SiC/GaNパワー半導体デバイスの市場動向と耐熱・耐圧・水冷技術【希望日にアーカイブ視聴可能】
～ライバルのシリコンデバイスを見据えたSiC/GaNの未来像～
★2024年12月19日開講。【筑波大学・数理物質系・教授：岩室氏】に、自動車電動化（xEV化）の進展に向けた最新パワー半導体の動向について解説いただきます。
■本講座の注目ポイント講演日以降でもアーカイブ視聴可能です（自由に指定可能）
SiC/GaNパワー半導体技術開発の市場動向、技術動向を学べる講座です
①パワー半導体デバイスとは何か、基本構造と適用分野から丁寧に解説します
②シリコンデバイス進展状況から、Sic／Ganの特性・信頼性向上のポイントについて語ります
③なぜ水冷が必要か、高温対応・高耐圧化技術の動向を紹介します
- 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
●1名様 ：49,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたします。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについて、別途メールでご案内いたします。基本的にはマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 10:30-16:30
【講師】筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【講演主旨】
2024年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。そしてxEVは、もはや大きな潮流となった。さらにAI化の流れにのってデータセンタの建設が世界各地で進んでいる。このデータセンタはその電力消費が莫大と言われており、サーバ用電源の高効率化は喫緊の課題でもある。
これらxEV化ならびにサーバ用電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。SiC/GaNパワーデバイスの今後について、強力なライバルであるシリコンデバイスの最新動向を見据えながら、わかりやすく解説したい。
【講演のポイント】
自動車電動化（xEV化）の進展に向けた最新パワー半導体ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaNパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。
【習得できる知識】
①パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向
②シリコンパワー半導体デバイスの強み
③SiC/GaNパワー半導体デバイスの特徴と課題
④シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術
⑤最新実装技術の動向
【講演キーワード】
xEV向けパワー半導体、シリコンMOSFET、シリコンIGBT、SiC/GaNパワーデバイス、実装技術
【プログラム】
1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 高周波動作のメリットは
1-5 パワーデバイス開発のポイントは何か
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiC-MOSFETプロセス
3-4 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-5 SiC-MOSFET特性改善・信頼性向上のポイント
3-6 最新SiC-MOSFET技術
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 GaNパワーデバイスの強み、そして弱みはなにか
4-5 縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
5-1 高温動作ができると何がいいのか
5-2 なぜ水冷が必要か？
5-3 水冷技術
5-4 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
5-5 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
６．超高耐圧化技術
6-1 SiC IGBTの開発の状況
6-2 酸化カリウムパワーデバイスの開発状況
【質疑応答】
※当日以外のアーカイブ視聴をご希望の方は、お申込みの備考欄に『当日以外のアーカイブ視聴希望』をご記入ください