EUVリソグラフィおよびレジスト開発の概要、Beyond EUVLへの将来展望
～半導体の更なる微細化・高解像度と目指すべき半導体業界の将来像～
★2024年1月23日会場運営セミナー。兵庫県立大学 渡邊 健夫 氏、鴨志田技術事務所 鴨志田 洋一 氏、富士フイルム株式会社 藤森 亨 氏の3名がEUVリソグラフィおよびレジスト開発の概要、Beyond EUVLへの将来展望～半導体の更なる微細化・高解像度と目指すべき半導体業界の将来像～について解説する講座です。
※会場の都合もあり、１/１9(金)で参加申し込みを締め切らせていただきます。
※定員に達した場合も参加申し込みを締め切らせていただきます。
★第1講にご登壇いただく兵庫県立大学の渡邊健夫先生のご厚意により、講演会終了後に【NewSUBARU放射光施設】の見学を実施する予定となっております。
★【NewSUBARU放射光施設】には次世代のEUVリソグラフィにおいて重要開発課題であるレジストとEUVマスクを評価するためのビームラインを配置しており、施設見学とご講演の聴講により、「EUVリソグラフィ」への理解を深めていただくねらいがございます。
★講師の先生方の他に、リソテックジャパン株式会社の関口 淳 様にオブザーバーとしてご参加いただく予定となっております。
■本セミナーのねらいおよび主題
★【レジスト】は、半導体ウェハー上にパターンを転写するための感光性材料であり、EUV光がレジストに当たるとレジストが化学的に変化し、微細なパターンが形成されます。
■注目ポイント
★今後の微細加工技術の進展貢献しているEUVL技術開発の第一人者である講師が、黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性について紹介！
★レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などのイノベーションの創出過程を紹介！
★フォトレジスト材料の微細化の歴史および究極の微細化とまで言われているEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発について解説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、現地会場での開催の講座になります≫
- 第1部 兵庫県公立大学法人兵庫県立大学 名誉教授 特任教授 社会価値創造機構 渡邊 健夫 氏
- 第2部 鴨志田技術事務所 代表（元JSR(株)／神奈川大学）、フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー 鴨志田 洋一 氏
- 第3部 富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター シニアエキスパート 藤森 亨 氏
【1名の場合】55,000円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：20名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ 当日会場にお越しになった際、参加者確認を行いますので、弊社担当の者にご自身のお名刺をご提示ください。参加者は、途中変更も可能です。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
※ 資料は電子配布のみでのご提供となります。必要であればご自身でダウンロードして当日ご持参下さい。
【予定スケジュール】
※お時間は多少前後する可能性がございます。予めご承知おき下さいませ。
遅くとも第1部開始の10～15分前までには会場にお越しくださいませ。
【13:00-13:50】 第１部 「EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像」
庫県立大学 渡邊 健夫 氏
【14:00-14:50】 第2部 「EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～」
鴨志田技術事務所 鴨志田 洋一 氏
【15:00-15:50】 第3部 「EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発」
富士フイルム株式会社 藤森 亨 氏
【16:30-17:30】 第4部 「NewSUBARU放射光施設」見学
※第4部が終了しましたらそのまま現地での解散となります。
【第1講】 EUVリソグラフィの概要とBeyond EUVへの将来展望および目指すべき半導体業界の将来像（仮題）
【時間】 13:00-13:50
【講師】兵庫県公立大学法人兵庫県立大学 名誉教授 特任教授 社会価値創造機構 渡邊 健夫 氏
【講演主旨】
※現在、講師の先生に最新のご講演主旨をご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
