先端半導体の最新技術動向とパッケージング向けのCMPプロセスにおける課題・将来展望（仮題）
〜ロジック半導体の技術動向・パッケージング向けのCMP工程の最新技術・スラリー開発と洗浄技術〜
ブルカージャパン株式会社主催特別講座
★2025年7月8日WEBでオンライン開講。ブルカージャパン株式会社主催セミナー。第一人者の東京大学 平本氏、株式会社荏原製作所 今井氏、ブルカージャパン株式会社 ご担当者様、株式会社レゾナック 野田氏が、先端半導体の最新技術動向とパッケージング向けのCMPプロセスと課題・今後の展望について解説！
■注目ポイント
★先端半導体パッケージング向けCMPプロセスの技術動向と装置の基本構造、洗浄課題と解決策、CMPスラリーの要求特性求および関連材料の機械的特性評価のそれぞれについて徹底解説！
★ロジック半導体デバイスの技術動向、CMP装置の基本構造、CMP独特な洗浄課題と解決策、CMP関連材料の機械的特性評価、先端半導体パッケージング分野向けCMPスラリーの開発動向と求められる特性について解説！
- 第1部 東京大学 生産技術研究所 情報・エレクトロニクス系部門 / 教授 平本 俊郎 氏
- 第2部 株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
- 第3部 ブルカージャパン株式会社 ナノ表面計測事業部 ブルカージャパン ご担当者様 氏
- 第4部 株式会社レゾナック 研磨材料開発部 野田 千暁 氏
【1名の場合】5,500円(税込)
定員：60名
※ お申込みに際しご提供いただく個人情報は、本講座に関しまして、AndTechが提供するシステム上で受付・管理を行うとともに、本講座の主催者であるブルカージャパン株式会社様にも提供いたします。この点につきまして、あらかじめご同意いただける方のみ、お申込みくださいますようお願い申し上げます。
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURLについては、別途メールでご案内いたします。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★近年、IOT, Cloud data server, AI semiconductor, EV & Autonomous Car, 5G Mobile Communication (ICAC5)の躍進により、そこに使用される半導体デバイスの需要は増え続けています。
★電子媒体であるチップ構造も、微細化一辺倒から三次元化も含めて形態の複雑化、使用される材料の変化が継続的に進められており、半導体製造工程の一つであるCMP技術においては、微細化に伴う、平坦性、欠陥抑制は更なる厳しい値が求められており、新たな構造や材料の変化にも対応しなければなりません。
■注目ポイント
★半導体デバイスの専門家が過去の半導体発展の経緯、現在の開発状況、将来動向を一気通貫でわかりやすく解説！
★数十年にわたり半導体洗浄プロセス技術に関わっている講師が先端CMP装置の基礎と平坦性のトレンドについてわかりやすく解説！ あわせて、CMP独特な洗浄課題と解決策などについてもわかりやすく解説！
★先端半導体パッケージング分野向けCMPスラリーの開発動向と求められる特性とは！？
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【全体スケジュール】
13:30-14:15 第1部(第1講)「ロジック半導体デバイスの技術動向と後工程の課題」
14:25-15:10 第2部(第2講)「半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴」
15:20-16:05 第3部(第3講)「CMP関連材料の測定・分析評価（仮）」
16:15-17:00 第4部(第4講)「先端半導体パッケージング向けCMP技術とスラリー開発」
【第1講】 ロジック半導体デバイスの技術動向
【時間】 13:30-14:15
【講師】東京大学 生産技術研究所 情報・エレクトロニクス系部門 / 教授 平本 俊郎 氏
【講演主旨】
生成AI等の出現で半導体技術への関心が高まっている．本講座では，世界および日本における半導体産業の動向を概説するとともに，各種半導体の中でも特にAI向けに需要が高まっている先端ロジック半導体のトランジスタ技術について解説する．トランジスタ構造は従来の平面構造から立体構造へ変化し，さらなる性能向上と消費電力低減に寄与すると予想される．
【プログラム】
1. はじめに：半導体を取り巻く状況
2. 先端ロジック半導体デバイスの技術動向
2.1. トランジスタ発展の経緯
2.2. 先端ロジック半導体の開発状況
2.3. 将来動向と技術課題
3. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
先端ロジック半導体，半導体産業，FinFET，GAA，TSMC，インテル，AI
【講演のポイント】
半導体デバイスの専門家が，過去の半導体発展の経緯，現在の開発状況，将来動向を一気通貫でわかりやすく解説する．
【第2講】 半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴
【時間】 14:25-15:10
【講師】株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
