方法
  1.2.1 斜入射(輪帯)照明
 1.3 マスク
  1.3.1 位相シフトマスク
  1.3.2 光近接効果補正(OPC)
  1.3.3 マスクエラーファクター(MEF)
 1.4 レジストプロセス
  1.4.1 反射防止プロセス
  1.4.2 ハードマスクプロセス
  1.4.3 化学機械研磨(CMP)技術
 1.5 ロードマップ
  1.5.1 IRDSロードマップ
   1.5.1.1 リソグラフィへの要求特性
   1.5.1.2 レジストへの要求特性
  1.5.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
  1.5.3 最先端携帯端末へのリソグラフィ技術の適用
  
2.レジストの基礎
 2.1 溶解阻害型レジスト
  2.1.1 g線レジスト
  2.1.2 i線レジスト
 2.2 化学増幅型レジスト
  2.2.1 KrFレジスト
  2.2.2 ArFレジスト
  2.2.3 化学増幅型レジストの安定化技術
  
3.リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の最新技術
 3.1 液浸リソグラフィ
  3.1.1 液浸リソグラフィの基本と課題
   3.1.1.1 従来 NAレンズでの液浸リソグラフィ
   3.1.1.2 高NAレンズでの液浸リソグラフィ
  3.1.2 液浸リソグラフィ用トップコート
  3.1.3 液浸リソグラフィ用レジスト
   3.1.3.1 液浸リソグラフィ用レジストの要求特性
   3.1.3.2 液浸リソグラフィ用レジストの設計指針
 3.2 ダブル/マルチパターニング
  3.2.1 ダブル/マルチパターニングの基本と課題
  3.2.2 リソーエッチ(LE)プロセス用材料
  3.2.3 セルフアラインド(SA)プロセス用材料
 3.3 EUVリソグラフィ
  3.3.1 EUVリソグラフィの基本と課題
  3.3.2 EUVレジスト
   3.3.2.1 EUVレジストの要求特性
   3.3.2.2 EUVレジストの設計指針
    3.3.2.2.1 EUVレジスト用ポリマー
    3.3.2.2.2 EUVレジスト用酸発生剤
   3.3.2.3 EUVレジストの課題と対策
    3.3.2.3.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
    3.3.2.3.2 ランダム欠陥(Stochastic Effects)
   3.3.2.4 最新のEUVレジスト
    3.3.2.4.1 分子レジスト
    3.3.2.4.2 ネガレジスト
    3.3.2.4.3 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
    3.3.2.4.4 フッ素含有ポリマーレジスト
    3.3.2.4.5 無機/メタルレジスト
 3.4 自己組織化(DSA)リソグラフィ
  3.4.1 自己組織化リソグラフィの基本と課題
  3.4.2 グラフォエピタキシー用材料
  3.4.3 ケミカルエピタキシー用材料
  3.4.4 高χ(カイ)ブロックコポリマー
   3.4.4.1 Si含有型ブロックコポリマー
   3.4.4.2 有機型ブロックコポリマー
 3.5 ナノインプリントリソグラフィ
  3.5.1 ナノインプリントリソグラフィの基本と課題
  3.5.2 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
  3.5.3 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ用材料
   3.5.3.1 光硬化材料
   3.5.3.2 離型剤
  
4.リソグラフィ、レジスト、微細加工用材料の今後の技術展望

5.レジストの市場動向

数量
小計 33,000円(消費税込)

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