【講演主旨】

※お時間は多少前後する可能性がございます。予めご承知おき下さいませ。

　遅くとも第1部開始の10～15分前までには会場にお越しくださいませ。

【13:00-13:50】　第１部　「EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像」

庫県立大学　渡邊　健夫　氏

【14:00-14:50】　第2部　「EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～」

鴨志田技術事務所　鴨志田　洋一　氏

【15:00-15:50】　第3部　「EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発」

富士フイルム株式会社　藤森　亨　氏

【16:30-17:30】　第4部　「NewSUBARU放射光施設」見学

※第4部が終了しましたらそのまま現地での解散となります。

【プログラム】

※現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

１．半導体市場動向
２．IRDS国際ロードマップの概要
３．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
４．EUVリソグラフィ技術課題
５．明期のEUVリソグラフィ技術
６．EUVL用露光機
７．EUVマスク欠陥検査技術
８．EUVペリクル評価
９．EUVレジスト材料プロセス技術
１０．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
１１．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
１２．日本半導体復活に向けたシナリオ
１３．まとめ

【質疑応答】

【キーワード】

IRDS国際ロードマップの概要、EUVリソグラフィ技術、EUV露光機、EUVマスク欠陥検査技術の基礎、EUVペリクル、EUVレジスト材料プロセス技術、日本半導体復活に向けたシナリオ

【講演のポイント】

1990年にシャープ（株）中央研究所に入社し、各種半導体微細加工技術に従事し、1993年以来EUVリソグラフィ技術開発に従事してきた。1996年より姫路工業大学（現、兵庫県立大学）高度産業科学技術研究所でニュースバル放射光施設でEUVリソグラフィの基盤技術開発を進め、これまで４つの国家プロジェクトを推進し、国内外の多くの企業との共同研究を推進したきた。その結果、2019年のEUVLの量産技術開発に大きく貢献してきた。今後の微細加工技術の進展貢献しているEUVL技術開発の第一人者である。

【習得できる知識】

・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎

【講演主旨】

※お時間は多少前後する可能性がございます。予めご承知おき下さいませ。

　遅くとも第1部開始の10～15分前までには会場にお越しくださいませ。

【13:00-13:50】　第１部　「EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像」

庫県立大学　渡邊　健夫　氏

【14:00-14:50】　第2部　「EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～」

鴨志田技術事務所　鴨志田　洋一　氏

【15:00-15:50】　第3部　「EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発」

富士フイルム株式会社　藤森　亨　氏

【16:30-17:30】　第4部　「NewSUBARU放射光施設」見学

※第4部が終了しましたらそのまま現地での解散となります。

【プログラム】

１． 技術パラダイムシフトと半導体集積回路
　　　1-1. 技術パラダイムシフトと産業発展
　　　1-2. マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
　　　1-3. MEの黎明期とフォトレジスト
　　　　　　フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出、
　　　　　　
２． フォトレジストのイノベーション
　　　2-1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
　　　　　　リソグラフィプロセスの確立／フォトレジスト開発の推移／ 基本的構造及び製造法の進化
　　　2-2. ノボラック系ポジ型レジスト
　　　　　　基本的組成／レジストの透明性と解像度／ i-線レジスト
　　　2-3．エキシマレーザリソグラフィ　　
　　　　　　KrFレジスト／ArFレジスト／液浸リソグラフィ
　　　　　
３． EUVリソグラフィ
　　　3-1. 光源・露光機の開発
　　　3-2. レジスト開発
　　　　　　開発現状と課題／LERの要因と対応
　　　3-3．無機レジスト
　　　　　　感度・解像度／保存安定性
　　　3-4．EUVLの課題
　　　　　　光源／露光装置／マスク／レジスト／評価装置
　　　　　　
４． 今後の展望
　　　4-1．高解像度化と現像プロセス
　　　　　　現像過程での膨潤と解像度
　　　4-2．今後のパターン形成プロセス
　　　4-3．ナノインプリント技術の実用化　

５． 科学技術と社会(半導体と人間)
　　　5-1. 科学技術と社会
　　　　　　地球規模の課題と科学技術/半導体

６． 国の安全保障の根幹を担う半導体産業
　　　6-1．半導体産業の重要性
　　　6-2．日本および世界の半導体産業の現状
　　　6-3．経産省の戦略
　　　6-4．再生のための論点　

７． 効率的にイノベーションを創出するために
　　　知的財産戦略とMOT

８． まとめ

【質疑応答】

【キーワード】

レジスト,リソグラフィ,微細,材料,半導体,デバイス,WEB,セミナー,講演,研修，無機レジスト,イノベーション,フォトポリマー

【講演のポイント】

　EUVリソグラフィに至る、これまでの技術・材料開発の事例を俯瞰し、現状のリソグラフィの課題を整理するとともに、今後の効率的な技術開発の方向性を考察する。
　さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて、半導体産業が果たすべき役割を考察し、日本および世界の半導体産業の現状を整理し、日本の半導体産業再生のための今後の施策を模索する。

【習得できる知識】
　レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程を知ることができる。
　技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用が可能となる。
　さらに、社会における半導体の位置づけ、日本の半導体産業の現状と課題を理解し、今後の展望を考えることができる。

【講演主旨】

※お時間は多少前後する可能性がございます。予めご承知おき下さいませ。

　遅くとも第1部開始の10～15分前までには会場にお越しくださいませ。

【13:00-13:50】　第１部　「EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像」

庫県立大学　渡邊　健夫　氏

【14:00-14:50】　第2部　「EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～」

鴨志田技術事務所　鴨志田　洋一　氏

【15:00-15:50】　第3部　「EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発」

富士フイルム株式会社　藤森　亨　氏

【16:30-17:30】　第4部　「NewSUBARU放射光施設」見学

※第4部が終了しましたらそのまま現地での解散となります。

【プログラム】

※現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。

1．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
　　　　アナログからデジタルへ
2．リソグラフィ微細化の歴史
　2-1　ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
　2-2　EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィの延命
　2-3　ArF液浸リソグラフィ延命の切札、
　　　　　富士フイルムによるNegative tone imaging（NTI）技術の発明
3．EUVリソグラフィ
　3-1　EUVリソグラフィの歴史　
　3-2　国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）出向時の
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　EUVリソグラフィ要素開発の経験紹介
　（アウトガス問題の解決と世界アライン、メタルレジストの技術開発）
　3-3　EUVレジスト最新動向、技術開発の紹介
　　　　　ストカスティック因子低減と量産適用に対する開発、
　　　　　　　　　　　　　NTI技術のEUVリソグラフィへの適用

【質疑応答】

【キーワード】

EUVレジスト、化学増幅型レジスト、メタルレジスト、アウトガス、ストカスティック、ネガティブトーンイメージング、NTI

【講演のポイント】

フォトレジスト材料開発

【習得できる知識】

リソグラフィの基礎、フォトレジスト材料の歴史、最新動向に関する知識