【プログラム】

1．半導体市場動向
2．IRDS国際ロードマップの概要
3．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
4．EUVリソグラフィ技術課題
5．黎明期のEUVリソグラフィ技術
6．EUVL用露光機
7．EUVマスク欠陥検査技術
8．EUVペリクル評価
9．EUVレジスト材料プロセス技術
10．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
11．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
12．日本半導体復活に向けたシナリオ
13．まとめ

【質疑応答】
講演終了後に５分程度

【キーワード】

IRDS国際ロードマップの概要、EUVリソグラフィ技術、EUV露光機、EUVマスク欠陥検査技術の基礎、EUVペリクル、EUVレジスト材料プロセス技術、日本半導体復活に向けたシナリオ

【講演のポイント】

1990年にシャープ（株）中央研究所に入社し、各種半導体微細加工技術に従事し、1993年以来EUVリソグラフィ技術開発に従事してきた。1996年より姫路工業大学（現、兵庫県立大学）高度産業科学技術研究所でニュースバル放射光施設でEUVリソグラフィの基盤技術開発を進め、これまで４つの国家プロジェクトを推進し、国内外の多くの企業との共同研究を推進してきた。その結果、2019年のEUVLの量産技術開発に大きく貢献してきた。今後の微細加工技術の進展貢献しているEUVL技術開発の第一人者である。

【習得できる知識】

・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎

【プログラム】

１．リソグラフィ微細化の歴史
２．フォトレジスト材料の変遷
　　　２－１.　光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト
　　　２－２.　化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用
　　　２－３.　化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI
　　　２－４.　微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト
　　　２－５．非化学増幅型レジスト
　　　２－６．さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥
　　　２－７．レジストアウトガス

【質疑応答】

【キーワード】
EUV、レジスト、リソグラフィ、微細化、ムーアの法則、ネガティブトーン現像、NTI

【講演ポイント】
＜講演内容＞
　EUVリソグラフィ用フォトレジスト材料開発の歴史、具体的事例、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。
＜講演者＞
　フォトレジスト材料開発、リソグラフィプロセス、国プロジェクト経験など、講演者はそれらの技術に直接従事もしくは議論・プロジェクト参加した経験があり、具体的な課題・展望についての紹介が可能。

【習得できる知識】
リソグラフィ用フォトレジストとはなんぞや。
最先端EUVリソグラフィ用フォトレジスト実用化への変遷および現在の課題と解決事例。

【プログラム】

1.    EUVマスクの特徴と技術課題
　1.1 EUVマスクの構造と転写の概要
　1.2 EUVマスクへの要求仕様
　1.3 EUVマスク基板への要求仕様
　1.4 遮光帯（Black Border ; BB）
　1.5 EUVペリクル
2.    EUVマスクの製造工程
　2.1 データ準備工程（Mask Data Preparation ; MDP）
　2.2 描画現像工程（レジストプロセス）
　2.3 エッチング工程
　2.4 計測・検査・修正工程
3.    次世代EUVマスクの開発課題
　3.1 微細化の追求（解像度の向上）とさらなる複雑化への対応
　3.2 新材料（位相シフトマスク）の適用
　3.3 スティッチング露光への対応
　3.4 高透過率EUVペリクルの開発

【質疑応答】

【キーワード】
フォトマスク、EUV、位相シフトマスク、次世代技術、開発課題