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開催日時 2023年10月31日(火) 13:30-17:30
受講料 1名39,600円(税込)より
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■本セミナーの主題および状況
モノのインターネット(IoT)や人工知能(AI)の普及などにより、データ処理や記憶を担う半導体デバイスの更なる性能向上と高集積化が求められています。このため半導体デバイスの微細化と三次元集積化が益々進んでおり、半導体デバイス製造に用いられるエッチング技術には、多様な膜種の原子レベル加工など、更なる進化が求められています。本講演では、ドライエッチング、ウェットエッチング、そして原子層エッチングについて、エッチングの原理から各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例までを、実経験を交えて分かりやすく解説します。
■注目ポイント
★半導体製造におけるエッチング技術について、基礎と各種材料への応用を解説。
★半導体および関連産業における若手技術者の方々を対象。
★エッチングに関する網羅的な知識とトレンドを学ぶことができる。
01 株式会社 日立製作所 篠田 和典 氏
13:30-17:30
第1講
講 師
株式会社 日立製作所 研究開発グループ デジタルサービス研究統括本部 計測インテグレーションイノベーションセンタ ナノプロセス研究部 篠田 和典 氏
【プログラム】
1. 半導体デバイスのトレンド/構造/製造プロセス
1. 半導体デバイスの技術トレンド
2. 半導体デバイスの構造と製造プロセス
2. 半導体製造プロセスにおけるエッチング
1. エッチング工程の種類
2. エッチング工程の課題
3. ドライエッチングの基礎及びプロセス技術
1. ライエッチング装置、プロセスの歴史
2. ドライエッチングの原理
3. ドライエッチングの速度、選択性および損傷
4. 各種材料のドライエッチング技術
4. ウェットエッチングの基礎及びプロセス技術
1. ウェットエッチングの原理
2. ウェットエッチングの律速過程
3. ウェットエッチングの選択比および面方位依存性
4. 各種材料のウェットエッチング技術
5. 原子層エッチングの基礎と最新技術
1. 原子層エッチングの基礎と分類
2. 有機金属錯体反応を用いた熱ALE
3. プラズマと熱サイクルを用いた等方性ALE
4. ハロゲン化とイオン照射を用いた異方性ALE
5. フルオロカーボンアシスト法を用いた異方性ALE
6. まとめ
1. 質疑応答
【キーワード】
半導体、製造、ドライエッチング、ウェットエッチング、原子層エッチング
【ポイント】
本講演では半導体製造におけるエッチング技術について、基礎と各種材料への応用を解説します。本講演は、半導体および関連産業における若手技術者の方々を対象にしています。本講演を受講することで、エッチングに関する網羅的な知識とトレンドを学ぶことができます。
【習得できる知識】
・半導体製造におけるエッチング技術について、基礎と各種材料への応用。
・エッチングに関する網羅的な知識とトレンド。
・ドライエッチング、ウェットエッチング、そして原子層エッチングについて、エッチングの原理から各種材料への応用、技術動向、そして最先端の開発事例まで学習できる。
| セミナー番号 | S231043 |
|---|---|
| セミナー名 | 半導体エッチング技術 |
| 講師名 | 株式会社 日立製作所 研究開発グループ デジタルサービス研究統括本部 計測インテグレーションイノベーションセンタ ナノプロセス研究部 篠田 和典 氏 |
| 開催日時 | 2023年10月31日(火) 13:30〜17:30 |
| 会場 | ※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です |
| 受講料 | 【1名の場合】39,600円(税込、資料作成費用を含む) |
| 定員 | 1名 |
| 備考 | 定員:30名 ※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。 |