リソグラフィ・レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策および最新のロードマップと先端デバイスの動向
★2025年5月22日WEBでオンライン開講。Eリソリサーチ 遠藤氏が、【リソグラフィ・レジスト/EUVレジストの基礎とトラブル対策および最新のロードマップと先端デバイスの動向】について解説する講座です。
■注目ポイント
★リソグラフィの基礎、EUVレジストの詳細を含めたレジストの基礎、トラブル対策と課題、最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について網羅的に解説！
- Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっております。
★微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けております。
■注目ポイント
★リソグラフィの基礎、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて解説！
★レジスト／EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説！
★最新のロードマップと先端デバイスの動向、今後のレジストの技術展望、市場動向について解説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 10:30-16:30
【講師】Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
【講演主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、リソグラフィの基礎を解説した後、デバイスの微細化を支えるレジストの基礎をEUVレジスト（化学増幅型EUVレジスト、EUVネガレジストプロセス、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス）の詳細を含めて述べる。レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策をその要求特性、課題をふまえて解説する。EUVレジストの課題と対策についても述べる。最新のロードマップと先端デバイスの動向を解説し、今後のレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
【プログラム】
1．リソグラフィの基礎
1.1 露光
1.2 照明方法
1.2.1輪帯照明
1.3 マスク
1.3.1 位相シフトマスク
1.3.2 光近接効果補正（OPC）
1.3.3 マスクエラーファクター（MEF）
2．レジストの基礎
2.1 溶解阻害型レジスト
2.1.1 g線レジスト
2.1.2 i線レジスト
2.2 化学増幅型レジスト
2.2.1 KrFレジスト
2.2.2 ArFレジスト
2.3 ArF液浸レジスト/トップコート
2.4 EUVレジスト
2.4.1 化学増幅型EUVレジスト
2.4.2 EUVネガレジストプロセス
2.4.3 EUVメタルレジスト
2.4.4 EUVメタルドライレジストプロセス
3．レジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
3.1 レジストパターン形成不良への対応
3.1.1 パターン倒れ
3.1.2 パターン密着性不良
3.1.3 パターン形状不良
3.1.4 チップ内のパターン均一性不良
3.2 化学増幅型レジストのトラブル対策
3.2.1 レジスト材料の安定性
3.2.2 パターン形成時の基板からの影響
3.2.3 パターン形成時の大気からの影響
3.3 ArF液浸レジストのトラブル対策
3.4 ダブルパターニング、マルチパターニングの課題と対策
3.4.1 リソーエッチ（LE）プロセス
3.4.2 セルフアラインド（SA）プロセス
3.5 EUVレジストの課題と対策
3.5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
3.5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3.6 自己組織化（DSA）リソグラフィの課題と対策
3.6.1 グラフォエピタキシー
3.6.2 ケミカルエピタキシー
3.7 ナノインプリントリソグラフィの課題と対策
3.7.1 加圧方式ナノインプリントリソグラフィ
3.7.2 光硬化方式ナノインプリントリソグラフィ
4．最新のロードマップと先端デバイスの動向
5．レジストの技術展望、市場動向
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、レジスト、EUVレジスト、ダブルパターニング、マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラフィ、トラブル対策
【講演のポイント】
リソグラフィ、レジスト/EUVレジストについて、基礎からトラブル対策、最新技術まで把握できます。最新のロードマップに基づいて、デバイス、リソグラフィ技術の動向を把握できます。
【習得できる知識】
１）レジスト/EUVレジストの基礎
２）リソグラフィの基礎
３）レジスト/EUVレジスト、先端リソグラフィのトラブル対策
４）リソグラフィ、レジスト/EUVレジストの最新技術・ビジネス動向