【講演主旨】

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【プログラム】

1. SiCパワー半導体開発の背景
　　1.1. 環境・エネルギー技術としての位置付け
　　1.2. SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2. SiCパワー半導体開発の歴史
　　2.1. SiCパワー半導体開発の黎明期
　　2.2. SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3. SiCパワー半導体開発の現状と動向
　　3.1. SiCパワー半導体の市場
　　3.2. SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　　3.3. SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4. SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　　4.1. SiC単結晶とは？
　　4.2. SiC単結晶の物性と特長
　　4.3. SiC単結晶の各種デバイス応用

5. SiCパワーデバイスの最近の進展
　　5.1. SiCパワーデバイスの特長
　　5.2. SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　　5.3. SiCパワーデバイスのシステム応用

6. SiC単結晶のバルク結晶成長
　　6.1. SiC単結晶成長の熱力学
　　6.2. 昇華再結晶法
　　6.3. 溶液成長法
　　6.4. 高温CVD法（ガス法）
　　6.5. その他成長法
　　　　　　　　
7. SiC単結晶ウェハの加工技術
　　7.1. SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　　7.2. SiC単結晶の切断技術
　　7.3. SiC単結晶ウェハの研磨技術

8. SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　　8.1. SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　　8.2. SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【質疑応答】

【キーワード】

SiC、パワーデバイス、単結晶ウェハ、結晶成長、結晶欠陥、オンライン、WEBセミナー

【講演のポイント】

xEVへの応用が進むSiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハの現状について分かり易く説明します。

【習得できる知識】

SiCパワー半導体に関する基礎知識、開発・ビジネスの概況、SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識、開発・ビジネスの概況について修得できます。