EUVレジスト・メタルレジスト材料の設計指針・物性評価とEUV露光反応機構
★2026年1月27日WEBでオンライン開講。リソテックジャパン株式会社 関口氏、Eリソリサーチ 遠藤氏、国立研究開発法人 物質・材料研究機構 山下氏が、【EUVレジスト・メタルレジスト材料の設計指針・物性評価とEUV露光反応機構】について解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
★1)メタルレジストがなぜ重要か、2)各社が開発したメタルレジスト、3)EUV 光利用におけるメタルレジストの必要性、4)メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に解説・紹介！
- 第1部 リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
- 第2部 Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
- 第3部 国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター/機能材料分野 ナノ電子デバイス材料グループ/主幹研究員 山下 良之 氏
【1名の場合】55,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっています。
★近年2nmスケール及びポスト2nmスケール半導体が非常に注目を集めており、その中の核技術の1つとしてレジストがあげられます。
★EUVリソグラフィーが実用化されてデバイス製造へも適用が進んでいますが、さらなる高解像性の要求からハイパーNA（NA0.55）のEUVスキャナーの導入が検討されています。ハイパーNAでは、DOFの観点、および解像性から、従来のCARレジストに代わってメタルレジストが使われると言われています。
■注目ポイント
★EUVレジストの概要および特にEUVメタルレジストの評価方法について紹介！
★EUVレジストの設計指針・プロセス技術と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説！
★メタルレジストがなぜ微細化に重要か、なぜEUV光露光でメタルレジストが重要なのかを中心に解説！
講座担当：苅谷樹弘
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 EUVレジスト・メタルレジストの評価技術
【時間】 10:30-11:45
【講師】リソテックジャパン株式会社／大阪公立大学 ナノサイエンス研究所 所長 博士（工学）／大学院工学研究科 客員教授 関口 淳 氏
【講演主旨】
EUVレジスト材料開発と評価・プロセス技術について解説します。特に、現在、開発が進んでいる次世代EUVレジストである、メタルレジストの特徴と評価方法についても、解説します。
【プログラム】
1. EUVLの概要
1. EUVLの概要
2. EUVL用レジスト
2. アウトガス評価技術
1. EUVLレジストのアウトガス評価方法
2. EUVLレジストのアウトガス評価装置
3. EUVレジストの評価技術
1. EUV透過率測定
2. ナノパーティクル添加レジストの高感度化
3. 屈折率nk測定
4. EUV 2光束干渉露光法
4. EUVメタルレジストの評価技術
1. メタルレジストの概要
2. EUVメタルレジストのアウトガス分析
3. EUVメタルレジストの問題点
5. EUVフォトレジストと電子線レジストの感度
【質疑応答】
【キーワード】
EUVメタルレジスト、EUVレジストの透過率測定、EUVレジストのアウトガス分析、EUVレジストの高感度化
【講演のポイント】
EUVリソグラフィーが実用化されてデバイス製造へも適用が進んでいますが、さらなる高解像性の要求からハイパーNA（NA0.55）のEUVスキャナーの導入が検討されています。ハイパーNAでは、DOFの観点、および解像性から、従来のCARレジストに代わってメタルレジストが使われると言われています。本講座では、EUVレジストの概要および特にEUVメタルレジストの評価方法について紹介します。
【習得できる知識】
EUVレジストの概要とその評価方法に関する基礎知識
【第2講】 EUVレジストの設計指針・プロセス技術と EUVメタルレジストの開発動向
【時間】 12:45-14:00
【講師】Eリソリサーチ 代表 遠藤 政孝 氏
【講演主旨】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在最先端の3nmノード以降の量産工程でEUVが用いられており、今後その役割は益々増大する。EUVレジストはこのようなEUVリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、EUVレジストの設計指針・プロセス技術と要求特性、課題と対策、最新技術動向を解説する。EUVレジストでトピックスとなっているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスの開発動向を述べる。最後にEUVレジストの技術展望、市場動向についてまとめる。
【プログラム】
１．EUVレジストの設計指針と要求特性
1）化学増幅型EUVレジストの反応機構
2）化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
3）化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
a）光分解性クエンチャー
２．EUVレジストプロセス
1）アンダーレイヤー
2）ハードマスク
3）スピン・オン・カーボン
３．EUVレジストの課題と対策
1）感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2）ランダム欠陥（Stochastic Effects）