EUVリソグラフィ(EUVL)は2019年より7nmロジックデバイスの量産技術として適用が開始された。半導体の前工程であるEUVLは微細加工に必須の技術となっており、IRDS国際ロードマップのとおり、2037年の0.5nmロジックデバイスの量産までEUVLが適用され、MOSトランジスター構造の３次元化に大きく貢献をしている。講演では黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長であるbeyond EUVLの可能性について紹介する。また、半導体技術は国家安全保障や経済安全保障上重要な技術であり、日本の半導体復活へのシナリオについても言及します。
【プログラム】
※現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
１．半導体市場動向
２．IRDS国際ロードマップの概要
３．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
４．EUVリソグラフィ技術課題
５．明期のEUVリソグラフィ技術
６．EUVL用露光機
７．EUVマスク欠陥検査技術
８．EUVペリクル評価
９．EUVレジスト材料プロセス技術
１０．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
１１．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
１２．日本半導体復活に向けたシナリオ
１３．まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
IRDS国際ロードマップの概要、EUVリソグラフィ技術、EUV露光機、EUVマスク欠陥検査技術の基礎、EUVペリクル、EUVレジスト材料プロセス技術、日本半導体復活に向けたシナリオ
【講演のポイント】
1990年にシャープ（株）中央研究所に入社し、各種半導体微細加工技術に従事し、1993年以来EUVリソグラフィ技術開発に従事してきた。1996年より姫路工業大学（現、兵庫県立大学）高度産業科学技術研究所でニュースバル放射光施設でEUVリソグラフィの基盤技術開発を進め、これまで４つの国家プロジェクトを推進し、国内外の多くの企業との共同研究を推進したきた。その結果、2019年のEUVLの量産技術開発に大きく貢献してきた。今後の微細加工技術の進展貢献しているEUVL技術開発の第一人者である。
【習得できる知識】
・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎
【第2講】 EUVリソグラフィ技術～レジスト材料の基礎と微細化・高解像度化に向けた技術革新、 今後の展望および日本の半導体産業再生のための取り組み～
【時間】 14:00-14:50
【講師】鴨志田技術事務所 代表（元JSR(株)／神奈川大学）、フォトポリマー懇話会顧問、高分子学会フェロー 鴨志田 洋一 氏
【講演主旨】
今日の情報化社会は、マイクロエレクトロニクス(ME)の発展に支えられている。MEは、1950年代に集積回路(IC)が開発されて以来、大規模集積回路(LSI)のパターンの微細化、高集積化、すなわちメモリー大容量化の方向で、一貫して発展してきている。あわせて情報処理の高速化、低価格化も実現してきた。今後もメモリーの大容量化およびシステムLSIの高性能化の流れは止まりそうにないと予測されている。このような流れの中で、フォトリソグラフィの進歩はフォトレジストなどの材料開発が中心軸となってMEの発展に寄与してきたが、これらの材料をうまく使いこなす露光装置を中心としたハードウェア、プロセス技術の進歩も著しいものがある。
レジスト材料の開発はパターンの微細化、高解像度化が中心で、これは主として露光に用いる光の波長を短くすることで実現されてきた。ここまではさまざまな選択肢、さまざまな試行など、紆余曲折はあったものの、結果として振り返ってみれば、それまでの技術の延長線上で進んできている。1970年代から40年余りの短い時間に次のような大きな技術変革を経験している。
1)コンタクトアライナーによるリソグラフィ技術の確立
2)投影露光方式の導入
3)化学増幅型レジスト／エキシマレーザ光源の採用
4)EUV光源の採用など
それぞれのステップで多くのイノベーションが創出され課題を克服してきたわけである。ここでは、これまでの技術・材料開発の事例をまとめ、EVUリソグラフィを中心として、今後の効率的な技術開発への指針とする。
さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて半導体産業が果たす役割を考察し、日本の半導体産業の現状と課題を整理し、今後の展開の指針としたい。
【プログラム】
１． 技術パラダイムシフトと半導体集積回路
1-1. 技術パラダイムシフトと産業発展
1-2. マイクロエレクトロニクス(ME)と社会
1-3. MEの黎明期とフォトレジスト
フォトレジスト開発の必然性とイノベーションの創出、
２． フォトレジストのイノベーション
2-1. ゴム系ネガ型フォトレジスト
リソグラフィプロセスの確立／フォトレジスト開発の推移／ 基本的構造及び製造法の進化
2-2. ノボラック系ポジ型レジスト
基本的組成／レジストの透明性と解像度／ i-線レジスト
2-3．エキシマレーザリソグラフィ
