SiCパワー半導体開発の基礎と現状および SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状・技術課題・将来展望
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■本セミナーの主題および状況
→SiCパワー半導体は、シリコンカーバイド材料を使用して製造された電力半導体デバイスの総称であります。SiCパワー半導体デバイスの主な利点は、高温での動作、高電圧耐性、高速スイッチング、低オン抵抗、高効率などが挙げられます。これらの特性により、電力変換、再生可能エネルギー、電気自動車、鉄道、産業用電源などの多くのアプリケーションで使用され、エネルギー効率向上や高性能な電力制御を実現しております。
→SiC単結晶ウェハは、シリコンカーバイド材料から作られた単結晶の基板を指します。こちらはSiCデバイスを製造するための基盤として利用されており、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、SiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠となります。
■注目ポイント
★SiCパワー半導体開発の最前線をご紹介！
★xEVへの応用が進むSiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開についてもご解説！
★SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論！
- 関西学院大学 工学部 大谷 昇 氏
【1名の場合】39,600円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
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※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【時間】 13:00-17:00
【講師】関西学院大学 工学部 大谷 昇 氏
【講演主旨】
現状150mm口径のSiC単結晶ウェハが市販されており、ここ数年の間には200mm口径ウェハの製造・量産が開始されることがアナウンスされている。これを機にxEV向けのSiCパワーデバイスの本格量産が始まるとされる。パワー半導体向けには、その電子物性の優位性から4H-SiC単結晶ウェハが使用される。市販の4H-SiC単結晶ウェハを用いて、既に、高速・低損失のSiCショットキー障壁ダイオード（SBD）、金属–酸化膜–半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）が製造・販売され、鉄道車両や産業機器に搭載されているが、SiCパワーデバイスのさらなる高性能化・高信頼性化、そして低コスト化には、そこで使用されているSiC単結晶ウェハのさらなる高品質化・低コスト化が必要不可欠である。
本講演では、SiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開について解説し、SiC単結晶ウェハ開発において今後取り組むべき技術課題を議論する。
【プログラム】
1. SiCパワー半導体開発の背景
1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト
2. SiCパワー半導体開発の歴史
2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー
3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
3.1. SiCパワー半導体の市場
3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース
4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
4.1. SiC単結晶とは？
4.2. SiC単結晶の物性と特長
4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用
5. SiCパワーデバイスの最近の進展
5.1. SiCパワーデバイスの特長
5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用
6. SiC単結晶のバルク結晶成長
6.1. SiC単結晶成長の熱力学
6.2. 昇華再結晶法
6.3. 溶液成長法
6.4. 高温CVD法（ガス法）
6.5. その他成長法
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
7.2. SiC単結晶の切断技術
7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術
8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向
【質疑応答】
【キーワード】
SiC、パワーデバイス、単結晶ウェハ、結晶成長、結晶欠陥、オンライン、WEBセミナー
【講演のポイント】
xEVへの応用が進むSiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハの現状について分かり易く説明します。
【習得できる知識】
SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。