EUVリソグラフィ技術と半導体微細化に向けた最新動向
～レジスト・光源・フォトマスクブランクス・塗布現象装置の変遷と開発動向～
★2024年2月6日WEBでオンライン開講。九州大学 溝口氏、東京工業大学 鈴木氏、富士フイルム株式会社 藤森氏、東京エレクトロン株式会社 永原氏、AGC株式会社 羽根川氏の5名がEUVリソグラフィ技術と半導体微細化に向けた最新動向～レジスト・光源・フォトマスクブランクス・塗布現象装置の変遷と開発動向～について解説する講座です。
■注目ポイント★フォトレジスト材料開発、リソグラフィプロセス、国プロジェクト経験を持つ講演者が
EUVリソグラフィ用フォトレジスト材料開発の歴史、具体的事例、最新の開発動向などを解説！
- 第1部 九州大学 客員教授(元ギガフォトン株式会社 シニアフェロー） 溝口 計 氏
- 第2部 東京工業大学 物質・情報卓越教育院 産学協創教育コーディネータ 鈴木 一明 氏
- 第3部 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター シニアエキスパート 藤森 亨 氏
- 第4部 東京エレクトロン株式会社 CTSPS BU ／ シニアチーフエンジニア（Senior Director） 永原 誠司 氏
- 第5部 AGC株式会社 電子カンパニー 電子部材事業本部 アドバンストマテリアル事業部 ブランクス部 / マネージャー 羽根川 博 氏
【1名の場合】66,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題・状況・キーワード
★【EUVリソグラフィ】→微細なパターンを半導体ウェハーやその他の素材に転写するために使用される高度な微細加工技術の一種で半導体産業において次世代プロセスノード（微細化）の実現に向けて大きな期待を集めている！
★【レジスト】→半導体ウェハー上にパターンを転写するための感光性材料。
★【露光】→EUV光を使用して高い解像度と精度を持つ微細なパターンを半導体ウェハーに転写するプロセス。
■注目ポイント
★エキシマレーザーでは世界シェアNo.1（5１％）のギガフォトン社のリソグラフィ光源開発を実現した技術開発の第１人者が
EUV光源の最近の進展と将来の開発の方向性について解説！
★量産化に向けた取り組みと次世代ブランクスの開発の展望とは！？
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 高出力EUV光源の開発
【時間】 10:00-11:15
【講師】九州大学 客員教授(元ギガフォトン株式会社 シニアフェロー） 溝口 計 氏
【講演主旨】
最先端リソグラフィのフラグシップが短波長化による微細化で一律にツールが切り変わっていた時代から、複数のアプローチが共存する時代となった。すなわち；
①ロジックデバイス、DRAM：EUVまたは液浸ArF多重露光による微細化
②NAND フラッシュメモリ：KrFエキシマ露光により3D 構造化し容量アップ。前工程のルート
③GPU などの Si オンチップデバイス：パッケージング工程の微細化により中工程（Middle End Process）と呼ばれる。 こうした中で最先端デバイスの製造に欠かせないEUV光源の最近の進展と将来の開発の方向性について解説する。
【プログラム】
1. 半導体の微細化とリソグラフィ光源の進歩
1-1 微細化とリソグラフィの進化
1-2 Rayleighの式と光源の短波長化の歴史
1-3 DUV光源の狭帯域化と屈折投影光学系
1-4 多重露光技術
1-5 狭帯域化KrFエキシマレーザ
1-6 狭帯域化ArFエキシマレーザ
2．EUVリソグラフィ
2.1 EUVリソグラフィと開発の経緯
2.2 世界の露光装置開発と市場の現況
3． 高出力EUV光源の開発の経緯とコンセプト
4. 高出力EUV光源開発の進展
4.1 変換効率の向上
4.2 高出力CO2レーザの開発19)20)
4.3 磁場デブリミチゲーション
5. 量産向けEUV光源システムの開発
6. おわりに
7. 参考文献
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、半導体製造、光源、DUV、EUV、レーザー、レーザー生成プラズマ
【講演のポイント（講演者紹介）】
エキシマレーザ、EUV光源の製品化開発に長年従事。エキシマレーザーでは世界シェアNo.1（5１％）のギガフォトン社のリソグラフィ光源開発を実現した技術開発の第１人者。
