【 LIVE配信・WEBセミナー】

Cu/Low-k配線の基礎と2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造、新プロセスの最新研究開発動向

★2026年3月27日WEBでオンライン開講。第一人者の芝浦工業大学(名誉教授) 上野氏が、【Cu/Low-k配線の基礎と2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造、新プロセスの最新研究開発動向】について解説する講座です。

■注目ポイント

★AI半導体で注目される先端半導体の配線技術について現在使用されているCu/Low-k配線の構造、プロセス、性能指標などの基礎から2nm以降に向けた最先端の新材料配線等の研究動向までわかりやすく説明!

セミナー番号
S260337
セミナー名
半導体 配線構造・プロセス技術
講師名
  • 芝浦工業大学  名誉教授  上野 和良 氏
開催日
2026年03月27日(金) 13:00-16:30
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】45,100円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。


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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況(講師より)

★近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されています。

★先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められていますが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われています。

■注目ポイント

★集積回路配線の歴史と基礎知識を解説!

★Cu/Low-k配線の製造工程の基礎知識や配線信頼性の基礎知識(EM, SIV, TDDBなど)について解説!

★Cuに代わる先端配線材料の研究開発の進め方の要点とは!?


講座担当:牛田孝平

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【時間】 13:00-16:30

【講師】芝浦工業大学 名誉教授 上野 和良 氏

【講演主旨】

 近年、AIの急速な進展と応用の拡がりによって、それを支える先端半導体が世界的に注目されている。先端半導体では、さらなる集積度の向上が求められているが、2nm世代以降の微細配線では、従来のCu/Low-k配線による限界が見え始め、Ru/Airgapなどの新材料/新構造、裏面配線等の研究開発が盛んに行われている。
 本セミナーでは、現在使われているCu/Low-k配線の基礎から、2nm世代以降の配線に向けた新材料、新構造や新プロセスの最新研究開発動向を解説する。


【プログラム】

1. 集積回路配線の基礎知識
 1)配線の微細化と3D化が求められる背景
 2)配線の役割と性能指標
 3)配線信頼性の基礎(寿命予測, EM, SIV, TDDB)
 4)Cu/Low-k配線プロセス

2. 2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
 1)2nm以降半導体に向けた配線の課題
 2)Cu配線の延命
 3)Cu代替配線配線材料(Ru, Mo, その他)
 4)2nm以降の配線信頼性
 5)新構造とプロセス

【質疑応答】


【キーワード】

先端半導体、2nm以降、微細配線、Backside Power Delivery Network(BSPDN)、Cu/Low-k、ルテニウム(Ru)、エアギャップ(AG)、配線信頼性、新配線材料、低抵抗、高信頼


【講演のポイント】

AI半導体で注目される先端半導体の配線技術について、現在使用されているCu/Low-k配線の構造、プロセス、性能指標などの基礎から、2nm以降に向けた最先端の新材料配線等の研究動向まで、わかりやすく説明します。


【習得できる知識】

・集積回路配線の歴史と基礎知識
・Cu/Low-k配線の製造工程の基礎知識
・配線信頼性の基礎知識(EM, SIV, TDDBなど)
・Cuに代わる先端配線材料の研究開発の進め方の要点


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