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開催日時 2025年10月22日(水) 13:00-17:00
受講料 1名45,100円(税込)より
★2025年10月22日開講。【産総研・上級主任研究員:高 磊 氏】による、光導波路素子を20年に渡って研究してきた専門家が、光導波構造の基礎とシリコンフォトニクス技術の展望と課題を解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
光導波路材料の選定から、変調・検出・光源などの素子の動作原理、異種材料を活用したハイブリッド集積技術への応用など、半導体光素子の設計や光電融合への展望を学べる講座です。シリコンフォトニクスは、新たなブレークスルーが求められています。現在の課題と展望、最先端の技術についても解説します。
01 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 高 磊 氏
13:00-17:00
第1講
講 師
国立研究開発法人 産業技術総合研究所 光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム 上級主任研究員 高 磊 氏
【プログラム】
1. 光導波路の基礎と集積回路用光材料
1.1 光導波構造の基礎
a. 1次元の光閉込めと光伝搬
b. 2次元(3層スラブ導波路)の固有値方程式と導波モード形成
c. 高次モードとカットオフ
1.2 各種導波路材料比較
a. ガラス系光導波路
b. 化合物半導体光導波路
c. シリコン系光導波路
2. シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴
2.1 パッシブ光デバイス
a. 導波路
b. 分岐/結合
c. 光入出力結合
d. 波長フィルタ
e. 偏波操作
2.2 光変調器
a. Si変調器
b. III-V族変調器
c. LN変調器
d. EOポリマー変調器
2.3 受光器
a. Ge受光器
b. III-V受光器
2.4 レーザー光源
a. Ge光源
b. III-V光源
3. シリコンフォトニクス集積素子とハイブリッド集積技術の応用
3.1 ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
3.2 CMOS互換モノリシック集積技術
3.3 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
a. Wafer-on-Wafer (WoW)接合
b. Chip-on-Wafer (CoW)接合
c. Micro-Transfer Printing (MTP)接合
3.4 光チップレット、2.5/3次元実装、Co-Packaged Optics技術
3.5 シリコンフォトニクスファウンドリーサービス
【質疑応答】
| セミナー番号 | S251055 |
|---|---|
| セミナー名 | シリコンフォトニクス(光導波路) |
| 講師名 | 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム 上級主任研究員 高 磊 氏 |
| 開催日時 | 2025年10月22日(水) 13:00〜17:00 |
| 会場 | ※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です |
| 受講料 | ●1名様 :45,100円(税込、資料作成費用を含む) |
| 定員 | 1名 |
| 備考 | 定員:30名 |