シリコンフォトニクスを構成する光機能素子の動作原理と集積回路への応用 ~光導波路の基礎から光電融合への展望~
★2025年10月22日開講。【産総研・上級主任研究員:高 磊 氏】による、光導波路素子を20年に渡って研究してきた専門家が、光導波構造の基礎とシリコンフォトニクス技術の展望と課題を解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
光導波路材料の選定から、変調・検出・光源などの素子の動作原理、異種材料を活用したハイブリッド集積技術への応用など、半導体光素子の設計や光電融合への展望を学べる講座です。シリコンフォトニクスは、新たなブレークスルーが求められています。現在の課題と展望、祭祀先端の技術についても解説します。
- 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム 上級主任研究員 高 磊 氏
●1名様 :45,100円(税込、資料作成費用を含む)
●2名様以上:16,500円(お一人につき)
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
定員:30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたします。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについて、別途メールでご案内いたします。基本的にはマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【時間】 13:00-17:00
【講師】国立研究開発法人 産業技術総合研究所 光電融合研究センター 光電子集積デバイス研究チーム 上級主任研究員 高 磊 氏
【講演主旨】
シリコンフォトニクス技術と呼ばれる、シリコン系光導波路素子によるモノリシック/ハイブリッド集積や実装技術は、基礎的な研究フェーズから、産業展開へと続く実用化フェーズへ移行しており、市場規模は著しい成長を続けている。しかしながら、更に高密度・高性能な光集積回路を実現に向けて、解決すべき技術課題は依然として多く存在するため、新たなブレークスルーが求められる。
本セミナーでは過去20年間に渡る技術動向調査を基にした、基礎的な素子動作原理から最先端技術について解説を行った上で、現在の諸課題について議論を行う。
【講演のポイント】
半導体光素子の設計やプロセス加工業務に携わって数年程度の若手技術者や新人の方。または、新たに本分野の研究開発業務に携わる予定のある方。
【習得できる知識】
①光導波構造の基礎、各種材料を活用した場合の長所/短所の比較
②シリコンフォトニクスデバイスの基本動作原理、研究開発の現状
③モノリシック/ハイブリッドフォトニクス集積技術、ファブレス化の動向
【講演キーワード】
高集積光導波路材料 光閉込め 光伝搬 導波モード形成 導波モード シリコンフォトニクス パッシブ光デバイス 光変調器 受光器 レーザー光源 CMOS互換モノリシック集積技術 ハイブリッド集積技術 光チップレット 2.5/3次元実装 Co-Packaged Optics技術
【プログラム】
1. 光導波路の基礎と集積回路用光材料
1.1 光導波構造の基礎
a. 1次元の光閉込めと光伝搬
b. 2次元(3層スラブ導波路)の固有値方程式と導波モード形成
c. 高次モードとカットオフ
1.2 各種導波路材料比較
a. ガラス系光導波路
b. 化合物半導体光導波路
c. シリコン系光導波路
2. シリコンフォトニクス単体素子の動作原理と特徴
2.1 パッシブ光デバイス
a. 導波路
b. 分岐/結合
c. 光入出力結合
d. 波長フィルタ
e. 偏波操作
2.2 光変調器
a. Si変調器
b. III-V族変調器
c. LN変調器
d. EOポリマー変調器
2.3 受光器
a. Ge受光器
b. III-V受光器
2.4 レーザー光源
a. Ge光源
b. III-V光源
3. シリコンフォトニクス集積素子とハイブリッド集積技術の応用
3.1 ムーアの法則と集積フォトニクスデバイスの応用
3.2 CMOS互換モノリシック集積技術
3.3 異種材料を活用したハイブリッド集積技術
a. Wafer-on-Wafer (WoW)接合
b. Chip-on-Wafer (CoW)接合
c. Micro-Transfer Printing (MTP)接合
3.4 光チップレット、2.5/3次元実装、Co-Packaged Optics技術
3.5 シリコンフォトニクスファウンドリーサービス
【質疑応答】