＜略歴＞
1982年九州大学総合理工研究科修了。同年コマツ入社、以来CO2レーザー、エキシマレーザー、EUV光源の研究開発に従事。2000年にギガフォトン（株）創業。同社の研究開発部門の責任者を長年務めた、2008年から2018年まで同社代表取締役副社長（兼）CTOを歴任。
現在、ギガフォトン・技術顧問。九州大学システム情報科学研究院 客員教授。SPIEフェロー。IAAM会員。工学博士（1994年九州大学工学部）。日本レーザー学会 諮問委員、正会員。日本応用物理学会 正会員。
＜現在＞
会社の現役を退いた今、国内大学（九州大学）での将来リソグラフィ用短波長光源の研究プロジェクトの構築にチャレンジしている。
【習得できる知識】
短波長光源技術、レーザー技術、シミュレーション技術の応用
【第2講】 EUVリソグラフィと露光装置
【時間】 11:20-12:35
【講師】東京工業大学 物質・情報卓越教育院 産学協創教育コーディネータ 鈴木 一明 氏
【講演主旨】
半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ、半導体パターン微細化に伴うリソグラフィ用露光方式の進化の歴史を概観することで、専門外の方々にもわかりやすくEUV露光装置が登場するまでの流れを説明する。次に、投影露光装置の構成、主要性能と要素性能の関係について述べ、露光装置についての定性的理解を深めてもらう。更に、解像度に対する投影光学系、照明光学系のパラメータと露光波長の寄与ついて数式を用いて詳しく解説し、専門の方には計算の仕方を、専門外の方には計算結果の意味するところを理解してもらう。最後にEUV露光装置の特徴について述べる。
【プログラム】
１．半導体製造プロセス全体におけるリソグラフィの位置づけ
２．露光方式の進化
３．EUV露光装置のユニット構成
４．半導体露光装置の性能
（部分的コヒーレンス理論、解像度、解像度向上策、スループットを含む）
５．EUV露光装置の特徴
（多層膜ミラー、反射光学系、真空ステージを含む）
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、EUV、半導体露光装置、投影露光装置
【講演ポイント】
講演者は国内の半導体露光装置メーカにて、エキシマレーザを用いたステップ＆リピート型およびステップ＆スキャン型投影露光装置、電子ビーム投影露光装置、EUV露光装置の開発をリーディングして来たシステム設計者であり、講演を聴講することで、露光装置全般についての理解、EUV露光装置についての理解を深めることができる。
【習得できる知識】
半導体露光装置の歴史、投影露光装置の構成と性能、EUV露光装置の特徴、部分的コヒーレンス理論
【第3講】 EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷と現在の開発課題
【時間】 13:35-14:50
【講師】富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター シニアエキスパート 藤森 亨 氏
【講演主旨】
微細加工に必要なリソグラフィ技術、それを実現するための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、EUVリソグラフィの実現を迎えた。その歴史および技術的内容を整理することは、さらなる発展およびこれから従事する若手にとっても非常に重要である。EUVリソグラフィ用フォトレジストの変遷を解説し、現在では表に出てこない課題も振り返りながら、さらなる発展へとつなげていく機会としていただきたい。また、現在の本質課題であるストカスティック欠陥に関して、時間の許す限り紹介する。
【プログラム】
１．リソグラフィ微細化の歴史
２．フォトレジスト材料の変遷（順番は前後する可能性あり）
２－１. 光源にあわせて進化するレジスト材料、KrF用およびArF用化学増幅型レジスト
２－２. 化学増幅型レジストのEUVリソグラフィへの適用
２－３. 化学増幅型ネガティブトーンイメージング（ネガティブトーン現像）EUV-NTI
２－４. 微細パターン対応を鑑みた低分子型レジスト
２－５．非化学増幅型レジスト
２－６．さらなる性能向上に立ちはだかる本質課題、ストカスティック欠陥
２－７．レジストアウトガス
【質疑応答】
【キーワード】
