次世代超高耐圧・高出力パワーデバイスの実現に向けた窒化アルミニウム（AlN）系半導体基板、ダイオード、強誘電・高放熱材料の開発動向と将来展望
★2026年7月23日WEBでオンライン開講。東京理科大学 小林氏、東京大学 前田氏、株式会社トクヤマ 金近氏が、【ドライプロセスによるリチウムイオン電池のさらなる高性能化・低コスト化・環境負荷低減に向けた電極製造の特徴とバインダーの考え方および評価技術の最新動向】について解説する講座です。
■注目ポイント
★AlGaNを上回る分極を持ちGaNと格子整合を保ちながら高密度な2DEGを実現できる可能性を秘めた新規材料「ScAlN」の構造的特徴や強誘電性などの基礎、窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの研究進展、高放熱・窒化物材料の特徴とパワーデバイスへの応用展開について解説・紹介！
- 第1部 東京理科大学 先進工学部 / 准教授 小林 篤 氏
- 第2部 東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 / 講師 前田 拓也 氏
- 第3部 株式会社トクヤマ ニュービジネス本部 放熱アプリケーショングループ / グループリーダー 金近 幸博 氏
【1名の場合】55,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★近年、高周波通信やパワーエレクトロニクス分野において、高電子移動度トランジスタ（HEMT）などの窒化物半導体デバイスの応用が進んでおり、さらなる高出力・高効率動作が求められています。GaNチャネル中に高密度な二次元電子ガス（2DEG）を形成するためにはバリア層の工夫が必要ですが、従来のAlGaNではGaNとの格子不整合による臨界膜厚の制限があり、2DEG密度の上限が規定されてしまうという課題がありました。そのため、従来とは異なる原理で大きな分極を生じさせる新規バリア層材料の導入が強く望まれています。
★窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素に代表される窒化物材料は、高電気絶縁性と高熱伝導性を併せ持つことから次世代パワーデバイス実装用基板として実用化されています。今後、パワー半導体実装形態の更なる小型化・高密度実装化が進展するとパワーデバイスの信頼性を維持向上させるために、パッケージング材料へ求められる要求はより厳しくなります。特に、その発熱密度上昇の対策は緊急の課題となっています。パッケージング材料にはセラミックス基板のみならず、種々の樹脂材料が用いられるが、それら材料には高熱伝導化のニーズがあります。樹脂の高熱伝導化を実現するためには窒化物放熱フィラーの充填が有望であります。
■注目ポイント
★AlGaNを上回る分極を持ちGaNと格子整合を保ちながら高密度な2DEGを実現できる可能性を秘めた新規材料「ScAlN」の構造的特徴や強誘電性などの基礎から解説！
★窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの研究進展について紹介！
★高放熱・窒化物材料の特徴と開発の進展、パワーデバイスへの応用展開について紹介！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 強誘電性窒化物半導体の創成と電子デバイスへの応用
【時間】 13:00-14:15
【講師】東京理科大学 先進工学部 / 准教授 小林 篤 氏
【講演主旨】
本講座では、AlGaNを上回る分極を持ち、GaNと格子整合を保ちながら高密度な2DEGを実現できる可能性を秘めた新規材料「ScAlN」に注目し、その構造的特徴や強誘電性などの基礎から解説します。また、これまでに私達がおこなってきたスパッタ法によるScAlNエピタキシャル薄膜の成長技術について、広い組成領域での結晶構造や格子定数の評価、GaN HEMT構造上へのエピタキシャル成長の試みといった最新情報を紹介します。さらに、デバイス応用へ向けた不純物低減や極性制御の重要性、成長プロセスの最適化（成長温度の高温化やポストアニール処理など）による電気的特性向上のための留意点などについても紹介します。
【プログラム】
1. はじめに：次世代窒化物半導体デバイス
2. ScAlNの特徴：圧電性と強誘電性
3. ScAlNの結晶構造：ウルツ鉱構造の安定性と層状構造への相転移についての理論と現状
4. スパッタ法によるScAlN薄膜作製技術：成膜条件の最適化や金属・窒素供給比の制御
5. GaN上へのエピタキシャル成長：Sc組成による格子定数の変化とコヒーレント成長の実現
6. GaN HEMTバリア層への応用：ScAlN/GaNヘテロ構造の作製と界面の構造評価
7. 課題解決と今後の展望：プロセス改善と実用化への期待
【質疑応答】
【第2講】 窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの研究進展
【時間】 14:25-15:40
【講師】東京大学 大学院工学系研究科 電気系工学専攻 / 講師 前田 拓也 氏
【講演主旨】
※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
【プログラム】
※現在、最新のご講演プログラムを講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
【第3講】 高放熱・窒化物材料とパワーデバイスへの応用展開」
【時間】 15:50-16:35
【講師】株式会社トクヤマ ニュービジネス本部 放熱アプリケーショングループ / グループリーダー 金近 幸博 氏
【講演主旨】
窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素に代表される窒化物材料は、高電気絶縁性と高熱伝導性を併せ持つことから次世代パワーデバイス実装用基板として実用化されている。今後、パワー半導体実装形態の更なる小型化・高密度実装化が進展するとパワーデバイスの信頼性を維持向上させるために、パッケージング材料へ求められる要求はより厳しくなる。特に、その発熱密度上昇の対策は緊急の課題となっている。パッケージング材料にはセラミックス基板のみならず、種々の樹脂材料が用いられるが、それら材料には高熱伝導化のニーズがある。樹脂の高熱伝導化を実現するためには窒化物放熱フィラーの充填が有望である。本講演では、高放熱・窒化物材料の特徴と開発の進展、及び、パワーデバイスへの応用展開について紹介する。
【プログラム】
1.放熱材料のニーズ
1-1.社会動向変化と放熱材料
1-2.放熱材料の動向
1-3.高熱伝導材料
2.窒化物放熱フィラーの特徴
2-1.窒化アルミニウムの特性
2-2.窒化アルミニウムの応用展開
2-3.窒化アルミニウムフィラーの特徴
2-4.窒化ホウ素の特性
2-5.窒化ホウ素の応用展開
2-6.窒化ホウ素フィラーの特徴
3.窒化物放熱フィラーの開発と評価
3-1.窒化アルミニウムフィラーの最新動向
3-2.窒化ホウ素フィラーの最新動向
4.窒化物放熱フィラーの表面処理技術
4-1.窒化物フィラーの表面処理方法
4-2.表面処理した窒化物フィラーの特性
5.窒化物フィラー/樹脂複合材料
5-1.窒化物フィラー添加樹脂の特性
5-2.高放熱樹脂部材の特性
【質疑応答】
【キーワード】
放熱材料、窒化物フィラー、AlN、BN、高放熱サーマルインターフェースマテリアル
【講演のポイント】
絶縁性・高熱伝導材料である窒化物フィラーとその応用技術について紹介する。窒化物材料の応用展開に興味のある方、お困りの方に取扱い方法について解説する。