次世代のパワーデバイス 酸化ガリウムの基礎と最新開発動向
～ 課題と展望、解決策、研削加工技術 ～
★2024年7月30日WEBでオンライン開講。大阪公立大学 東脇氏、株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 佐々木氏、旭ダイヤモンド工業株式会社 坂田氏の3名が酸化ガリウム基礎と最新開発動向～課題と展望、解決策、研削加工技術～について解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
★次世代パワーデバイスおよび半極限環境デバイス用途の新半導体材料として世界中から期待されている酸化ガリウム。その基礎と開発動向、将来展望、そしてパワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点まで学べる充実した講座です！
- 第1部 大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 氏
- 第2部 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 佐々木 公平 氏
- 第3部 旭ダイヤモンド工業株式会社 主任 坂田 脩 氏
【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★次世代パワーデバイスおよび半極限環境デバイス用途の新半導体材料として世界中から期待されている酸化ガリウム。酸化ガリウムは原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持ち、この特徴からもSiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。この酸化ガリウムの基礎とエピタキシャル成長技術、酸化ガリウムの課題と解決策、そしてパワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点まで学べる充実した講座です！
■注目ポイント
★酸化ガリウムの物性およびその応用領域、酸化ガリウム材料・デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向が学習、習得できる！
★酸化ガリウムの魅力、結晶成長技術や欠陥検査技術、パワーデバイス開発の現状と将来展望、そして酸化ガリウムの課題と解決策について学習、習得できる！
★パワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点が学習、習得できる！
講座担当：齋藤順
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 酸化ガリウムの基礎とそのエピタキシャル成長およびデバイス開発動向
【時間】 13:30-14:15
【講師】大阪公立大学 大学院工学研究科 東脇 正高 氏
【講演主旨】
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイスおよび極限環境デバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという産業上の大きな魅力も合わせ持つ。こういった特徴から、SiC, GaNに続く次世代パワーデバイス材料候補として現在注目を集めている。本講演では、Ga2O3の基礎物性を紹介した後、現在までのエピタキシャル薄膜成長、デバイス（トランジスタ、ショットキーバリアダイオード）の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて解説する。
【プログラム】
1. Ga2O3の材料的特徴とポテンシャル
2. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術の研究開発状況
3. Ga2O3トランジスタの研究開発状況
4. Ga2O3ショットキーバリアダイオードの研究開発状況
5. まとめ、実用化への展望
【キーワード】
酸化ガリウム (Ga2O3)、エピタキシャル成長、トランジスタ、ダイオード
【講演者の最大のPRポイント】
世界初のGa2O3トランジスタの動作実証に代表される、様々な材料・デバイス基盤技術の開発実績を有する本分野のパイオニア・第一人者。
【習得できる知識】
・ Ga2O3の物性およびその応用領域・Ga2O3材料
・ デバイス研究開発のこれまでの経緯、現在の動向
【第2講】 β型酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状と将来展望
【時間】 14:30-15:45
【講師】株式会社ノベルクリスタルテクノロジー 取締役 佐々木 公平 氏
【講演主旨】
β型酸化ガリウムは、その材料物性と品質の高さから、次世代のパワーデバイス半導体材料として世界中から注目されている。我々のチームは2010年から酸化ガリウムの結晶成長技術開発とそのパワーデバイス応用に取り組んできた。これまでは日本初の技術として我々が世界を大きくリードしてきたが、ここ数年は中国と米国での開発の進展が著しい。本講座では、過去十数年の酸化ガリウム開発の歴史と現在の技術レベルを俯瞰し、今後の開発課題についてまとめたいと思う。
【プログラム】
1. 酸化ガリウムの特徴
2. 酸化ガリウムの結晶成長技術
2.1 バルク成長技術
2.2 エピ成長技術
3. 酸化ガリウムウエハの欠陥検査技術
4. 酸化ガリウムパワーデバイス
5. 酸化ガリウムの課題と解決策
6. まとめ
【キーワード】
酸化ガリウム、β-Ga2O3、結晶成長、パワーデバイス、ダイオード、トランジスタ
【講演者の最大のPRポイント】
講演者は、酸化ガリウム開発のトップランナーの一人として、その結晶成長技術開発からデバイス応用まで携わってきた。国内外の特許出願数は200件を超える。本講演では酸化ガリウム開発の全容をお伝えしたい。
【習得できる知識】
・酸化ガリウムの魅力
・結晶成長技術や欠陥検査技術、パワーデバイス開発の現状と将来展望
・酸化ガリウムの課題と解決策について
【第3講】 パワー半導体用基板材料の研削加工・ 酸化ガリウムの研削加工における問題点
【時間】 16:00-17:15
【講師】旭ダイヤモンド工業株式会社 主任 坂田 脩 氏
【講演主旨】
次世代のパワー半導体用基板として開発が進められている酸化ガリウムは、SiCやGaNとは大きく異なる加工の難しさがある。酸化ガリウムは結晶構造に起因した劈開性から、非常に割れやすく、薄厚化にはよりストレスの少ない加工が必要となる。また、特定の結晶面へのウェハ表面研削加工においては、加工面性状が不均一になりやすいといった問題点もある。本講演では酸化ガリウムウェハのSiCウェハとの研削性の違いや、砥石種類、研削条件違いなどの加工事例を紹介し、表面性状の均一化に向けた取り組みを解説する。
【プログラム】
1．半導体基板と加工用工具
1-1 半導体基板の加工工程と工具
2-2 砥石の種類と特徴
２．酸化ガリウムの表面研削加工
2-1 酸化ガリウム表面研削の課題
2-2 SiCと酸化ガリウムの研削性の違い
2-3 各種砥石による研削性の違い
３．酸化ガリウム研削加工表面の均一化
3-1 研削方式、研削条件による違い
3-2 高番手砥石による表面均一化
４．今後の展望
質疑応答
【キーワード】
酸化ガリウム、研削加工、砥石、表面均一性
【講演の最大のPRポイント】
シリコン，SiCをはじめとした様々な半導体基板用砥石の設計・開発、および研削加工評価に携わっており、実際に研削加工を行い、直面した酸化ガリウムならではの問題点や知見を講演致します。酸化ガリウムの加工を検討する際の一助になれば幸いです。
【習得できる技術】
はじめに半導体基板の機械加工に用いられる工具と砥石の種類を紹介します。また、実際に酸化ガリウム基板の表面を各種砥石で研削加工した事例や、SiC基板との研削性の違い、酸化ガリウムならではの課題などを解説します。最後に、酸化ガリウム研削の課題の一つである表面の均一化に向けての取り組み、今後の課題・展望を紹介します。