EUV、レジスト、リソグラフィ、微細化、ムーアの法則、ネガティブトーン現像、NTD
【講演のポイント】
＜講演内容＞
EUVリソグラフィ用フォトレジスト材料開発の歴史、具体的事例、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。
＜講演者＞
フォトレジスト材料開発、リソグラフィプロセス、国プロジェクト経験など、講演者はそれらの技術に直接従事もしくは議論・プロジェクト参加した経験があり
具体的な課題・展望についての紹介が可能。
【習得できる知識】
リソグラフィ用フォトレジストとはなんぞや。
最先端EUVリソグラフィ用フォトレジスト実用化への変遷および現在の課題と解決事例。
【第4講】 EUVリソグラフィ向け塗布現象装置・プロセス技術
【時間】 14:55-15:55
【講師】東京エレクトロン株式会社 CTSPS BU ／ シニアチーフエンジニア（Senior Director） 永原 誠司 氏
【講演主旨】
半導体デバイスの回路パターンの微細化はEUVリソグラフィ技術の進展により継続している。本講演では、EUVリソグラフィに用いるEUVレジストの塗布・現像技術の概要について説明する。EUVレジストプロセスの高解像性、低ラフネスを実用レベルに維持しつつ、レジストを高感度化し、EUVリソグラフィのスループットを上げる（コストを下げる）技術を紹介する。また、パターン倒れ、レジストスカム低減などパターン欠陥を減らしてデバイスの収率を上げるための方法も紹介する。
【プログラム】
1. EUVレジストプロセスの課題
1.1 デバイスとリソグラフィトレンド
1.2 EUVリソグラフィのレジストプロセスの技術課題
2. EUVレジスト塗布・現像技術の概要
2.1 EUVリソグラフィ用レジスト塗布・露光・現像装置
2.2 EUVレジスト塗布・露光・現像の基本的な流れ
3. 化学増幅型EUVレジスト対応塗布・現像技術
3.1 化学増幅型レジストプロセスの優位点と課題
3.2 化学増幅型レジストプロセスのレジスト倒壊防止技術
4. メタルオキサイドレジスト（MOR）対応塗布・現像技術
4.1 メタルオキサイドレジストの優位点と課題
4.2 メタルオキサイドレジストのベーク技術
4.3 メタルオキサイドレジストのパターニング技術
4.4 メタルオキサイドレジストの新現像技術
4.5 メタルオキサイドレジストによる微細パターン形成例
4.6 レジストプロセス中の補助プロセスによるメタルオキサイドレジストの増感
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィ、EUVレジスト、塗布技術、現像技術、レジストプロセス技術、化学増幅型レジスト、メタルオキサイドレジスト
【講演のポイント】
本講演では、最先端のEUVレジストプロセスの基本的な技術説明と最先端のプロセス技術開発動向を説明する。特に、EUVリソグラフィを用いて製造されるデバイスの歩留まり向上や、低コスト化に貢献できる塗布・現像技術の進展を説明する。
【習得できる知識】
EUVレジストプロセス、レジスト塗布現像技術、最先端レジストプロセス技術開発動向
【第5講】 EUV露光用フォトマスクブランクスの開発と量産化に向けた取り組み
【時間】 16:00-16:30
【講師】AGC株式会社 電子カンパニー 電子部材事業本部 アドバンストマテリアル事業部 ブランクス部 / マネージャー 羽根川 博 氏
【講演主旨】
EUVL(極端紫外光リソグラフィ)に用いられる露光光は波長13.5nm近傍の光であり、露光光に対して透明な物質は存在しない。そのため、マスクを含む露光システム内の光学系には、反射光学系が採用されており、マスクに求められる特性は透過型マスクと比較し大きく異なる。要求特性の大きな変化は、ブランクス構造の複雑さを生み、量産化に向けた大きなハードルとなっていた。本講演では、量産化に向けた取り組みと次世代ブランクスの開発の展望について、ご紹介させていただく。
【プログラム】
1. EUVマスクブランクスの特徴と技術課題
2. EUVマスクブランクス量産化に向けた取り組み
3. 次世代EUVマスクブランクスの開発
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィ、マスクブランクス、位相シフトマスク
【習得できる知識】
EUVマスクブランクスの基礎知識、次世代EUVマスクブランクスの開発展望