EUVレジスト・メタルレジストの高性能化に向けた材料設計・反応機構・評価技術の最新動向
★2026年9月14日WEBでオンライン開講。Eリソリサーチ 遠藤氏、富士フイルム株式会社 椿氏、量子科学技術研究開発機構 山本氏、リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 関口氏が、【EUVレジスト・メタルレジストの高性能化に向けた材料設計・反応機構・評価技術の最新動向】について解説する講座です。
■注目ポイント
★EUVレジストの基礎・要求特性・反応機構から、RLSトレードオフやStochastic欠陥への対応、メタルレジスト（MOR）の材料設計・高性能化・評価技術、高NA EUV時代を見据えた最新技術動向まで、次世代半導体微細加工を支える研究開発・実用化に直結する知見を一日で習得できる講座！
- 第1部 Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
- 第2部 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター / 研究マネージャー 椿 英明 氏
- 第3部 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター／主幹研究員 山本 洋揮 氏
- 第4部 リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
【1名の場合】66,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、22,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき22,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は22,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★半導体の高集積化・微細化が加速する中、2nmノード以降の先端デバイス製造ではEUVリソグラフィの重要性がますます高まっており、それを支えるEUVレジスト材料・プロセス技術の高度化が不可欠となっています。
★一方で、感度・解像度・ラフネス（RLS）のトレードオフやStochastic欠陥への対応に加え、高NA EUV時代を見据えたメタルレジスト（MOR）など次世代レジスト材料の開発と高精度な評価技術の確立が重要な研究開発課題となっています。
★本講習会では、EUVレジストの基礎から材料設計・反応機構・高性能化、メタルレジストの最新動向、さらに評価・プロセス技術までを体系的に解説し、次世代半導体微細加工を支える最新技術と今後の開発動向を俯瞰します。
■注目ポイント
★EUVレジストの基礎・要求特性・反応機構から最新のメタルレジスト、高NA EUV対応技術までの次世代半導体微細加工を支える最新技術動向を解説！
★感度・解像度・ラフネス（RLS）のトレードオフやStochastic欠陥、メタルレジスト（MOR）の材料設計・高性能化・性能評価など、EUVレジスト開発の最重要課題とその解決アプローチを第一線の専門家が詳しく解説！
★EUVレジスト・メタルレジストの材料開発からプロセス最適化、アウトガス分析やEUV透過率測定などの評価技術まで、研究開発・実用化に直結する最新の知見と評価ノウハウを実例を交えて解説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 EUVレジストの基礎、要求特性および課題と対策、最新技術動向
【時間】 10:30-12:00
【講師】Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
【講演主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の2nmノードの量産工程でEUVが用いられており、その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、EUVリソグラフィの概要を紹介した後、EUVレジストの基礎と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。最後に今後のEUVレジストの技術展望についてまとめる。
【プログラム】
1.EUVレジストの基礎
1.1 EUVリソグラフィの概要
1.2 EUVレジストの設計指針
1.3化学増幅型EUVレジストの反応機構
1.4 EUVレジストプロセス
2.EUVレジストの要求特性
2.1化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2.2化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
3.EUVレジストの課題と対策
3.1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
4.EUVレジストの最新技術動向
4.1 EUVメタルレジスト
4.2 EUVメタルドライレジストプロセス
5. EUVレジストの技術展望
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィ、EUVレジスト、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス
【講演のポイント】
EUVレジストについて、基礎から要求特性、課題と対策、最新技術動向まで把握できます。最新のロードマップにおける位置づけ、ビジネス動向を確認できます。
【習得できる知識】
１）EUVレジストの基礎