【講演主旨】
近年、IOT, Cloud data server, AI semiconductor, EV & Autonomous Car, 5G Mobile Communication (ICAC5)の躍進により、そこに使用される半導体デバイスの需要は増え続けている。電子媒体であるチップ構造も、微細化一辺倒から三次元化も含めて形態の複雑化、使用される材料の変化が継続的に進められており、半導体製造工程の一つであるCMP技術においては、微細化に伴う、平坦性、欠陥抑制は更なる厳しい値が求められており、新たな構造や材料の変化にも対応しなければならない。今回の講演では、CMP装置の基本的な構造を述べ、特にCMP後の洗浄については一般の半導体洗浄との違い、CMP独特な洗浄課題と解決策などについてわかりやすく解説する。
【プログラム】
1. はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場
2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
2-1 CMP(Chemical Mechanical Polisher/Planarization)とは
2-2 CMPの研磨部の基本構成
(1) 原理
(2) 研磨ヘッドの種類と歴史
(3) エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
(4) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3. 半導体業界の洗浄工程について
3-1 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
5. Cu洗浄と腐食
6. 今後のCMP後洗浄
7. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
CMP, 研磨ヘッド, エンドポイント, 半導体洗浄, CMP後洗浄, Cu腐食
【講演のポイント】
・先端CMP装置の基礎と、平坦性のトレンドについてわかりやすく解説。
・講演者は、数十年にわたり半導体洗浄プロセス技術に関わっており、一般の半導体洗浄プロセス技術とCMP後の洗浄技術の大きな差について気付き、そのあたりを経験から詳しく解説。
【習得できる知識】
半導体技術ロードマップ～CMP装置の基礎知識～一般半導体の洗浄とCMP後の洗浄の基礎知識
【第3講】 CMP関連材料の測定・分析評価（仮）
【時間】 15:20-16:05
【講師】ブルカージャパン株式会社 ナノ表面計測事業部 ブルカージャパン ご担当者様 氏
【講演主旨】
※現在、講師の先生に最新のご講演主旨をご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
【プログラム】
※現在、講師の先生に最新のご講演プログラムをご考案いただいております。完成次第、本ページを更新いたします。
【第4講】 先端半導体パッケージング向けCMP工程の技術動向とスラリー技術
【時間】 16:15-17:00
【講師】株式会社レゾナック 研磨材料開発部 野田 千暁 氏
【講演主旨】
近年、半導体デバイスが社会的に注目され、よりその進展が議論されるようになってきました。特に半導体デバイスの高性能化により、これまでの微細化（半導体デバイス製造の前工程中心の進歩）から3次元実装（後工程中心の進歩）へ転換が注目されています。日々技術が発展する中で、最新の業界内情報に基づき半導体デバイスの製造方法であるCMPについてわかりやすく説明します。また、先端半導体パッケージ分野におけるCMP特有の課題とスラリーの開発動向について紹介します。
【プログラム】
１．CMPの基礎事項
1.1 CMP: Chemical Mechanical Planarizationとは
1.2 CMP適用の必要性
1.3 CMP工程の種類
1.4 CMPに供される部材
２．CMPスラリーの基礎事項
2.1 CMPスラリーの種類
2.2 CMPスラリーに含まれる各材料の役割
2.3 研磨メカニズム
３．CMPに求められる一般的な特性とその改善方法
3.1 平坦性
3.2 研磨速度・選択比
3.3 清浄性・欠陥
４．先端半導体パッケージング分野のCMP
4.1 先端半導体パッケージング分野でのCMPの位置づけ
4.2 先端半導体パッケージング分野向けCMP特有の課題
4.3 先端半導体パッケージング分野向けCMPスラリーの開発動向
【質疑応答】
【キーワード】
先端半導体パッケージ、CMP工程とスラリー
【講演者のPR】
株式会社 レゾナック、研磨材料開発部、上級研究員
【経歴】
2019年 株式会社レゾナック (旧日立化成㈱)入社
前工程(FEOL)向け CMPスラリー(ナノセリアスラリ)の平坦化開発に従事
2021年 後工程向けCMPスラリー(封止材研磨用スラリ)の基礎開発に従事
2022年 国際学会(ICPT @ 米国 Portland)にて主筆発表
以後、専門分野であるシリコン研磨の知識を活用し、引き続き後工程向けCMPスラリーの開発に従事
【習得できる知識】
・CMP工程の基礎事項
・CMPスラリーの基礎事項
・先端半導体パッケージング分野向けCMPスラリーに求められる特性
・先端半導体パッケージング分野向けCMPスラリーの開発動向