先端半導体パッケージング技術に向けたハイブリッドボンディング・接合技術と周辺部材の開発
~ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化・ハイブリッド・ボンディング対応製造プロセス向け新テープ開発~
★2025年4月25日WEBでオンライン開講。 横浜国立大学 井上先生、三井化学株式会社 中村様、三菱マテリアル株式会社 中川様、リンテック株式会社 田久様がそれぞれ先端半導体パッケージング技術に向けたハイブリッドボンディング・接合技術と周辺部材の開発としてアカデミア、材料、テープの解説する講座です。
★半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使するパッケージ技術、その重要技術としてのハイブリットボンディングを紹介!
★本講演では、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。
- 第1部 横浜国立大学 准教授 井上 史大 氏
- 第2部 三井化学株式会社 研究開発本部 ICTソリューション研究センター 半導体・実装ソリューショングループ 中村 雄三 氏
- 第3部 三菱マテリアル株式会社 三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ 中川 卓眞 氏
- 第4部 リンテック株式会社 次世代技術革新室/室長代理 田久 真也 氏
●1名様 :60,500円(税込、資料作成費用を含む)
●2名様以上:16,500円(お一人につき)
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
定員:30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
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【【本セミナーの主題および状況 本講座の注目ポイント】】
■主題状況
★半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使するパッケージ技術、その重要技術としてのハイブリットボンディングを紹介!チップレットはメリットが多い一方で、ビジネスや設計で課題が山積しています。またもちろん製造面でも乗り越えるべき技術課題がある状況。
★本講演では、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。
講座担当:青木良憲
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 次世代パッケージング技術に向けたハイブリッド接合技術開発の現状と今後
【時間】 13:00-14:15
【講師】横浜国立大学 准教授 井上 史大 氏
【講演主旨】
半導体の将来を担う技術の一つとして注目度が高まっているのが後工程技術を駆使する「チップレット集積」。チップレットはメリットが多い一方で、ビジネスや設計で課題が山積しています。またもちろん製造面でも乗り越えるべき技術課題があります。本講演では、世界的にも研究が進むチップレベルのハイブリッド接合技術をはじめ、チップレット技術の最新動向と課題、後工程強化に向けた取り組みなどを紹介します。
【プログラム】
【第2講】 ポリマー/Cuハイブリッド接合の低温化に向けた新規接着材料の開発
【時間】 14:25-15:40
【講師】三井化学株式会社 研究開発本部 ICTソリューション研究センター 半導体・実装ソリューショングループ 中村 雄三 氏
【講演主旨】
現在考案中です
【プログラム】
現在考案中です
【第3講】 ナノポーラス Cu 構造による Cu-Cu 接合に向けた検討
【時間】 15:25-16:40
【講師】三菱マテリアル株式会社 三田工場 技術開発室 実装プロセスグループ 中川 卓眞 氏
【講演主旨】
電子機器の小型化・高性能化に伴い、内蔵される半導体においても小型化・集積化が急激に進んでいる。現在、はんだバンプを利用した接合技術が一般的であるが、半導体の次世代接合技術として狭ピッチ相互接続に対応する為の様々な構造や接合工程が研究されている。
本講演では、SnAgはんだバンプの代替接合技術として、求められる要素を紹介すると共に、現状のCu直接接合技術の課題について紹介する。また、ナノポーラスCu(NP-Cu)構造体の形成方法及びこの構造体を用いた新規接合技術についても紹介する。
【プログラム】
【プログラム】
1.はじめに
2. 実験方法
2.1 NP Cu めっき膜を用いた接合試験・評価
3. 評価結果・考察
3.1 DPC 法による NP Cu めっき膜の作製
3.2 脱合金法による NP Cu めっき膜の作製
3.3 NP Cu めっき膜を用いた接合試験
3.4 μ-bump 接合への適用可能性
4. ま と め
【質疑応答】
【キーワード】
半導体後工程、Cu直接接合技術、次世代接合、電気めっき、ナノポーラス構造
【講演のポイント】
Cu直接接合技術では、現状のSnAgプロセスに比べて、高コスト、低スループットなど量産化するための課題がたくさん存在する。ナノポーラスCu構造を利用することで現行プロセスを展開可能でき、非常に期待されている技術である。
【習得できる知識】
SnAgめっき及びはんだ接合プロセス
Cu接合技術
電気めっきの基礎
ナノポーラスCu構造と接合
【第4講】 半導体パッケージ製造プロセス向け 新テープの開発とハイブリッド・ボンディング対応
【時間】 16:50-17:35
【講師】リンテック株式会社 次世代技術革新室/室長代理 田久 真也 氏
【講演主旨】
近年開発が加速するChip on Wafer(CoW)のプロセスでは、一般的にダイシング済の薄チップをコレットと呼ばれる移載ジグで搬送して、接合されるウエーハ上に搭載するが、コレットでチップ表面に接触するため、汚染の機会が多いこと、薄チップの反りがボンディング不良をまねくこと、が課題となっている。ダイレクト・トランスファ・ボンディングは、ボンディングツールを用いて薄化チップをテープ越しに圧着させるため、この課題の解決策として期待されている。この工法に適応する、透明性、易剥離性、テープ剥離後の低残渣性を兼ね備えたテープ、およびその検証結果を紹介する。
【プログラム】
1.ダイレクト・トランスファー・ボンディングとは
1-1 ダイレクト・トランスファー・ボンディングの概要
1-2 ダイレクト・トランスファー・ボンディングのメリット
2.ダイレクト・トランスファー・ボンディング対応キャリア・テープとは
2-1 キャリア・テープに必要な特性1;透明性
2-2 キャリア・テープに必要な特性2:易剥離性
2-3 キャリア・テープに必要な特性3:低残渣性
3.テストチップを用いたボンディング評価結果
3-1 実験DOE
3-2 実験結果
3-3 考察
4.今後に向けて
4-1 エキスパンド・プロセスとの融合
4-2 まとめと今後
【質疑応答】
【キーワード】
フュージョン・ボンディング、ダイレクト・トランスファー・ボンディング、ピックアップ、低残渣