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セミナー詳細

セミナー

【Live配信・WEBセミナー】ウェットエッチングの基礎と形状コントロールと高精度化、及びトラブル対策

≪こちらはWEBセミナーのお申し込みURLになります≫

★ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説!

★受講者が抱える日頃のトラブルや技術開発に関するご相談も個別に応じます!

セミナー番号 S210124
セミナー名 ウェットエッチング
講師名

長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座教授(アドヒージョン(株)(大学ベンチャー・研究成果活用企業) 代表取締役 兼務) 河合 晃 氏

開催日 2021年01月26日(火) 10:30-16:30
会場名

※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です

アクセスマップ

支払い方法 銀行振込
受講料(税込)

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。

詳細

定員:30名


※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。
※ 銀行振り込みをご選択ください。お支払いは会社のご都合で講座前日に間に合わない場合、開催月翌月末あたりまでお待ち申し上げます。
※ お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します
※ 領収書の要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。
※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます
※ 当講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。

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講師プロフィール

長岡技術科学大学大学院 電気電子情報工学専攻 電子デバイス・フォトニクス工学講座教授(アドヒージョン(株)(大学ベンチャー・研究成果活用企業) 代表取締役 兼務) 河合 晃 氏

【ホームページURL】
河合研究室 http://kawai.nagaokaut.ac.jp
アドヒージョン(株) http://www.adhesion.co.jp

【ご経歴】
三菱電機(株)ULSI研究所での勤務を経て、大学にて電子デバイス、実装技術、リソグラフィ、コーティング、表面界面、プロセス技術の研究開発に従事。各種論文査読委員、NEDO技術委員、国および公的プロジェクト審査員などを歴任。原著論文160報以上、国際学会120件、講演会200回以上、特許出願多数、受賞多数。大学ベンチャー企業として、アドヒージョン(株)代表取締役 兼務。共同研究および技術コンサルティング実績100社以上。

講演主旨

 ウェットエッチングは工業的にも歴史が古く、かつ、高周波プリント基板や半導体LSIおよび液晶デバイスなどの様々な先端分野で主力の加工技術となっています。また、ウェットエッチングは、量産性やコスト性および設備の簡易さに優れており、かつ、エッチングと同時にウェット洗浄も行えるという特長を有しています。
 しかし、ウェットエッチングには、濡れ性制御、反応性コントロール、界面密着制御、マスク耐性などの様々な要因が関わっており、高精度化のためには、それぞれを最適化することが必要です。近年では、ウェットエッチングによるアンダーカット形状の高精度化が求められています。
 本セミナーでは、ウェットエッチングの基礎メカニズムに重点を置きながら、エッチングの高精度化、トラブル対策についても解説します。
 日頃の技術開発やトラブル相談にも個別に応じます。

【キーワード】
1.ウェットエッチング
2.プリント基板
3.電子デバイス

プログラム

1.ウェットエッチングの基礎
  ・加工技術としての位置づけ
   (設計値とシフト量)
  ・基本プロセスフロー
   (前処理、表面洗浄、エッチング液、マスク除去、洗浄)
  ・プロセス支配要因
   (濡れ、律速、反応速度、エッチング機構)
  ・等方性エッチング
   (アンダーカット)
  ・結晶異方性エッチング
   (結晶方位依存性)
  ・表面エネルギー理論による界面浸透解析
   (拡張エネルギーS,円モデル)
  ・処理装置
   (液循環、ディップ、シャワー、スピンエッチ、フィルタリング)

2.アンダーカット形状コントロール
  ・支配要因
   (界面濡れ性、応力集中、液循環、マスク耐性)
  ・形状コントロール
   (エッチングラインの高精度化)
  ・高精度形状計測
   (断面SEM、定在波法、光干渉法、X線CT)

3.プロセスの基礎と最適化要因
 3.1 被加工表面の最適化
   (表面被膜、汚染、欠陥の影響)
  ・被加工膜の材質依存性
   (Cu、Al、Si、ガラス、高分子膜)
  ・表面汚染
   (大気中放置、自然酸化)
  ・表面前処理
   (疎水化および親水化)
 3.2 エッチング液
  ・エッチング液の選定
   (等方性/異方性)
  ・エッチングレート
   (反応律速)
  ・エッチング液の劣化
   (物質移動律速)
 3.3 エッチングマスク
  ・マスク剤の選定
   (レジスト膜、無機膜)
  ・マスク剤の最適化
   (マスク形成と高精度化)
  ・マスクの形状劣化
   (熱だれ、転写特性)
  ・マスク内の応力分布と付着強度
   (応力集中と緩和理論)
  ・エッチング液の浸透
   (CLSM解析)

4.トラブル要因と解決方法(最短の解決のために)
  ・マスクパターンの剥離
   (付着エネルギーWa及び剥離要因)
  ・エッチング液の濡れ不良
   (ピンニング不良)
  ・エッチング開始点の遅れ
   (コンタクトラインのVF変形)
  ・ホールパターンの気泡詰まり
   (界面活性剤)
  ・エッチング表面の荒れ
   (気泡、異物)
  ・金属汚染
   (RCA洗浄)
  ・液中酸化
   (溶存酸素)
  ・再付着防止
   (DLVO理論、ゼータ電位)
  ・乾燥痕
   (マランゴニー対流、IPA蒸気乾燥)

5.質疑応答
 (日頃の技術開発およびトラブル相談に個別に応じます)

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