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次世代基板・次世代デバイスに向けたCMPプロセス・加工と スラリー・パッドの基礎および最新技術動向【オンラインLive配信・WEBセミナー】

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★半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から重要な要素技術に着目し、CMPに求められる要素技術を検証する
★研磨パッド状態の定量化について詳述し、その研磨パッドを効率的にコンディショニングする微細パッドコンディショニング技術についても解説します
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セミナー番号 S220704
セミナー名 CMP
講師名

第1部 近畿大学 理工学部 機械工学科 准教授 博士(工学) 藤田 隆 氏

 

第2部 (株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏

開催日 2022年07月27日(水) 13:00-17:15
会場名

※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です

アクセスマップ

支払い方法 銀行振込  
受講料(税込)

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
※2名以上ご要望の場合は2名を選択し、備考欄にその旨お書きくださいませ。

詳細

定員:30名


※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約を必ず、ご確認ください。
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※ お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します。
※ 領収書の要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。
※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせていただくことがございます
※ 当講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。
WEB受講は名簿をご提出いただきます。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏めいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。

上記以外は正規料金となりますのでご理解ください。


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プログラム

第1講 CMPプロセス技術及び次世代SiC基板の最新加工技術
【13:00-15:00】

 

講師:近畿大学 理工学部 機械工学科 准教授 博士(工学) 藤田 隆 氏

 

【受賞】
砥粒加工学会論文賞
砥粒加工学会熊谷賞
精密工学会沼田記念論文賞
工作機械技術振興賞論文賞 他

 

【経歴】
住友金属工業株式会社(現 日本製鐵㈱)入社
㈱東京精密へ出向後、同社入社
2020年4月より現職

 

【専門】
化学機械研磨、精密加工、精密測定 

 

【講演キーワード】
CMP技術、圧力分布設計、パッドコンディショニング技術、パッド表面状態の定量化

 

【講演のポイント】
 本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から重要な要素技術に着目し、再度基本に立ち返ってCMPに求められる要素技術を検証する。その要素技術として、まずウェーハ面内の圧力分布の設計方法、ウェーハエッジ形状の制御を取り上げる。また、研磨パッド状態の定量化について詳述し、その研磨パッドを効率的にコンディショニングする微細パッドコンディショニング技術について解説する。

 

【習得できる知識】 
・CMPにおける要素技術を体系的に理解することができる。
・CMP技術における表面基準研磨の本質的な考え方を身に着けることができる。
・CMP技術の開発経緯と加工メカニズムの基礎を学ぶことができる。
・現行のCMP技術をさらに発展させていく上で、今後どのような点が技術的課題であるか
 といった研究開発していく中でのポイントなる指針を見つけることができる。

 

【講演概要】
 本セミナーでは、半導体製造工程に求められるCMPプロセスの要求仕様から重要な要素技術に着目し、再度基本に立ち返ってCMPに求められる要素技術を検証する。その要素技術として、まずウェーハ面内の圧力分布の設計方法、ウェーハエッジ形状の制御を取り上げる。また、研磨パッド状態の定量化について詳述し、その研磨パッドを効率的にコンディショニングする微細パッドコンディショニング技術について解説する。

 

【講演プログラム】
1. CMP(Chemical Mechanical Planarization)技術の概要、歴史
 1-1. 研磨技術の概要
 1-2. Siウェーハの加工プロセス
 1-3. ラッピング加工
 1-4. 研磨加工
 1-5. 化学機械研磨の研磨メカニズム

2.CMP(Chemical Mechanical Planarization)要素技術の概要
 2-1.CMPにおける重要な要素技術
 2-2.CMP要素技術とCMPに求められる仕様
 2-3.研磨プロセスにおける圧力分布制御の考え方
 2-4.CMP圧力分布の設計方法
 2-5.圧力分布調整へのアプローチ
 2-6.静的圧力分布と動的研磨状態との対応
 2-7.圧力分布制御技術
 2-8.研磨均一性と圧力分布形状の対応
 2-9.ウェーハエッジ形状のコントロール
 2-10.リテーナリング高さ設定によるエッジ形状コントロール

3.CMP要素技術 終点検出技術
 3-1. 終点検出の種類と概要
 3-2. 光学式終点検出技術
 3-3. 渦電流式終点検出
 3-4. 表皮効果を利用した渦電流終点検出
 3-5. 電磁波の透過の相互確認による終点検出

4.次世代半導体、電子部品に対する最新加工技術
 4-1. 三次元実装技術
 4-2. ダイシングと平面研削加工の融合技術
 4-3. SiC基板における加工技術
 4-4. 次世代ダイシング・溝入れ加工技術

【質疑応答】


第2講 CMPにおけるスラリー・パッドの基礎と最新技術動向
【15:15-17:15】

 

講師: (株)ISTL 代表取締役社長 博士(工学) 礒部 晶 氏

 

【ご経歴】
 1984 京都大学工学部原子核工学科修士課程修了
 1984-2002 NECにてLSI多層配線プロセス開発
 2002-2006 東京精密(株)にて執行役員CMPグループリーダー
 2006-20013 ニッタハースにてテクニカルサポートセンター長等
 2013-2015 (株)ディスコにて新規事業開発
 2015- (株)ISTL代表

 

【講演キーワード】
CMP 研磨パッド スラリー 研磨剤 パッドコンディショナー 平坦化 Si SiC 先端デバイス

 

【講演のポイント】
 講演者は30年以上にわたりデバイスメーカー、装置メーカー、材料(スラリー、パッド)メーカーでCMPに関わっており、様々な側面からCMP技術について解説やアドバイスを行うことが出来る。 

 

【習得できる知識】 
 スラリー、研磨パッドおよびパッドコンディショナーの基礎的知識とCMPによる平坦化や材料除去のメカニズムおよび消耗材料との関係についての知識

 

【講演概要】
 CMPのプロセス性能を左右する重要な要素はスラリーと研磨パッドであり、その研磨パッドの表面状態を決定するパッドコンディショナーもまた重要である。本講ではスラリー、研磨パッド、パッドコンディショナーについてその製造方法や用いられる材料、評価方法などについて解説する。また、代表的なCMPの性能指標である平坦化と研磨レートについては、被研磨材料や構造によってそれらのメカニズムが異なること、それらの性能とスラリーや研磨パッドの材料物性との関係についても解説する。

 

【講演プログラム】
1.平坦化
 1-1 基板の平坦化指標
 1-2 デバイスの平坦化~グローバル平坦化とローカル平坦化
 1-3 平坦化メカニズムの違い~研磨パッド、スラリーとの関係
2.スラリー
 2-1 スラリーの市場動向
 2-2 砥粒の種類と特徴
 2-3 各アプリケーション別スラリーの特徴
 2-4 スラリーの評価方法
3.研磨パッドとパッドコンディショナー
 3-1 研磨パッドの市場動向
 3-2 研磨パッドの種類と用途
 3-3 研磨パッドの製造方法
 3-4 パッドコンディショナーの構造
 3-5 研磨パッドの評価方法
4.材料除去メカニズム
 4-1 プレストンの式
 4-2 フェレ径モデル
 4-3 各種材料の推定研磨メカニズム
 4-4 開発のヒント
5. まとめ

【質疑応答】

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