【 LIVE配信・WEBセミナー】

半導体パッケージにおけるチップレット化技術と対応する部材・接合材料

★2024年3月27日WEBでオンライン開講。東京工業大学 栗田 洋一郎 氏、三井化学株式会社 茅場 靖剛 氏、株式会社レゾナック 中村 幸雄 氏の3名が半導体パッケージにおけるチップレット化技術と対応する部材・接合材料について解説する講座です。

■注目ポイント

★チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合における課題と、提案されている各種解決方法について解説!

★低熱膨張積層材料の最新の開発状況と関連する高機能積層板の特性、開発の方向性について紹介!

セミナー番号
S240324
セミナー名
半導体パッケージ チップレット化
講師名
  • 第1部  東京工業大学  科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 特任教授  栗田 洋一郎 氏
  • 第2部  三井化学株式会社  ICTソリューション研究センター  茅場 靖剛 氏
  • 第3部  株式会社レゾナック  エレクトロニクス事業本部 開発センター 積層材料開発部  中村 幸雄 氏
開催日
2024年03月27日(水) 13:00-17:20
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)

2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。


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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況

★人工知能やデジタルトランスフォーメーションなどの急激な普及に伴い、半導体集積回路(IC)の性能向上の要求がこれまで以上に高まっている。

★2.5D実装、Chipletなど、さまざまな実装技術の提案が進んでいるが、これらの実装形態の実現にはサブストレートがその機能を十分に発揮する必要がある。

■注目ポイント

★チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合における課題と、提案されている各種解決方法について解説!

★低熱膨張積層材料の最新の開発状況と関連する高機能積層板の特性、開発の方向性について紹介!

講座担当:枩西 洋佑


≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【第1講】 チップレット集積技術の現状と最新動向(仮)

【時間】 13:00-14:30

【講師】東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所 特任教授 栗田 洋一郎 氏

【講演主旨】

※現在作成中でございます。

【プログラム】

※現在作成中でございます。

【第2講】 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合用 新規接合材料の開発

【時間】 14:40-15:55

【講師】三井化学株式会社 ICTソリューション研究センター 茅場 靖剛 氏

【講演主旨】

 人工知能やデジタルトランスフォーメーションなどの急激な普及に伴い、大量のデータを高速で処理する必要があり、半導体集積回路(IC)の性能向上の要求がこれまで以上に高まっている。ICの高性能化手法として、従来のトランジスタ微細化による手法と並び、ICチップの3次元積層手法が重要な技術となりつつある。3次元ICチップ積層では、はんだ接合が用いられてきたが、チップ間の広帯域データ通信のため、20μm以下の狭ピッチ電極でチップ同士を電気的に接続出来るCu-Cuハイブリッド接合技術の実現が望まれている。本講座では、チップオンウェハでCu-Cuハイブリッド接合を実現する際の課題と最近の技術開発状況、および弊社の開発した新規接合材料について講演を行う。

【講演キーワード】

Cu-Cuハイブリッド接合、チップレット、チップオンウェハ、3D積層、2.5D/3D、ヘテロ集積

【講演ポイント】

講演者は、半導体デバイス用材料のみでなく、実装プロセスの研究開発にも従事している。本講演では、チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合における課題と、提案されている各種解決方法について講演者の知見を基に解説を行う。

【習得できる知識】

・チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合の基礎から最近の技術開発動向までを学ぶことが出来ます。

・無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題について学ぶことが出来ます。

・弊社開発の新規接合材料の特性について学ぶことが出来ます。

【プログラム】

1.チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合概論

 1.1 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合が必要とされる技術背景

 1.2 チップオンウェハCu-Cuハイブリッド接合プロセスと課題

 1.3 各種ダイシング方法(ブレード、ステルス、プラズマ)

 1.4 チップ接合方法(ダイレクトプレイスメント、コレクティブ、ギャップフィル)

 1.5 最近のデバイス開発例(ロジック、メモリー)

 1.6 まとめ

2.弊社開発新規接合材料のご紹介

 2.1 無機接合材料と有機接合材料の特徴と課題

 2.2 弊社開発接合材料のコンセプト

 2.3 コンセプトの検証

 2.4 材料の信頼性

 2.5 まとめ

【質疑応答】



【第3講】 先端パッケージ・サブストレートを支える有機基材の最新動向

【時間】 16:05-17:20

【講師】株式会社レゾナック エレクトロニクス事業本部 開発センター 積層材料開発部 中村 幸雄 氏

【講演主旨】

 近年のIoTやAI、自動運転、更には5G、Beyond 5Gといった情報通信システムの普及により、高度情報処理の進展が加速、半導体デバイスでは高機能/高性能化のため、高集積/高密度化が進んでいる。それらの実現に向けて2.XD実装、Chipletなど、さまざまな実装技術の提案が進んでいるが、これらの実装形態の実現にはサブストレートがその機能を十分に発揮する必要がある。一方、複雑化する実装方式、大型化するサブストレートが必要となることにより、実装工程中でのそりの顕在化、さらには実装歩留の低下など、多くの課題に直面している。レゾナックでは、こうした大型サブストレートでの課題を解決するため、これら先端パッケージ基板向けに低熱膨張積層材料をラインナップしている。

 本講演では、こうした低熱膨張積層材料の最新の開発状況と関連する高機能積層板の特性、開発の方向性について紹介する。

【キーワード】

2.XD、3Dパッケージ用基材、ガラスコア対抗有機基材、開発動向

【講演ポイント】

半導体デバイスでは高機能/高性能化のため、2.XD実装、Chipletなどの実装技術の提案が進んでいるが、これらの実装形態の実現にはサブストレート特性が重要になる。次世代有機基材の方向性について解説する。

【習得できる知識】

・2.XD実装、Chipletなどの実装技術の実現に必要なサブストレート特性

・次世代大型パッケージ用有機基材の技術の方向性を把握できる。

【プログラム】

1.市場動向、ロードマップ

 1.1 市場動向

 1.2 技術ロードマップ、次世代先端パッケージにおける技術トレンド

2.コア材に求められる特性

 2.1 コア材とは

 2.2 2.XD、3Dパッケージングにおける課題

 2.3 コア材に求められる特性とは

3.最新の低熱膨張コアの紹介

 3.1 低熱膨張・高弾性コア材のラインナップ

 3.2 自社低熱膨張コア材の一般特性

 3.3 1次実装におけるそり制御

 3.4 コア材としてのプロセス性

 3.5 パッケージの大型化、今後の高機能化

4.様々な特性発現

 4.1 電気特性(低誘電率・低誘電正接)

 4.2 電気特性(高誘電率)

 4.3 薄型プリプレグ

 4.4 フィルム材

【質疑応答】


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