SiC単結晶の製造・評価とSiCウェハの切断・研磨・CMP加工技術
★2025年9月30日WEBオンライン開講。【産総研・ウェハプロセスチーム長：加藤氏】が、半導体前工程で重要となるSiCウェハの製造技術について解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
半導体前工程で極めて重要なSiCウェハの製造技術について学べる講座です。パワー半導体の開発動向から、 SiC単結晶の合成・成長・欠陥制御、ウェハ加工としての切断・研削・CMP(化学的機械研磨)について解説します。高品位質で低コストなウェハを実現するための技術について、当講座で議論します。
- 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
●1名様 ：49,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたします。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについて、別途メールでご案内いたします。基本的にはマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【時間】 10:30-16:30
【講師】国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
【講演主旨】
SiCパワー半導体は省エネを実現する電力制御機器として社会実装が進みつつある。SiCウェハは6インチから8インチへ大口径化も進み、今後量産が世界的に加速されると考えられている。一方、SiCは極めて安定な高硬脆材料であるため、SiC単結晶の合成やウェハ加工は技術的に難易度が高く、高コストになりがちである。
本講演ではSiC単結晶成長・ウェハ加工技術の技術の基礎から応用を解説し、現在の技術開発動向と課題解決に向けた議論を進める。
【講演のポイント】
本セミナーでは、SiC単結晶成長からウェハ加工、それらの材料評価技術に関する、基礎から応用、技術開発動向について解説し、高品位質で低コストなウェハを実現する製造技術について議論いたします。
【習得できる知識】
①半導体用SiCウェハ製造技術の基礎知識（結晶成長、加工、評価）
②半導体用SiCウェハの開発動向
③SiCウェハ製造技術の技術課題とアプローチ
④SiCウェハ産業の動向に関する知識
【講演キーワード】
SiC、パワー半導体、単結晶成長、ウェハ加工、結晶評価、加工変質層
【プログラム】
１．SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発
1.1 SiCの基礎と物性
1.1.1 身近なSiC
1.1.2 ワイドギャップ半導体と特徴
1.1.3 SiCウェハ
1.1.4 他半導体材料とSiCの違い
1.2 SiCパワー半導体への応用
1.2.1 SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
1.2.2 SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
1.3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
1.3.1 パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
1.3.2 国内・外でのSiCウェハ開発動向
1.3.3 SiCウェハ開発に対する今後の期待
２．SiC単結晶製造技術
2.1 SiC単結晶の合成・成長方法
2.1.1 SiCの合成
2.1.2 SiC単結晶の量産技術
2.1.3 各種SiC単結晶成長技術の特徴
2.1.4 シリコンから見たSiC単結晶製造技術の課題と期待
2.2 結晶多形と特徴
2.2.1 SiCの結晶多形 (ポリタイプ) と物性
2.2.2 多形制御技術
2.3 結晶欠陥と制御
2.3.1 SiC単結晶の結晶欠陥と影
2.3.2 SiC単結晶の欠陥評価技術
2.3.3 SiC単結晶の欠陥抑制技術
2.4 大口径結晶の成長
2.4.1 SiC単結晶の口径拡大成長技術
2.4.2 大口径化がもたらす効果と技術課題
2.5 n/p型の伝導度制御
2.5.1 SiC単結晶の伝導度制御
2.5.2 SiC単結晶の低抵抗化技術
３．SiCウェハ加工技術
3.1 SiCのウェハ加工
3.2 SiCウェハ加工工程と技術課題
3.3 ウェハ切断工程
3.3.1 SiC単結晶の切断技術
3.3.2 切断工程の高速化技術
3.3.3 切断工程の課題と新しい切断技術
3.4ウェハ研削工程
3.4.1 SiCウェハの研削加工
3.4.2 研削加工の高速・鏡面化技術
3.4.3 研削工程の課題と新しい研削加工技術
3.5 ウェハ研磨工程
3.5.1 SiCウェハの研磨加工
3.5.2 研磨加工と研削加工の特徴や違い
3.5.3 研磨工程の課題と新しい研磨加工技術
3.6 CMP工程
3.6.1 SiCウェハのCMP加工
3.6.2 CMPの高速化技術
3.6.3 CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
3.7 加工変質層と評価
3.7.1 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
3.7.2 加工変質層の評価技術
3.7.3 加工変質層の抑制技術
3.8 大口径化対応
3.8.1 SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
3.8.2 大口径化対応へ向けた解決策の検討
【質疑応答】