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セミナー詳細

セミナー

【Live配信・WEBセミナー】EUVリソグラフィの最新動向・レジスト材料開発と評価・プロセス技術

≪こちらはWEB講座のお申し込みURLになります≫

★スマートフォン用中央演算素子の半導体量産技術として量産展開されてきた極端紫外線リソグラフィー(EUVL)技術!
★究極の微細化とまで言われているEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発!メタルレジストの開発状況は?
★今後の半導体微細加工技術とEUVLの短波長化についても講演!

セミナー番号 S210104
セミナー名 EUVリソグラフィレジスト
講師名

第1部 兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 所長 EUVリソグラフィー研究開発センター長 教授 渡邊 健夫 氏

 

第2部 関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 兵庫県立大学客員教授(兼任)工藤 宏人 氏

 

第3部 富士フイルム(株) R&D 統括本部 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 マネージャー 藤森 亨 氏

開催日 2021年01月28日(木) 13:30-17:30
会場名

※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です

アクセスマップ

支払い方法 銀行振込  
受講料(税込)

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
※2名以上ご要望の場合は2名を選択し、備考欄にその旨お書きくださいませ。

詳細

定員:30名


※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約を必ず、ご確認ください。
※ 銀行振り込みをご選択ください。お支払いは会社のご都合で講座前日に間に合わない場合、開催月翌月末あたりまでお待ち申し上げます。
※ お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します。
※ 領収書の要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。
※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせていただくことがございます
※ 当講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。
WEB受講は名簿をご提出いただきます。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏めいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。

上記以外は正規料金となりますのでご理解ください。


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プログラム

第1講 EUVリソグラフィ・レジスト材料の最新動向
【13:30-14:45】

 

 講師:兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所 所長 EUVリソグラフィー研究開発センター長 教授 渡邊 健夫 氏

 

【講演趣旨】
 極端紫外線リソグラフィー(EUVL)技術がスマートフォン用中央演算素子の半導体量産技術として量産展開されています。
 EUVL技術の現状と課題について紹介するとともに、今後の半導体微細加工技術の展開をについて解説をします。特にEUVL用フォトレジストを中心にこれまでの変遷と今後の展開について紹介します。併せて、EUVLの短波長化についても今後の半導体微細加工技術の中で取り上げます。

 

【プログラム】
 ※ 現在、考案中でございます。

 

【質疑応答】


第2講 極端紫外線用レジスト材料の分子設計 

【14:55-16:05】

 

講師: 関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 兵庫県立大学客員教授(兼任)工藤 宏人 氏

 

【講演概要】
 高解像性を目的とした極端紫外線(EUV)リソグラフィ技術が実用化され、実際に2020年より生産ラインが稼動されつつあるが、さらなる高解像性に、新規EUVレジスト材料の開発が求められている。レジスト材料には、溶解性、成膜性および耐熱性等の物理的特性に加え、高露光感度、高解像性、パターン幅のばらつきの低減などのレジスト特性が要求される。これらの要求を満たすポリマーやオリゴマーの分子設計についての最新動向について解説する。

 

【質疑応答】


第3部 EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発

【16:15-17:30】

 

講師:富士フイルム(株) R&D 統括本部 エレクトロニクスマテリアルズ研究所 マネージャー 藤森 亨 氏

 

【著作・受賞・経歴】

埼玉大学博士前期課程修了(有機合成化学)(1991年度)

1991年、富士フイルム株式会社に入社、有機合成化学研究所にて、写真フィルム用材料開発に3年間従事後、半導体用材料(フォトレジスト)向け新規材料開発に8年間従事。
2002年よりエレクトロニクスマテルアルズ研究所にて、イメージセンサー用カラーレジスト開発、次いでフォトレジストの開発、商品化、統括に携わる。2014年から2年間、国家プロジェクトであるEIDEC(EUVL基盤開発センター)に出向し、EUV向けフォトレジスト材料の基礎検討に従事、世界のEUV開発のアラインにも従事。
200件以上の特許出願と学会発表、論文報告、講演、本の執筆等多数。

 

【講演キーワード】
EUVレジスト、化学増幅型レジスト、メタルレジスト、アウトガス、ストカスティック
ネガティブトーンイメージング

 

【講演趣旨】
 昨今、私たちは新たなデジタル社会を迎え入れようとしている。世の中で頻繁にその言葉を耳にするSociety 5.0、IOT、AIの発展に対し、さらなる電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化が求められており、その勢いはとどまるところを知らない。その実現に不可欠なのがリソグラフィの微細化であり、それに必要なフォトレジスト材料の開発である。フォトレジスト材料の微細化の歴史および究極の微細化とまで言われているEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発について解説する。

 

【プログラム】
1.私たちの世の中を取り巻く環境の変化
 1-1 アナログからデジタルへ
 1-2 電子デバイスの高速化、大量良化、省電力化の例
2.リソグラフィ微細化の歴史
 2-1 ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
 2-2 EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィの延命
 2-3 ArF液浸リソグラフィ延命の切札、富士フイルムによるNegative tone imaging(NTI)技術の発明
3.EUVリソグラフィ
 3-1 EUVリソグラフィの歴史 
 3-2 国家プロジェクトであるEIDEC(EUVL基盤開発センター)出向時のEUVリソグラフィ要素
開発の経験紹介
(アウトガス問題の解決と世界アライン、メタルレジストの技術開発)
 3-3 EUVレジスト最新動向、技術開発の紹介
   ストカスティック因子低減と量産適用に対する開発

【質疑応答】


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