誰でもわかる！半導体デバイスの製造工程入門

★ウエハ製造方法からウエハ上の前工程、パッケージングによるLSIの最終製品までの後工程まで、一連の製造フローを紹介！

★それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点をわかりやすく解説！

★新しい技術が次々と製品化されているが、これらが各製造工程に与える影響とは？

セミナー番号	S91225
セミナー名	半導体製造工程
講師名	(株)ISTL　代表取締役　博士(工学)　礒部　晶　氏
開催日	2019年12月20日(金) 12:30-16:30
会場名	京華スクエア2F ハイテクセンター　第2会議室　【東京都・中央区】(住所：104-0032　東京都中央区八丁堀3丁目17-9） アクセスマップ
支払い方法	銀行振込,当日支払
受講料(税込)	【1名の場合】39,600円(税込、テキスト費用を含む) 2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
詳細	定員：30名 ※　お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。 ※　2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します ※　請求書・領収書の発行形式への要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。 ※　参加時に名刺をご持参ください。参加者は、途中変更も可能です。 ※　ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます ※　弊社講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。 上記以外は正規料金となりますのでご理解ください。 キャンセルポリシー・特定商取引法はこちら セミナーに関するQ&Aはこちら（※キャンセル規定は必ずご確認ください）

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講演主旨

　半導体の製造工程は、シリコンウエハ上にデバイスを作りこんでいく前工程、個々のチップに個片化してパッケージ化する後工程に分けられます。
　本セミナーでは、ウエハ製造方法からウエハ上の前工程、パッケージングによるＬＳＩの最終製品までの後工程まで、一連の製造フローを紹介し、それぞれのプロセスの種類や原理、用いられる装置や材料について要点をわかりやすく解説していきます。また、近年では、前工程ではFinFETや３DNAND、後工程ではFOWLPやCoWoS、チップレットなどの新しい技術が次々と製品化されていますが、これらの技術・方式についても触れ、各製造工程に与える影響についても解説します。

プログラム

1.はじめに
　1-1　シリコンウエハの製造方法
　1-2　前工程と後工程とは　
　1-3　トランジスタの基礎
　1-4　半導体デバイスの種類

2.前工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向、問題点等～
　2-1　デバイス構造作製の基礎～成膜とパターニング
　2-2　酸化・成膜
　　・酸化
　　・CVD
　　・PVD
　　・めっき
　2-3　イオン注入
　2-4　リソグラフィー
　　・レジストコーティング
　　・露光
　　・現像
　2-5　エッチング
　　・ウエットエッチング
　　・プラズマエッチング
　　・RIE
　2-6　CMP
　2-7　洗浄
　2-8　検査装置

3.半導体デバイスの基本モジュールの構造と製造フロー
　3-1　STI
　3-2　トランジスタ
　3-3　配線

4.パッケージの種類とその構造・特徴および技術動向
　4-1　リードフレームを用いるパッケージ
　　　　～DIP、QFP
　4-2　パッケージ基板を用いるパッケージ
　　　　～P-BGA、FCBGA
　4-3　ウエハレベルパッケージ
　　　　～WLCSP、FOWLP
　4-4　最新技術動向
　　　　～CoWoS、チップレット

5.後工程の個別プロセス詳細
～各工程の原理、要求性能、装置・材料技術、最新の動向等～
　5-1　裏面研削
　5-2　ダイシング
　5-3　ダイボンディング
　5-4　ワイヤボンディング
　5-5　モールド
　5-6　バンプ形成

【質疑応答　名刺交換】

アクセスマップ

〒104-0032　東京都中央区八丁堀3丁目17-9 ◆東京メトロ日比谷線/JR京葉線「八丁堀駅」A3出口より徒歩1分

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