3）EUVレジストの開発動向
a）ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
b）ネガレジストプロセス
４．EUVメタルレジスト
1）EUVメタルレジスト用材料
2）EUVメタルレジストの反応機構
3）EUVメタルレジストの性能と開発動向
５．EUVメタルドライレジストプロセス
1）EUVメタルドライレジストプロセス用材料
2）EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
3）EUVメタルドライレジストプロセスの性能と開発動向
６．EUVレジストの技術展望、市場動向
【質疑応答】
【キーワード】
リソグラフィ、レジスト、EUVリソグラフィ、EUVレジスト、EUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセス
【講演者のPRポイント】
EUVレジスト、EUVメタルレジストについて、基礎から要求特性、課題と対策、最新技術動向まで把握できます。またビジネス動向を確認できます。
【習得できる知識】
１）EUVレジスト、EUVメタルレジストの基礎
２）EUVレジスト、EUVメタルレジストの要求特性、課題と対策、プロセス技術
３）EUVレジスト、EUVメタルレジストの最新技術動向
４）EUVレジスト、EUVメタルレジストのビジネス動向
【第3講】 メタルレジストの基礎物性とEUV露光による反応機構
【時間】 14:10-15:25
【講師】国立研究開発法人物質・材料研究機構 電子・光機能材料研究センター/機能材料分野 ナノ電子デバイス材料グループ/主幹研究員 山下 良之 氏
【講演主旨】
近年2nmスケール及びポスト2nmスケール半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の1つとしてレジストがあげられる。本講演では1)メタルレジストがなぜ重要か、2)各社が開発したメタルレジスト、3)EUV光利用におけるメタルレジストの必要性、4)メタルレジストのEUV露光による反応機構を中心に講演を行っていく。必要に応じて、2nmスケール半導体作製における核技術、世界動向についても講演を行う。
【プログラム】
1．レジスト
1）半導体構造
（a）ムアーの法則
（b）スケーリング則
（c）平面構造FET構造の限界
（d）平面構造FET構造以降のデバイス構造
（e）GAAフォークシート構造
（f）CFET構造
（g）ムアーの法則と半導体構造
（h）デバイス構造の推移予想
（i）半導体の製造を行う会社数推移
2）レジストとリソグラフィ
（a）レジスト露光光源の推移
（b）レジスト露光とcritical dimension
（c）リソグラフィのスケーリング則
（d）現在のリソグラフィ
（g）次世代リソグラフィ技術
（h）デバイスの微少化に必要なこと
3）EUVとメタルレジスト
（a）回路パターンに必要なこと
（b）レイリーの式
（c）EUV光源の周辺技術
（d）EUV露光のミラ－
（e）何故Mo/Si多層膜がEUV露光のミラ－に適しているのか
（f）ASML社製のEUV露光装置
（g）Rapidusが納品したASML社製のNA0.33EUV露光装置
（h）ASML社製のNA0.55EUV露光装置
（i）high NA EUVで生じる偏光問題をどのように解決するか
（j）high NA EUVで用いられているミラー
（k）high NA EUV露光過程の動画（ASML社 TWINACAN EXE:5000）
（l）high NA EUVロードマップ
（m）EUVレジスト側で必要なこと
（n）EUV光吸収率の元素依存性
（o）EUV露光用新規レジストの必要性
（p）高感度EUVレジスト材料に求められるもの
（q）メタルレジスト
（r）化学増幅型有機レジストとメタルレジスト
（s）メタルレジストのEUV露光に対する優位性
（t）メタルレジストの開発の歴史
2．メタルレジスト
1）メタルレジストの基礎物性
（a）無機レジスト材料
（b）元素の光学濃度値
（c）材料設計を考慮する際に重要なEUV光による吸収率の元素依存性
（d）EUV光によって吸収される元素の軌道
2)各社が開発したメタルレジスト
（a）Inpriaのメタルレジスト作製の歴史
（b）Inpriaのメタルレジストの種類
（c）コーネル大学のメタルレジスト作製の歴史
（d）コーネル大学のメタルレジストの種類
（e）EIDECのメタルレジスト作製の歴史
（f）EIDECのメタルレジストの種類
（g）SUNY Polytechnic Instituteの歴史及び種類
（h）ドライメタルレジスト（Lam research）
（i）ドライメタルレジストの利点
3．メタルレジストのEUV露光による反応機構の解析、および大気安定生
小生の研究を元に
1）メタルレジストのEUV露光による反応機構
（a）XRDによるEUV露光による構造変化解明
（b）光電子分光によるEUV露光による反応元素解明
（c）X線吸収分光法によるEUV露光による反応化学結合解明
2）メタルレジストの大気安定生
（a）光電子分光によるメタルレジストの大気暴露下での化学状態
（b）X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
（c）光電子分光によるEUV露光したメタルレジストの大気暴露下での化学状態
（d）X線吸収分光法によるによるメタルレジストの大気暴露下での反応結合種解明
【質疑応答】
【キーワード】
EUV、メタルレジスト
【講演のポイント】
近年2 nmスケールの半導体が非常に注目を集めている。その中の核技術の1つとしてメタルレジストがあげられる。本講演では、メタルレジストがなぜ微細化に重要か、なぜEUV光露光でメタルレジストが重要なのか、を中心に講演を行っていく。
【習得できる知識】
半導体微細化の最新動向・将来構造
メタルレジストの歴史的背景
EUV露光装置の周辺技術
EUV露光におけるメタルレジストの反応メカニズム