半導体フォトレジスト・材料の基礎と応用展開・トラブル対策
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★ポジ型のフォトレジストに限定し、各世代の露光機毎のフォトレジスト材料の構成と、その取り扱い上の注意点、および、そのプロセス条件依存性について解説！
★ポジ型フォトレジストのパターニング特性を左右する使用プロセスとフォトレジストのパターニング特性に与える影響因子とは？
- ACE LABO. 代表 山田 達也 氏
【1名の場合】39,600円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：30名
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※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます
※ 当講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。
【時間】 13:00-17:00
【講師】ACE LABO. 代表 山田 達也 氏
【講演主旨】
半導体・ディスプレイ・電子素子・5感センサー等の高機能化にリソグラフィ加工は非常に有用である。
この加工技術において使用されるフォトレジストは、リソグラフィ技術のキーとなる電子材料である。
但し、光感光性を保有する、フォトレジストは非常に高機能であると共に、他の電子材料と比べ、その取扱い・使用環境においてある種の繊細さを必要とする。
また、フォトレジスト性能の良否は、それを使用するプロセス条件に依存する所が大きいため、潜在的な特性に加え、使用するプロセスに対する特性依存性を理解する事も重要である。
そこで、本講演では、ポジ型のフォトレジストに限定し、各世代の露光機毎のフォトレジスト材料の構成と、その取り扱い上の注意点、および、そのプロセス条件依存性について解説する。
【プログラム】
1.ポジ型フォトレジスト材料(基礎)
1-1 フォトレジストの定義とポジレジスト／ネガレジスト概要
1-2 露光世代別ポジ型フォトレジストに使用されている構成原料概要
1-3 光化学反応とパターニングの原理
２.フォトリソグラフィプロセス概要とポジ型フォトレジストに求められる特性概要
3.ポジ型フォトレジストのパターニング特性を左右する使用プロセスとフォトレジストのパターニング特性に与える影響因子
3-1 塗布装置
3-2 ベーク（プリベーク、PEB、ポストベーク）装置
3-3 露光装置・マスク
3-4 現像装置
4.パターニング後のポジ型フォトレジストの適用プロセスとプロセス耐性に与える影響因子
4-1 ウェットエッチングプロセス
4-2 ドライエッチングプロセス
4-3 イオンインプラプロセス
4-4 めっきプロセス
4-5 リフトオフプロセス
5.フォトレジスト材料の取り扱い上の留意点
5-1 製造上の留意点
5-2 保管上の留意点