２）EUVレジストの要求特性、課題と対策
３）EUVレジストの最新技術動向
４）EUVレジストのビジネス動向
【第2講】 先端半導体用EUVレジスト材料とその進展
【時間】 13:00-14:15
【講師】富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター / 研究マネージャー 椿 英明 氏
【講演主旨】
半導体の高集積化を支えるフォトリソグラフィー技術の進展を概観し、その中核材料であるフォトレジストの役割と進化について解説する。特に最先端のEUVリソグラフィーに焦点を当て、その技術的背景、実用化に至るまでの課題とブレークスルー、ならびにEUVレジスト材料における挑戦（感度・解像度・ラフネスのトレードオフ、確率的欠陥）について整理する。さらに、有機CARから金属酸化物レジスト（MOR）への展開などの最新動向を紹介し、今後の材料開発と半導体技術進展の方向性について理解を深める。
【プログラム】
1. 半導体の高集積化とフォトリソグラフィー
・半導体進化と社会的インパクト
・微細化の意義とムーアの法則
2. フォトレジストの基礎
・レジスト材料の役割と構成要素
・化学増幅レジストの発展
3. EUVリソグラフィーの実現
・露光技術の進展とEUVの位置づけ
・実用化に向けた課題とブレークスルー
4. EUVレジストにおける挑戦と変革
・EUVリソグラフィの特徴
・RLSトレードオフとStochastic欠陥
・材料設計・反応機構の理解
・新材料（MOR等）の動向
・各技術トピックスのレビュー
5. まとめと今後の展望
・材料技術の進化と産業へのインパクト
・次世代レジストの方向性
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィー、フォトレジスト、Metal Oxide Resist（MOR）、Stochastic欠陥、高NA EUV
【講演のポイント】
先端フォトレジスト材料開発を長年リードしてきた講演者が、EUVレジストの本質課題から最先端材料（MOR等）までを実例ベースで解説する。基礎から最新動向までを一貫して理解できる実践的講演である。
【習得できる知識】
・半導体微細化を支えるフォトリソグラフィーの基本原理
・フォトレジスト材料の役割と進化の歴史
・EUVリソグラフィーの技術的特徴と実用化背景
・EUVレジスト特有の課題（RLSトレードオフ、Stochastic欠陥）
・CARおよびMORなど次世代レジスト技術の動向
【第3講】 EUVレジスト材料の反応機構、高性能化とメタルレジスト材料の性能評価
【時間】 14:25-15:40
【講師】量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター／主幹研究員 山本 洋揮 氏
【講演主旨】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。
本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。
【プログラム】
１．はじめに
1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
２．EUV/EBレジストの反応機構
2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
2.4 ＥＵＶ/EB化学増幅型レジストの問題点
2.5 ＥＵＶ/EBレジストの設計指針
３．メタルレジスト材料の性能評価
3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4 メタルレジスト材料の性能評価
４．今後の課題
【質疑応答】
【キーワード】
EUVレジスト、EBレジスト、反応メカニズム、メタルレジスト、レジスト設計指針
【講演のポイント】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。半導体微細加工技術であるEUVリソグラフィは、今後デジタル社会の構築において極めて重要である。今後も更なる微細加工技術が要求されており、High-NA EUVリソグラフィなどをはじめ、次世代リソグラフィ技術が注目されている。
本セミナーでは、EUVリソグラフィ技術を中心に、EUVレジスト・リソグラフィの基礎とプロセス最適化・最新開発動向をはじめ、微細加工材料に関する最新動向について概説するとともに、我々の最新の成果を解説する。
【習得できる知識】
・レジスト材料開発
・メタルレジストについて
・ブロック共重合体による自己組織化リソグラフィについて
・次世代リソグラフィの技術動向
【第4講】 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術
【時間】 15:50-17:05
【講師】リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
【講演主旨】
EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。
【プログラム】
１．EUVLの概要
1.1 EUVLの概要
1.2 EUVL用レジスト
２．アウトガス評価技術
2.1 EUVLレジストのアウトガス評価方法
2.2 EUVLレジストのアウトガス評価装置
３．EUVレジストの評価技術
3.1 EUV透過率測定
3.2 ナノパーティクル添加レジストの高感度化
3.3 屈折率nk測定
3.4 EUV2光束干渉露光
４．EUVメタルレジストの評価技術
4.1 メタルレジストの概要
4.2 EUVメタルレジストのアウトガス分析
4.3 EUVメタルレジストの問題点
５．EUVフォトレジストと電子線レジストの感度
【質疑応答】