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セミナー詳細

セミナー

5Gおよび自動車電動化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題・将来展望

★SiC/GaNパワーデバイスが広く市場に普及するためのポイントは何か
★最新シリコンデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに最新の実装技術についても解説!

セミナー番号 S200103
セミナー名 パワーデバイス
講師名

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

開催日 2020年01月27日(月) 12:30-16:30
会場名

川崎市産業振興会館 9F 第1会議室【神奈川・川崎】(住所:〒212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66-20)

アクセスマップ

支払い方法 銀行振込,当日支払
受講料(税込)

【1名の場合】39,600円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。

詳細

定員:30名


※ お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します
※ 請求書・領収書の発行形式への要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。
※ 参加時に名刺をご持参ください。参加者は、途中変更も可能です。
※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます

※ 弊社講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。

上記以外は正規料金となりますのでご理解ください。


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講師プロフィール

筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏

著書:車載機器におけるパワー半導体の設計と実装(科学情報出版)
Wide bandgap Semiconductor Power Devices(Edited by B.J.Baliga ELSEVIER) Chapter 4 執筆など

講演主旨

省エネ・小型化を目指した各種電源の進化や自動車電動化に伴い、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本セミナーでは、最新シリコンデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。特にSiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何か、について丁寧に解説したい。

プログラム

【キーワード】
パワーエレクトロニクス、パワー半導体デバイス、シリコン、SiC, GaN、MOSFET、IGBT、低オン抵抗、高速スイッチング、素子破壊耐量

 

【プログラム】

1.パワーエレクトロニクス、パワー半導体デバイスとは何か?
 1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1-2 パワー半導体の種類と基本構造
 1-3 パワーデバイスの適用分野
 1-4 高周波動作のメリットは
 1-5 なぜシリコンMOSFET・IGBTだけが生き残ったのか
 1-6 パワーデバイス開発のポイントは何か?

2.最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
 2-1 MOSFET,IGBT開発のポイント
 2-2 MOSFET,IGBT特性向上への挑戦
 2-3 特性改善を支える技術
 2-4 シリコンパワーデバイスの限界
 2-5 最新のシリコンパワーデバイス技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3-1 半導体デバイス材料の変遷
 3-2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3-3 SiCのSiに対する利点
 3-4 各社SiC-MOSFETを開発。なぜSiC-IGBTではないのか?
 3-5 SiCウェハができるまで
 3-6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3-7 なぜSiC-MOSFETが自動車電動化に適しているのか?
 3-8 他の用途への展開の可能性について
 3-9 SiCのデバイスプロセス
 3-10 SiCデバイス信頼性のポイント
 3-11 最新SiCトレンチMOSFET
 3-12 SiC-MOSFET 対 Si-IGBTの競合。勝敗のポイントは?
 
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4-1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4-2 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか?
 4-3 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4-4 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4-5 GaN-HEMTの課題
 4-6 Current Collapse現象メカニズム
 4-7 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
 4-8 縦型GaNデバイス(GaN on GaN)の最新動向
 4-9 縦型GaNデバイス 対 縦型SiCデバイスの競合。

5.高温対応実装技術
 5-1 高温動作ができると何がいいのか
 5-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発

6.まとめ
 

アクセスマップ

〒212-0013 神奈川県川崎市幸区堀川町66−20
JR川崎駅から徒歩8分 京浜急行川崎駅から徒歩7分

お申込み

お申込み人数
小計 39,600円(消費税込)

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