半導体パッケージにおける3次元集積実装技術の最新の技術開発動向
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★チップレット間の高密度配線を実現するシリコンブリッジ技術の概要とその接合・封止技術について解説！
★チップオンウェハでCu-Cuハイブリッド接合を実現する際の課題と最近の技術開発状況、新規接合材料について解説！
★3次元積層化などのトレンドに対して、必要となる材料とその開発トレンドについて紹介！
- 第1部 国立研究開発法人産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ 研究グループ長 菊地 克弥 氏
- 第2部 日本アイ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所 セミコンダクター チップレット・インターコネクト 部長 堀部 晃啓 氏
- 第3部 三井化学株式会社 ICTソリューション研究センター 茅場 靖剛 氏
- 第4部 東レ株式会社 富川 真佐夫 氏
【1名の場合】55,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。
※ 銀行振り込みをご選択ください。お支払いは会社のご都合で講座前日に間に合わない場合、開催月翌月末あたりまでお待ち申し上げます。
※ お申し込み後、受講票と請求書が自動で返信されます。請求書記載の銀行口座に沿って、お振り込みをお願いします。また請求書に記載の「株式会社」や「(株)」「会社名」はお客様の記入通りの表記になりますので、ご希望の形式で記載をお願いします。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、請求書受講票を代表者様にご連絡します
※ 領収書の要望があれば、申込時、備考欄へ記載ください。
※ ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます
※ 当講座では、同一部署、申込者のご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます。(申込者は正規料金、お二人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取り纏いただくか、申込時期が異なる場合は紹介者のお名前を備考欄にお書きくださいますよう、お願いいたします。
【第1講】 半導体集積化における3次元集積実装技術の最新動向
【時間】 10:30-12:00
【講師】国立研究開発法人産業技術総合研究所 デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ 研究グループ長 菊地 克弥 氏
【講演主旨】
これまでの国家プロジェクトや国際会議を中心に3次元集積実装技術の研究開発動向をお話しいたします。
【習得できる知識】
・3次元集積実装技術の基礎知識
・国家プロジェクトにおける3次元集積実装技術の研究開発の流れ
・3次元集積実装技術の最新の技術動向
【プログラム】
【第2講】 チップレットを進化させるシリコンブリッジパッケージとその接合・封止技術
【時間】 13:00-14:15
【講師】日本アイ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所 セミコンダクター チップレット・インターコネクト 部長 堀部 晃啓 氏
【講演主旨】
コンピューターシステムの絶え間ない性能向上が求められるなか、半導体デバイスの集積化および性能向上において、半導体素子の集積限界とチップサイズ拡大の限界を乗り越えるためにチップレットパッケージが大きな注目を集めているが、チップ間のデータ転送速度がその性能向上の鍵となる。本講座ではそのチップレット間の高密度配線を実現するシリコンブリッジ技術の概要とその接合・封止技術について解説する。
【キーワード】
チップレットパッケージ、シリコンブリッジ、高密度配線、微細バンプ接合、アンダーフィル
【プログラム】
1.IBM Researchの概要
2.AI Hardware Center programの概要
3.Direct Bonded Heterogeneous integration(DBHi)
3.1 DBHiの概要
3.2 DBHiの接合技術
3.3 DBHiの封止技術
3.4 surface-DBHi
4.まとめ
【質疑応答】
【第3講】 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合用 新規接合材料の開発
【時間】 14:30-15:45
【講師】三井化学株式会社 ICTソリューション研究センター 茅場 靖剛 氏
【講演主旨】
人工知能やデジタルトランスフォーメーションなどの急激な普及に伴い、大量のデータを高速で処理する必要があり、半導体集積回路(IC)の性能向上の要求がこれまで以上に高まっている。ICの高性能化手法として、従来のトランジスタ微細化による手法と並び、ICチップの3次元積層手法が重要な技術となりつつある。3次元ICチップ積層では、はんだ接合が用いられてきたが、チップ間の広帯域データ通信のため、20μm以下の狭ピッチ電極でチップ同士を電気的に接続出来るCu-Cuハイブリッド接合技術の実現が望まれている。本講座では、チップオンウェハでCu-Cuハイブリッド接合を実現する際の課題と最近の技術開発状況、および弊社の開発した新規接合材料について講演を行う。
【キーワード】
Cu-Cuハイブリッド接合、チップレット、チップオンウェハ、3D積層、2.5D/3D、ヘテロ集積
【講演ポイント】
講演者は、半導体デバイス用材料のみでなく、実装プロセスの研究開発にも従事している。
本講演では、チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合における課題と、提案されている各種解決方法について
講演者の知見を基に解説を行う。
【習得できる知識】
・チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合の基礎から最近の技術開発動向までを学ぶことが出来ます
・無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題について学ぶことが出来ます
・弊社開発の新規接合材料の特性について学ぶことが出来ます
【プログラム】
1.チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合概論
1.1 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合が必要とされる技術背景
1.2 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合プロセスと課題
1.3 各種ダイシング方法(ブレード、ステルス、プラズマ)
1.4 チップ接合方法(ダイレクトプレイスメント、コレクティブ、ギャップフィル)
1.5 最近のデバイス開発例(ロジック、メモリー)
1.6 まとめ
2.弊社開発新規接合材料のご紹介
2.1 無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題
2.2 弊社開発接合材料のコンセプト
2.3 コンセプトの検証
2.4 材料の信頼性
2.5 まとめ
【質疑応答】
【第4講】 3次元半導体パッケージに向けた耐熱樹脂材料への要求特性と開発動向
【時間】 16:00-17:15
【講師】東レ株式会社 富川 真佐夫 氏
【講演主旨】
半導体の高機能化にともない、半導体チップサイズの巨大化に伴うチップレット化とそれを効率よくパッケージ化するための3次元積層化などのトレンドに対して、必要となる材料とその開発トレンドについて紹介する。
【講演ポイント】
現在、開発が進められている半導体の3次元パッケージに必要な材料について、現状をまとめた。電子材料の開発状況、動向の理解が進む。
【習得できる知識】
・半導体パッケージの進化に向けた材料
・各材料設計の考え方
【プログラム】
1.半導体の技術開発トレンド
1.1 チップレット化
1.2 3次元積層化
2.3次元半導体パッケージ関連材料
2.1 半導体実装材料
2.2 熱伝導性材料
2.3 高精細感光性耐熱材料
2.4 低誘電・低Tanδ材料
【質疑応答】