半導体パッケージ基板に向けたＴＧＶ・ＴＳＶ技術の基礎とガラス基板などとの密着性向上に向けた課題
～めっきの密着課題・めっきプライマーのガラス貫通基板への適用～
★2025年3月31日WEBでオンライン開講。 NPOサーキットネットワーク 大久保様 イオックス 中辻様 JCU 大野様がそれぞれ半導体パッケージ基板に向けたＴＧＶ・ＴＳＶ技術の基礎とガラス基板などとの密着性向上に向けた課題について解説する講座です。
■注目ポイント
★CoWoSなどの登場をはじめとする Advanced Package、各種先端半導体パッケージの技術動向を把握する！
★またその中でも登場してきたガラス基板の登場、密着性を最大の課題とするが、めっき周辺技術ではどうとらえているのか？
★部品内蔵基板、ハイブリッドボンディング、光電融合など新たな技術の登場とともにますます高度化するTSV,TGVの現状を探る！
★硫酸銅めっき、密着性向上のためのめっきプライマーの使い方、めっき技術での基礎と密着性向上の課題をどう解決するのか？
- 第1部 NPOサーキットネットワーク 理事 事務局長 大久保 利一 氏
- 第2部 株式会社イオックス 研究開発部 複合材料グループ グループ長 中辻 達也 氏
- 第3部 株式会社JCU 総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長 大野 晃宜 氏
●1名様 ：49,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
キャンセルポリシー・特定商取引法はこちら
セミナーに関するQ&Aはこちら（※キャンセル規定は必ずご確認ください）
【【本セミナーの主題および状況 本講座の注目ポイント】】
■主題状況
★CoWoSなどの登場をはじめとする Advanced Package、またその中でも登場してきたガラス基板の登場、密着性を最大の課題とするが、めっき周辺技術ではどう密着性の課題をとらえているのか？
■本講座の注目ポイント
★部品内蔵基板、ハイブリッドボンディング、光電融合など新たな技術の登場とともにますます高度化するTSV,TGVの現状を探る！
★硫酸銅めっき、密着性向上のためのめっきプライマーの使い方、めっき技術での基礎と密着性向上の課題をどう解決するのか？
講座担当：青木良憲
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 半導体実装基板のＴＧＶ・ＴＳＶ技術の基礎と課題
【時間】 13:00-14:15
【講師】NPOサーキットネットワーク 理事 事務局長 大久保 利一 氏
【講演主旨】
【プログラム】
【第2講】 めっきプライマーのガラス貫通基板への適用」
【時間】 14:30-15:45
【講師】株式会社イオックス 研究開発部 複合材料グループ グループ長 中辻 達也 氏
【講演主旨】
半導体パッケージ基板のサブストレート、インターポーザーとして樹脂、シリコンからガラスへの代替が注目されている。
ガラスは基板材料とし優れた特性を持つ一方、低粗度、低CTE、高Tgであるため、導電層の密着性を確保することが難しい。近年、様々な導電化工法が提案されている中、当社ではめっきプライマーによるシード層形成方法を提案している。本講演では現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。
また、部品内蔵基板、ビルドアップフィルムなどガラス基板の周辺技術への適用例についても紹介する。
【プログラム】
１．めっきプライマーについて
1.1 構成要素
1.2 優位性
1.3 活用事例
２．ガラス貫通基板について
2.1 ガラス貫通基板の必要性
2.2 ガラス基板と樹脂基板の比較
2.3 ガラス基板の技術動向
３．めっきプライマー「メタロイド」 のガラスへの適用
3.1 メタロイドの密着原理
3.2 密着性、耐熱性
3.3 平滑性、寸法安定性
3.4 光学特性、誘電特性
3.5 絶縁信頼性、相関密着性
3.6 ガラス貫通基板への適用
４．めっきプライマーの半導体基板周辺技術への適用
4.1 ビルドアップフィルム
4.2 beyond5G、6Gなどの高速通信
4.3 部品内蔵基板
4.4 ハイブリッドボンディング
4.5 光電融合
【質疑応答】
【講演キーワード】
ナノ粒子、塗料、めっき、ガラスコア、TGV、半導体パッケージ基板、部品内蔵基板、5G、６G、光電融合
【講演ポイント】
半導体パッケージ向けガラス基板の動向、特に導電層形成プロセスについての課題と当社のめっきプライマーによる取り組みについて紹介する。
また、ガラス基板周辺技術について、メタロイドによる応用例と優位性について紹介する。
【習得できる知識】
半導体パッケージ向けガラス基板の動向
ガラス基板への導電化工法
ガラス基板の周辺技術
【第3講】 TSVおよびTGV用硫酸銅めっきプロセスと課題
【時間】 16:00-17:15
【講師】株式会社JCU 総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長 大野 晃宜 氏
【講演主旨】
近年、人工知能（AI）や高機能モバイル端末の普及により、より高い計算性能や多種多様な機能を統合した高機能デバイスが求められている。これらを実現するために日々、半導体技術の微細化技術は「ムーアの法則」にのっとり発展をしてきた。しかしながら昨今では、半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced Packaging（アドバンスドパッケージング）”と呼ばれる技術が注目されている。
本講演では、“Advanced Packaging”技術の中の2.XDおよび3D構造に必要な”TSV”および”TGV”用の硫酸銅めっきに着目し解説する。
【プログラム】
１．Advanced Packaging技術の必要性
２．TSV用硫酸銅めっき
３．TGV用硫酸銅めっき
【質疑応答】
【講演キーワード】
半導体後工程、Advanced Packaging、3D、2.xD、インターポーザ、RDL、TSV、TGV、Pillar、ハイブリット接合、硫酸銅めっき
【講演ポイント】
半導体後工程のAdvanced Packaging技術の中に2.xDや3D構造があり、その中にTSVおよびTGVの使用が見込まれている。
そのTSVおよびTGVには硫酸銅めっきで充填することを目的としているが、電気化学的に硫酸銅めっきプロセスの違いにおける充填性の比較を解説する。
【習得できる知識】
・Advanced Packaging技術における表面処理（硫酸銅めっき）に関する知識
・電気化学的に硫酸銅めっきプロセスの違いにおけるTSVおよびTGVの充填性の比較を解説する。