シリコン・パワー半導体CMP技術の基礎と各種研究開発事例および将来展望
～低屈折率透明パッドによる微粒子計測、ハイブリッドスラリーによる 高効率研磨技術、水酸化フラーレンの開発事例など～
★2024年8月8日WEBでオンライン開講。九州工業大学 鈴木氏がシリコン・パワー半導体CMP技術の基礎と各種研究開発事例および将来展望～低屈折率透明パッドによる微粒子計測、ハイブリッドスラリーによる高効率研磨技術、水酸化フラーレンの開発事例など～について解説する講座です。
■注目ポイント
★半導体系の国際会議で話題となっている先端ロジックやメモリーにおけるCMPに関する内容やパワー半導体における研磨技術の現状と課題について紹介！
- 九州工業大学 大学院情報工学研究院 知的システム工学研究系 / 教授 鈴木 恵友 氏
【1名の場合】45,100円(税込、資料作成費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
キャンセルポリシー・特定商取引法はこちら
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★CMPとは、ウエハ表面材料に応じた薬品を使って化学反応により溶かしながら、スラリーと呼ばれる砥粒により、ウエハをパッドに押し当てた状態で機械的に削るプロセス技術であります。
★近年の半導体デバイスは3次元化が進み形状が複雑化しており、3次元構造は「成膜とCMP」を繰り返すことで形成されるため、半導体製造においてCMPは非常に重要な工程となります。
■注目ポイント
★CMPの技術紹介についてこれまでの講演者の企業や国家プロジェクトにおける経験談を交えて紹介！
★CMPのプロセス設計の概要、スラリー部材などの調合方法、低屈折率透明パッドによる微粒子計測や残膜測定法などの研究事例を紹介！
★パワー半導体を中心にコローダルシリカのみ形成されるハイブリッドスラリーによる高効率研磨技術や水酸化フラーレンの開発事例を紹介！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 13:00-16:00
【講師】九州工業大学 大学院情報工学研究院 知的システム工学研究系 / 教授 鈴木 恵友 氏
【講演主旨】
セミナーでは最初にシリコン・パワー半導体CMPの基礎から現状の課題など幅広い観点で解説する。セミナーの前半部分では、最初にシリコン半導体を中心に企業などで経験した内容を開示可能な範囲で解説する。ここではCMPのプロセス設計の概要のほかにスラリー部材などの調合方法や低屈折率透明パッドによる微粒子計測や残膜測定法などの研究事例を取り上げる。後半部分はパワー半導体を中心にコローダルシリカのみ形成されるハイブリッドスラリーによる高効率研磨技術や水酸化フラーレンの開発事例について述べる。最後に半導体におけるCMPの将来展望について解説する。
【プログラム】
1.CMP技術の基礎
1.1 なぜ、CMPが導入されたか？
1.2 導入時における技術的課題
1.3 研磨装置の概要
1.4 実験動画の紹介（２分程度）
1.5 CMPの適用例
1.6 研磨性能評価について
1.7 ディッシング・エロージョンについて
1.8 酸化膜CMPの平坦化プロセスへの適用例
1.9 STI-CMPへの適用例
1.10 Cu―CMPへの適用例
2.パワー半導体とシリコン半導体の違い
2.1 研磨レートの大幅な違い
2.2 材料除去メカニズムの考案
2.3 研磨部材について
3.シリコン半導体に関する研究事例
3.1 低屈折立透明パッドの作製法
3.2 低屈折立透明パッドによる酸化膜残膜測定法など
4.パワー半導体に関する研究事例
4.1 ハワー半導体の研究動向
4.2 ハイブリッド微粒子による高速研磨
4.3 水酸化フラーレンによるサファイア・SiC研磨の表面の平滑化
5.CMPの将来展望について
【質疑応答】
【キーワード】
半導体プロセス、微細化の原動力となるCMP
【講演のポイント】
CMPの技術紹介においては、これまでの講演者の企業や国家プロジェクトにおける経験談も交えて紹介する。特に半導体系の国際会議で話題となっている先端ロジックやメモリーにおけるCMPに関する内容や、パワー半導体における研磨技術の現状と課題について紹介する。また、大学で行われてきた最近の研究事例についても紹介する。
【習得できる知識】
半導体CMP技術における基礎的な内容と研究事例