ＡＬＤ（原子層堆積法）技術の最前線：基礎から最新動向まで
★2025年11月25日WEBでオンライン開講。東京大学 霜垣氏が、【ＡＬＤ（原子層堆積法）技術の最前線：基礎から最新動向まで】について解説する講座です。
■注目ポイント
★ALDの基礎から最前線までを一日で俯瞰（明日から使えるALD最適化知識を持ち帰れます）！
- 東京大学 連携研究機構 マテリアルイノベーション研究センター・大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 / 機構長・教授 霜垣 幸浩 氏
【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★ALD（原子層堆積）法は、原子層サイクルで膜厚・組成を精密制御し、3次元立体構造等にも均一被覆できる技術です。
★ゲート絶縁膜、キャパシタ、配線バリア層に加え、コーティングなど多分野で実用化が進んでいます。
★供給→パージ→反応→パージ各工程は、吸着・表面反応といった速度論に支配され、最適化には体系理解が必須です。
■注目ポイント
★理想特性（自己終端反応、面内・深さ方向の均一性、ALD Window）を実現するための着目点と進め方を解説！
★選択成長（ASD）の原理と開発方針に触れ、関連学会の最新動向も概説！
★ALDをすぐに使えるようにするためのQCMなどのその場観察手法についても解説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 10:30-16:30
【講師】東京大学 連携研究機構 マテリアルイノベーション研究センター・大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 / 機構長・教授 霜垣 幸浩 氏
【講演主旨】
ALD（原子層堆積）法は、原子層サイクルで膜厚・組成を精密制御し、3次元立体構造等にも均一被覆できる技術です。ゲート絶縁膜、キャパシタ、配線バリア層に加え、コーティングなど多分野で実用化が進んでいます。供給→パージ→反応→パージ各工程は、吸着・表面反応といった速度論に支配され、最適化には体系理解が必須です。
本講座では、ALDの基礎原理からプロセス最適化の考え方を一日で整理します。理想特性（自己終端反応、面内・深さ方向の均一性、ALD Window）を実現するための着目点と進め方を解説します。さらに、選択成長（ASD）の原理と開発方針に触れ、関連学会の最新動向も概説します。QCMなどのその場観察手法についても解説し、ALDをすぐに使えるようにするための情報を提供します。
【プログラム】
1 薄膜作製プロセス概論
1.1 薄膜の分類と用途
1.2 薄膜作製：ドライプロセスとウェットプロセス
1.3 CVD（Chemical Vapor Deposition）プロセス速度論
1.4 半導体集積回路（ULSI）の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ
1.5 その他のALD活用事例
2 ALDプロセスの概要・歴史・応用
2.1 ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要
2.2 ALD製膜特性（膜質，均一性，再現性，ステップカバレッジ）
2.3 ALDプロセスの歴史的発展
2.4 ALDプロセスの応用事例（最先端ULSI，DRAM，3D NAND等）
2.5 ALD装置形態と装置・材料市場
2.6 ALD製膜可能な材料と原料ガス
2.7 ALE（Atomic Layer Etching）（原子層エッチング）
2.8 ASD（Area Selective Deposition）（選択ALD）
3 ALDプロセスの理想と現実，最適化方針
3.1 ALD Windowとは？
3.2 物理吸着の影響と対策
3.3 反応律速・吸着律速の影響と対策
3.4 原料ガス脱離の影響と対策
3.5 原料ガス熱分解の影響と対策
4 ALDプロセスの高スループット化と課題
4.1 GPC（Growth per Cycle）とCT（Cycle Time）の最適化
4.2 GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
4.3 ALD理想特性を発現させるための条件（蒸気圧と吸着特性）
5 理想的な原料ガス開発の指針
5.1 蒸気圧推算の基礎
5.2 COSMO-SAC法による蒸気圧推算
5.3 COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
5.4 ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測
5.5 原料ガスの特性評価（DTA/TG測定）
6 ALD用反応ガス
6.1 酸化剤の選び方
6.2 窒化剤の選び方
6.3 還元剤の選び方
6.4 ALD Supercycle
7 QCMを用いたガス吸着特性の評価
7.1 QCM（Quartz Crystal Microbalance）を用いたALDその場観察
7.2 QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
7.3 QCM測定の高精度化・高速化
7.4 QCMによるTMA（トリメチルアルミニウム）の吸着特性評価（実例紹介）
8 ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
8.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
8.2 インキュベーションサイクルと選択成長
8.3 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察，表面処理の影響
9 ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
9.1 ULSI金属多層配線の課題と対策
9.2 高信頼性多層配線形成へのASD（Area Selective Deposition）の活用
9.3 Co薄膜のALD成長（原料ガス吸着特性と表面反応）
9.4 高選択性ASD実現の基本方針
9.5 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
9.6 Cu配線密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成
10 ALD関連学会の情報
10.1 応用物理学会（2025年9月開催）
10.2 ALD/ALE2025国際学会（2025年6月開催）
【質疑応答】
【キーワード】
ALD（原子層堆積），ASD（選択成長），ALE（原子層エッチング），最適プロセス設計指針，原料ガス・反応ガス・装置の選び方，その場観察（QCM，分光測定）
【講演のポイント】
ALDの基礎から最前線までを一日で俯瞰します。ASD・ALEなどの原子層制御技術の基礎から応用まで，また，反応/原料ガスの選び方，装置選定の勘所，その場観察等を実例で解説します。明日から使えるALD最適化知識を持ち帰れます。
【習得できる知識】
ALDの基礎とALD Window，自己終端反応を理解し，反応/原料ガスと装置の選定，パルス・パージ・温度設計の優先順位，QCM等のその場計測の読み方，ASD/ALEの基本を実務で使える水準で身につけることができます。