【 LIVE配信・WEBセミナー】

半導体基板におけるめっき技術の基礎と材料技術・課題

★2024年2月28日WEBオンライン開講。NPOサーキットネットワーク(元凸版印刷) 大久保氏、関西大学  新宮原先生、株式会社JCU 大野様の3名講師から半導体基板におけるめっき技術の基礎と材料技術・課題のテーマをもとに解説する講座です。

■本講座の注目ポイント

★回路導体や層間接続、および部品接合のための端子の表面処理に使用するめっき技術!

セミナー番号
S240205
セミナー名
半導体めっき
講師名
  • 第1部  NPOサーキットネットワーク  理事 事務局長  大久保 利一 氏
  • 第2部  関西大学  システム理工学部機械工学科 教授  新宮原 正三 氏
  • 第3部  株式会社JCU  総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長  大野 晃宜 氏
開催日
2024年02月28日(水) 13:00-16:50
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】44,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、11,000円が加算されます。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき11,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は11,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。



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【■本セミナーの主題および状況 ■本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況

★回路導体や層間接続、および部品接合のための端子の表面処理に使用され、半導体パッケージの電極形成にも多数利用される「めっき技術」はますます重要になっています。


■本講座の注目ポイント

★代表的な半導体パッケージ基板と、そこで使われている各種めっき技術の基礎から、TSVなどの最先端めっき技術、最先端の硫酸銅めっきプロセスにおける薬液についても解説する。

★いかに高アスペクトであり、狭ピッチの対応ができるか?経験豊富なコンサルタントやアカデミアの先端研究社、めっき薬液メーカーの先端技術保持社など、それぞれの立場から半導体めっきプロセスをひも解く。


講座担当:青木良憲


≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【第1講】 半導体実装基板におけるめっき技術の基礎

【時間】 13:00-14:15

【講師】NPOサーキットネットワーク 理事 事務局長 大久保 利一 氏

【講演主旨】

 半導体実装基板の製造において、めっきは非常に重要なプロセスである。回路導体や層間接続、および部品接合のための端子の表面処理に、半導体側も含めて各種めっき技術が用いられている。半導体の進化に伴う実装基板の技術発展により、要求特性に対してめっき技術もレベルアップが望まれるが、用途によっては従来技術がそのまま使われるものもある。めっきは、「液中に分子単位の大きさで存在する金属イオンを還元して析出させる」もので、次世代の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つ。

 このセミナーでは、代表的な半導体パッケージ基板と、そこで使われている各種めっき技術の基礎について解説する。


【講演キーワード】
半導体パッケージ 基板 インターポーザ 実装 微細回路 微細接合 電極表面処理 電解めっき 無電解めっき


【習得できる知識】
・各種半導体実装基板には、どのようなめっき技術が使われているか。
・微細銅回路導体は、めっきでどのように形成されるか。
・部品接合のための端子の表面処理は、どのようなものがあるか。
・めっきは次世代基板の要求特性にも対応し得るポテンシャルを持つが、さらに適合性を高めるためにどうするか。


【講演のポイント】
既存から先端の各種半導体実装基板に適用されている、各種めっき技術をわかりやすく解説する。めっきは、次世代製品にも必ず適用され得る重要技術である。「ブラックボックス」のイメージを払拭してほしい。

【プログラム】

1.はじめに
 1-1  「めっき技術」の展望
 1-2 各種半導体実装基板等で用いられるめっき技術
2.主な半導体実装基板と製造プロセス
 2-1  FC-BGA
 2-2  シリコンインターポーザ 
 2-3 リードフレーム
3.導体形成のための各種めっきプロセス
 3-1  電解銅めっき
 3-2  無電解銅めっき
4.接合のための各種めっきプロセス
 4-1 接合のための表面処理の目的
 4-2 各種電解めっき (Ni/Auめっき、はんだめっき、Agめっき 他)
 4-3 各種無電解めっき  (Ni/Auめっき、置換Snめっき 他)
5. おわりに  これからは管理技術が一層重要に


【第2講】 半導体パッケージにおける三次元微細配線の高性能めっき技術とメカニズム

【時間】 14:30-15:45

【講師】関西大学 システム理工学部機械工学科 教授 新宮原 正三 氏

【講演主旨】

 半導体3次元実装技術のための無電解めっきによるバリアメタル堆積及びCu埋め込み技術について解説を行う。

【プログラム】

1.めっき技術の基礎
 1-1 電解Cuめっき技術とは
 1-2 無電解めっき技術とは
2.無電解バリアメタルめっき技術
 2-1 無電解バリアメタル技術の経緯
 2-2 拡散バリア性評価技術
 2-3 薄膜密着性評価技術
 2-4 Co合金めっき技術
3.無電解Cuめっきによるボトムアップ堆積技術
 3-1 無電解Cuめっき浴の還元剤
 3-2 添加剤(抑制剤)の効果
 3-3 ボトムアップ堆積による形状制御
4. 電解Cuめっきによるボトムアップ堆積技術
 4-1 Cuめっき浴への各種添加剤の効果(抑制剤、促進剤)
 4-2 室温放置及び熱処理による結晶粒成長と添加剤
4-3 微細孔へのCuボトムアップ堆積
5.TSVへの無電解バリアメタル及びその上のダイレクトCu電解めっき技術

【第3講】 Advanced Package用硫酸銅めっきプロセスについて

【時間】 16:00-16:50

【講師】株式会社JCU 総合研究所 執行役員 副所長兼電子技術開発部長 大野 晃宜 氏

【講演主旨】

 近年、人工知能(AI)や高機能モバイル端末の普及により、より高い計算性能や多種多様な機能を統合した高機能デバイスが求められている。これらを実現するために日々、半導体技術の微細化技術は「ムーアの法則」にのっとり発展をしてきた。しかしながら昨今では、半導体の微細化が物理的な限界を迎えつつあり、さらなる性能向上を目的にパッケージング技術と新しい材料の技術を組み合わせる“Advanced Package(アドバンスドパッケージ)”と呼ばれる技術が注目されている。

本講演では、注目を集める“Advanced Package”技術の必要性と、それら技術において電気配線の形成に必要不可欠な硫酸銅めっき(基礎も含め)について解説する。


【講演キーワード】
半導体後工程、Advanced Package、3D、2.xD、インターポーザ、硫酸銅めっき、RDL、TSV、Pillar、ハイブリット接合


【習得できる知識】
・Advanced Package技術における表面処理(硫酸銅めっき)に関する知識
・硫酸銅めっきの基礎知識


【講演のポイント】
半導体後工程のAdvanced Package技術には、様々な用途で硫酸銅めっきが使用されるが、必要とされる性能が異なる。
それらの異なる性能や特徴について当社製品を交えて解説する。また、硫酸銅めっきの基礎についても解説する。

【プログラム】

1. Advanced Package技術の必要性

2.Advanced Package用硫酸銅めっき

 2-1 RDL用

 2-2 Mega(Tall) Pillar用

 2-3 TSV用

 2-4 Hybrid Bonding用

3.硫酸銅めっきの基礎


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