次世代レジストにおける技術開発動向・設計と反応機構・性能評価
～フォトレジスト、EUV対応、メタルレジスト・ブロック共重合体（BCP）の自己組織化構造の活用～
★2024年3月14日WEBでオンライン開講。関西大学 工藤氏、量子科学技術研究開発機構 山本氏、リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 関口氏、東京応化工業株式会社 太宰氏の4名が次世代レジストにおける技術開発動向・設計と反応機構・性能評価～フォトレジスト、EUV対応、メタルレジスト・ブロック共重合体（BCP）の自己組織化構造の活用～について解説する講座です。
■注目ポイント★EUV用レジスト材料の反応機構と反応機構に基づいた高性能化、メタルレジスト材料の性能評価研究について紹介！
- 第1部 関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 工藤 宏人 氏
- 第2部 量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター／主幹研究員 山本 洋揮 氏
- 第3部 リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
- 第4部 東京応化工業株式会社 開発本部 リソグラフィープロセス材料研究グループ 課長 太宰 尚宏 氏
【1名の場合】55,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★【レジスト】→半導体ウェハー上にパターンを転写するための感光性材料。
★最新のレジスト材料としては分子レジスト、非化学増幅型レジストをはじめ次世代レジストと目される【メタルレジスト】に注目！
★【ブロック共重合体（BCP）】→低コストで極微細パターンを形成しようという試みとして分子の自己組織化などのボトムアップ技術を活用する方法に注目！
■注目ポイント
★KrF、ArF、EB、およびEUVレジスト材料の合成例と分子設計指針について基礎から応用まで解説！
★EUV用レジスト材料の反応機構と反応機構に基づいた高性能化、メタルレジスト材料の性能評価研究について紹介！
★ブロック共重合体BCPを用いたDSAパターニング技術について紹介！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 高感度化フォトレジスト材料の入門～化学増幅型レジストからメタルレジストまでの基礎から・材料の設計と開発・評価～（仮題）
【時間】 10:30-11:45
【講師】関西大学 化学生命工学部 化学・物質工学科 教授 工藤 宏人 氏
【講演主旨】
※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
フォトレジスト材料は、化学増幅型システムを基盤として、露光システムの変遷と共に進化してきた。前半は、その進化の変遷について、高分子や低分子を用いたレジスト材料の開発について、基礎的な原理を交えて解説する。続いて、KrF、ArF、EB、およびEUVレジスト材料の合成例と分子設計指針について基礎から応用までを解説し、レジスト材料の基礎的な評価方法から、新規なレジスト材料の開発方法について解説する。さらに後半では、最新のレジスト材料としてEUVレジスト材料（分子レジスト、非化学増幅型レジスト、メタルレジスト）について解説する。
【プログラム】
※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
1.レジスト材料(基礎)
1.1 原理
1.2 合成例
1.3 最新の化学増幅型
2.ポジ型レジスト材料(基礎)
2.1 合成方法
2.2 評価方法
3.ネガ型レジスト材料(基礎)
3.1 合成方法
3.2 評価方法
4.高分子レジスト材料と低分子レジスト(基礎と応用)
4.1 合成方法
4.2 評価方法
5.EUVレジスト材料の評価方法と開発方法の実例(基礎と応用)
6.最新型レジスト材料(メタルレジスト、EB、EUV用レジスト材料)(応用と発展)
【質疑応答】
【キーワード】
レジスト材料、ポジ型、ネガ型、極端紫外線レジスト、メタルレジスト、レジスト材料の高感度化
【講演のポイント】
レジスト材料の合成方法は、基本的な有機合成化学や高分子合成化学の理論と実験方法の組みあわせであり、特別な合成法は必要ない。どのような分子を設計すればよいのかを、使用するレジストシステムを理解すれば、一般艇な研究し設備があれば容易に新しいレジスト材料は合成可能である。合成したレジスト材料が、高性能になる理由を解説し、新規レジスト材料の分子設計指針について考察を加える。
【習得できる知識】
