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■本セミナーの主題および状況

■注目ポイント

★EUVリソグラフィにおける最新動向とフォトマスクでの課題解決とは？

★beyond EUVLのカギを握る、フォトマスク技術。その周辺技術である、欠陥検査技術、ペリクル、ブランクスなどを開発している各メーカーから現状の課題を言及する。

講座担当：青木良憲

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

　EUVリソグラフィ(EUVL)は2019年より7nmロジックデバイスの量産技術として適用が開始された。半導体の前工程であるEUVLは微細加工に必須の技術となっており、IRDS国際ロードマップのとおり、2037年の0.5nmロジックデバイスの量産までEUVLが適用され、MOSトランジスター構造の３次元化に大きく貢献をしている。講演では黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性について紹介する。また、半導体技術は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術であり、日本の半導体復活へのシナリオについても言及します。

　フォトマスクは半導体リソグラフィの回路原版であり半導体の性能を決定づける重要な部品であるため、フォトマスクに要求される品質は半導体の微細化および性能向上に伴って、より厳しいものが求められ続けている。近年実用化されたEUVリソグラフィに使用されるEUVマスクは、従来のDUVマスクとは露光方式の違いから構造が大きく異なりEUV露光に最適化されたものとなっており、その重要性や要求される性能はさらに高まっている。次世代EUV露光技術すなわちHigh-NA（NA=0.55）に対応したマスクは、それに適合した形での進化が求められている。

　本講演では以上のような変化と高精度要求に対応した機能や性能をフォトマスクが発揮するために、どのような技術的検討が行われているかと製造工程について説明し、さらに次世代露光技術に必要とされている開発課題について解説する。

　半導体デバイスの高機能化、動作速度向上、消費電力低減のため、EUV露光を用いた電子回路パターンの微細化が進められています。EUV露光で用いられるフォトマスクに欠陥が存在していると、露光時に欠陥が繰り返しウェハに転写してしまうため、転写性欠陥を確実に検出する検査機は半導体製作の歩留まりを上げるために重要な役割を担っています。本講習では進化を遂げてきたEUVマスクの検査技術全般について解説すると共にし、ブランクス製作、パターン形成、ペリクル適用後に用いられる検査の実施例について紹介します。

　EUVL(極端紫外光リソグラフィ)に用いられる露光光は波長13.5nm近傍の光であり、露光光に対して透明な物質は存在しない。そのため、マスクを含む露光システム内の光学系には、反射光学系が採用されており、マスクに求められる特性は透過型マスクと比較し大きく異なる。要求特性の大きな変化は、ブランクス構造の複雑さを生み、量産化に向けた大きなハードルとなっていた。本講演では、量産化に向けた取り組みと次世代ブランクスの開発の展望について、ご紹介させていただく。