KrFレジスト／ArFレジスト／液浸リソグラフィ
３． EUVリソグラフィ
3-1. 光源・露光機の開発
3-2. レジスト開発
開発現状と課題／LERの要因と対応
3-3．無機レジスト
感度・解像度／保存安定性
3-4．EUVLの課題
光源／露光装置／マスク／レジスト／評価装置
４． 今後の展望
4-1．高解像度化と現像プロセス
現像過程での膨潤と解像度
4-2．今後のパターン形成プロセス
4-3．ナノインプリント技術の実用化
５． 科学技術と社会(半導体と人間)
5-1. 科学技術と社会
地球規模の課題と科学技術/半導体
６． 国の安全保障の根幹を担う半導体産業
6-1．半導体産業の重要性
6-2．日本および世界の半導体産業の現状
6-3．経産省の戦略
6-4．再生のための論点
７． 効率的にイノベーションを創出するために
知的財産戦略とMOT
８． まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
レジスト,リソグラフィ,微細,材料,半導体,デバイス,WEB,セミナー,講演,研修，無機レジスト,イノベーション,フォトポリマー
【講演のポイント】
EUVリソグラフィに至る、これまでの技術・材料開発の事例を俯瞰し、現状のリソグラフィの課題を整理するとともに、今後の効率的な技術開発の方向性を考察する。
さらに、科学技術の進歩の負の側面として顕在化してきている地球規模の課題の解決に向けて、半導体産業が果たすべき役割を考察し、日本および世界の半導体産業の現状を整理し、日本の半導体産業再生のための今後の施策を模索する。
【習得できる知識】
レジスト・リソグラフィ技術の基礎と技術開発の必然性、マイクロエレクトロニクスの高密度化、高速化、低コスト化に伴うリソグラフィ技術の微細化・レジストの高解像度化などの高品位化の歴史的変遷およびイノベーションの創出過程を知ることができる。
技術・レジスト材料開発の実例を学ぶことにより、効率的な技術開発・不良防止・トラブル対策への応用が可能となる。
さらに、社会における半導体の位置づけ、日本の半導体産業の現状と課題を理解し、今後の展望を考えることができる。
【第3講】 EUVリソグラフィ用フォトレジスト開発（仮題）
【時間】 15:00-15:50
【講師】富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター シニアエキスパート 藤森 亨 氏
【講演主旨】
※現在、講師の先生に最新のご講演主旨をご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
昨今、私たちは新たなデジタル社会を迎え入れようとしている。世の中で頻繁にその言葉を耳にするSociety 5.0、IOT、AIの発展に対し、さらなる電子デバイスの高速化、大容量化、省電力化が求められており、その勢いはとどまるところを知らない。その実現に不可欠なのがリソグラフィの微細化であり、それに必要なフォトレジスト材料の開発である。フォトレジスト材料の微細化の歴史および究極の微細化とまで言われているEUVリソグラフィ用フォトレジスト材料の開発について解説する。
【プログラム】
※現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご作成いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
1．私たちの世の中を取り巻く環境の変化
アナログからデジタルへ
2．リソグラフィ微細化の歴史
2-1 ムーアの法則を実現する露光波長短波化によるリソグラフィの微細化
2-2 EUVリソグラフィ実用化困難時代に生まれたArF液浸リソグラフィの延命
2-3 ArF液浸リソグラフィ延命の切札、
富士フイルムによるNegative tone imaging（NTI）技術の発明
3．EUVリソグラフィ
3-1 EUVリソグラフィの歴史
3-2 国家プロジェクトであるEIDEC（EUVL基盤開発センター）出向時の
EUVリソグラフィ要素開発の経験紹介
（アウトガス問題の解決と世界アライン、メタルレジストの技術開発）
3-3 EUVレジスト最新動向、技術開発の紹介
ストカスティック因子低減と量産適用に対する開発、
NTI技術のEUVリソグラフィへの適用
【質疑応答】
【キーワード】
EUVレジスト、化学増幅型レジスト、メタルレジスト、アウトガス、ストカスティック、ネガティブトーンイメージング、NTI
【講演のポイント】
フォトレジスト材料開発
【習得できる知識】
リソグラフィの基礎、フォトレジスト材料の歴史、最新動向に関する知識
アクセスマップ
【公共交通機関をご利用の方】
新幹線・山陽本線相生駅からバスで約25分
新幹線・山陽本線姫路駅からバスで約１時間
上郡駅からバスで約25分
播磨新宮駅からバスで約20分
【お車をご利用の方】
中国自動車道
山崎インターチェンジから県道山崎新宮線及び国道179号線経由で約35分
佐用インターチェンジから国道373号線及び国道179号線経由で約20分
山陽自動車道
竜野西インターチェンジから県道姫路上郡線経由で約25分
播磨自動車道播磨新宮インターチェンジから約3分
※会場までの地図・道順はこちら