・レジストシステムとレジスト材料について
・化学増幅型レジストシステムについて
・極端紫外線（EUV）レジストについて
・メタルレジストについて
・最先端のレジスト材料の課題について
【第2講】 EUVレジスト材料の反応機構、高性能化と メタルレジスト材料の性能評価
【時間】 12:45-14:00
【講師】量子科学技術研究開発機構 高崎量子応用研究所 量子機能創製研究センター／主幹研究員 山本 洋揮 氏
【講演主旨】
コンピュータ性能の更なる向上が要求されている半導体分野において、EUVリソグラフィが実現された。本講演では、EUV用レジスト材料の反応機構およびEUVレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化にについて解説します。特に、メタルレジスト材料の性能評価に関する研究について最近の研究成果を挙げながら紹介する。
【プログラム】
１．はじめに
1.1 リソグラフィ工程とリソグラフィ技術の変遷
1.2 EUVリソグラフィの現状と課題
1.3 EUVリソグラフィレジスト評価システム
２．EUV/EBレジストの反応機構
2.1 EUV/EBリソグラフィ用化学増幅型レジストの反応機構
2.2 EUV/EBレジスト材料の反応機構に基づいた高性能化
2.3 次世代リソグラフィ用レジスト材料の要求特性
2.4 ＥＵＶ/EB化学増幅型レジストの問題点
2.5 ＥＵＶ/EBレジストの設計指針
３．メタルレジスト材料の性能評価
3.1 EUVリソグラフィ用メタルレジストの概要
3.2 放射線による金属ナノ粒子の形成メカニズムに基づいた有機無機ハイブリッドパターン形成
3.3 メタル化合物の添加によるEUVレジストの高感度化
3.4 メタルレジスト材料の性能評価
４．今後の課題
【質疑応答】
【第3講】 EUVレジスト、メタルレジストの評価技術（仮題）
【時間】 14:10-15:25
【講師】リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
【講演主旨】
※現在講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。
【プログラム】
※現在講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
１．EUVLの概要
1.1 EUVLの概要
1.2 EUVL用レジスト
２．アウトガス評価技術
2.1 EUVLレジストのアウトガス評価方法
2.2 EUVLレジストのアウトガス評価装置
３．EUVレジストの評価技術
3.1 EUV透過率測定
3.2 ナノパーティクル添加レジストの高感度化
3.3 屈折率nk測定
3.4 EUV2光束干渉露光
４．EUVメタルレジストの評価技術
4.1 メタルレジストの概要
4.2 EUVメタルレジストのアウトガス分析
4.3 EUVメタルレジストの問題点
５．EUVフォトレジストと電子線レジストの感度
【質疑応答】
【第4講】 ブロック共重合体の次世代半導体リソグラフィ技術への展開
【時間】 15:35-16:50
【講師】東京応化工業株式会社 開発本部 リソグラフィープロセス材料研究グループ 課長 太宰 尚宏 氏
【講演主旨】
フォトリソグラフィにおいて解像可能な最小の配線幅は露光光源の波長に比例するため、微細化に向け露光光源の短波長化が進んでいる。Sub-10nmの解像性を実現するため既存フォトリソグラフィに代わる技術開発が期待され、EUV露光技術を中心とし量産適用に向け研究開発が進んでいる。一方で分子の自己組織化などのボトムアップ技術を用い極微細パターンを形成する技術して注目を浴びているのがブロック共重合体（BCP）の自己組織化構造を利用したDSAによるリソグラフィ技術であり、研究レベルから工業化に向け大きな進歩を遂げている。本講演ではBCPを用いたDSAパターニング技術について紹介するとともに、BCPの次世代微細加工用レジストへの展開を見据えた最近の研究例について紹介する。
【プログラム】
１．DSA技術の基礎
２．DSAパターン形成に必要な材料
３．自己組織化から誘導自己組織化へ
４．DSA技術のメリット
５．DSA技術の課題
６．次世代DSA技術 High-chi材料
【質疑応答】
【キーワード】
レジスト、リソグラフィ、自己組織化、DSA、ブロック共重合体、EUV、微細化、High-χ
【講演のポイント】
DSAパターニングの基礎から、必要な材料、具体的なパターニング方法、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。
【習得できる知識】
DSAパターニングの基礎から、必要な材料、具体的なパターニング方法、最新の開発動向など技術上の課題を解説する。