【プログラム】

1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
　1-1　パワエレ&パワーデバイスの仕事
　1-2　パワーデバイスの種類と基本構造。なぜMOSFET・IGBTがパワーデバイスの主役なのか
　1-3　パワーデバイスを使うお客様は何を望んでいるのか
2．最強のライバルであるシリコンMOSFET・IGBTの進展と課題
　2-1　パワーデバイス市場の現在と10年後
　2-2   MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
　2-3　次世代IGBTを支える三つの技術
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
　3-1　なぜSiCがワイドバンドギャップ半導体のトップランナになれたのか？
　3-2　SiCのSiに対する利点
　3-3　SiC-MOSFET拡販のための4つの課題
　3-4　SiC-MOSFETのコストダウン実現のための技術は？
　3-5　最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題　
　4-1　GaNデバイス構造は横型が主流。
　4-2　GaN-HEMTの特徴と課題
　4-3　GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
　4-4　縦型GaNデバイスの最新動向
5．高温対応実装技術
　5-1　高温動作ができると何がいいのか
　5-2　SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
　5-3　ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
【質疑応答】

【キーワード】
xEV向けパワー半導体、シリコンMOSFET、シリコンIGBT、SiC/GaNパワーデバイス、実装技術

【講演のPRポイント】

自動車電動化（xEV化）の進展に向けた最新パワー半導体ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならにSiCパワー半導体技術開発の動向を詳細に解説する。

【習得できる知識】

パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向。シリコンパワー半導体デバイスの強み、SiC/GaNパワー半導体デバイスの特徴と課題。シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術、など。

【プログラム】

1.パワー半導体の用途
2.パワー半導体の基本動作
3.パワー半導体の発展と課題
4.パワー半導体の構造とその特長
5.パワー半導体の性能限界
6.SiCパワーデバイスの構造とその特徴
7.GaNパワーデバイスの構造とその特徴
8.パワー半導体と用途の関係（現行/次世代）
【質疑応答】

【キーワード】
パワーデバイス、パワーMOSFET、IGBT、SiC-MOSFET、GaN-HEMT

【講演ポイント】
シリコンパワー半導体、SICパワー半導体とこれらを駆動するためのICプロセス開発、そしてこれらをパッケージして商品として仕上げる領域、これらすべてに実務として関わってきましたので、この経験を踏まえ、パワー半導体の技術、製品開発の実態にせまる話にフォーカス致します。

【習得できる知識】
・パワーデバイスの基本的動作とその理由
・パワーデバイスにおける性能改善の方向性
・今注目されている化合物系パワー半導体とは何か？なぜ性能が良いのか？
・化合物系パワー半導体がこれから普及しているアプリケーション

【プログラム】

高電圧スイッチモジュール、高電圧直流電源

【講演のポイント】

SiCパワーデバイスの特性を最大限活かすことで、これまで半導体では実現が難しかった超高電圧機器への応用が実現。

【習得できる知識】

SiCパワーデバイスの直列接続特性
高電圧機器の発展状況
SiCによる半導体応用の広がり