半導体製造プロセスにおけるCMP研磨・洗浄プロセスの最新動向とSiC対応・今後の展開
～パッド・コンディショナー・装置の要求と平坦化・欠陥抑制技術・配線洗浄～
★2024年10月31日WEBでオンライン開講。荏原製作所 今井正芳氏、産業技術総合研究所 加藤智久氏、ISTL 礒部晶 氏によるCMP研磨プロセスの最新動向について解説する講座です。
■注目ポイント
★半導体洗浄プロセス技術の専門家３名による講座。
★半導体製造プロセスに欠かせないCMP研磨技術、洗浄プロセス、SiC対応、
パッド・コンディショナなど詳細にわたり解説
- 第1部 株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
- 第2部 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
- 第3部 株式会社ISTL 代表取締役 礒部 晶 氏
【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURLについては、別途メールでご案内いたします。事前の配布資料につきましては紙テキストで郵送にてお送りいたします。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
近年、社会のIT化に伴い、半導体デバイスの需要が高まっている。それに伴い電子媒体であるチップ構造も高度化が進み、半導体製造工程であるCMP技術もさらなる向上が求められている。本講座ではCMPの研磨技術に焦点をあて、CMP装置の基本的な構造から、洗浄・研磨技術・研磨パッドなど最新の技術について解説する。
■注目ポイント
★最先端のCMP工程の特徴とそれらに必要な最新技術を、経験豊富な講師が丁寧に解説！
★半導体洗浄や研磨パッドなど、各工程についても詳説！
講座担当：金本 恵子
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫
【第1講】 半導体CMPプロセス装置概要とCMP洗浄課題と動向
【時間】 13:30-14:30
【講師】株式会社荏原製作所 精密・電子カンパニー 装置事業部 技術マーケティング課 今井 正芳 氏
【講演主旨】
【プログラム】
2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
2-1 CMP(Chemical Mechanical Polisher/Planarization)とは
2-2 CMPの研磨部の基本構成
(1) 原理
(2) 研磨ヘッドの種類と歴史
(3) エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
(4) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3. 半導体業界の洗浄工程について
3-1 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
5. Cu洗浄と腐食
6. 今後のCMP後洗浄
7. まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
CMP, 研磨ヘッド, エンドポイント, 半導体洗浄, CMP後洗浄, Cu腐食
【講演ポイント】
・先端CMP装置の基礎と、平坦性のトレンドについてわかりやすく解説。
・講演者は、数十年にわたり半導体洗浄プロセス技術に関わっており、一般の半導体洗浄プロセス技術とCMP後の洗浄技術の大きな差について気付き、そのあたりを経験から詳しく解説。
【習得できる知識】
半導体技術ロードマップ～CMP装置の基礎知識～一般半導体の洗浄とCMP後の洗浄の基礎知識
【第2講】 パワーデバイス用ＳｉＣウエハの研磨加工
【時間】 14:45-15:45
【講師】産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
【講演主旨】
シリコンに代わる高性能・低損失パワー半導体として近年期待されているSiC半導体は、材料物性として高い硬脆性を示すために半導体ウェハに加工することが難しく、大口径化が進むに連れプロセスコストも重要な課題となっている。ここではSiCウェハの平坦化加工技術にフォーカスし、従来技術の開発背景、技術課題を紹介しながら、今後のSiCウェハの高速化・低コスト化・ダメージレス化を目指した新しい研磨技術開発について議論する。特に、CMPに代表される化学援用加工の現状とその知見から新しく発展させる取り組みなどにも触れ、今後の研磨技術に求められる
【キーワード】
パワー半導体、SiC、ウェハ加工、研磨、研削、CMP、高速化、低コスト化、ダメージレス化
【講演ポイント】
SiCの市場・技術動向、従来のSiウェハ技術との比較検討、CMPの前工程技術およびCMP本工程での新しい技術アプローチ等を紹介し、今後の大口径SiCウェハのCMPに求められている性能と解決策について考察・議論する。
【習得できる知識】
大口径SiCウェハの加工技術に関する基礎から応用までの技術情報、現在の技術課題、およびそれらの解決に向けた近年の開発動向。
【プログラム】
1． SiCパワー半導体の社会実装とウェハ技術の動向
1-1 SiCパワー半導体の特徴と効果
1-2 SiCウェハ技術開発とその動向
1-3 SiCウェハ技術の現状と課題
1-4 国内におけるSiCウェハ技術開発と目的
2． SiCウェハの平坦化加工技術
2-1 SiウェハとSiCウェハの加工技術の比較
2-2 大口径SiCウェハの高速加工における先行技術と応用
2-2-1 高速研削加工
2-2-2 高精度研削加工のデバイス技術応用
2-3 大口径SiCウェハの高速研磨加工と応用
2-3-1 鏡面研磨領域の大口径化対応と高速化
2-4 大口径SiCウェハのCMP
2-4-1 酸化剤によるCMPの能率改善と潜傷抑制
2-4-2 CMPのデバイス技術応用
2-4-3 新しい高速酸化援用加工
3． おわりに
【質疑応答】
【第3講】 CMP研磨パッドの最新技術＆動向
【時間】 16:00-17:00
【講師】株式会社ISTL 代表取締役 礒部 晶 氏
【講演主旨】
微細化が限界に近づいたため、ムーアの法則を維持するためにデバイス構造は複雑化が進んでいる。それに伴ってCMP工程数は増え続けており、求められる性能もますます厳しくなっている。本講ではCMPの平坦化および材料除去メカニズムを解説し、それに基づいたCMP研磨パッドの物性との関係を示す。最新のデバイスCMP動向や、CMP特性に大きな影響を与えるパッドコンディショナーについても解説する。
【キーワード】
CMP,材料除去メカニズム, 平坦化メカニズム
【講演ポイント】
最新のCMP工程の特徴と、それに対してどのようなCMPパッドが求められるのかについて、平坦化メカニズムや材料除去メカニズムを踏まえて解説する。
【習得できる知識】
・CMPパッドの種類と特徴
・CMP平坦化メカニズム
・CMP材料除去メカニズム
・最新CMP工程に求められるCMPパッドの特徴
【プログラム】
1．CMPの技術動向
1-1 増え続けるCMP工程数
1-2 新しいCMP工程の特徴
2．平坦化と材料除去のメカニズム
2-1 平坦化のメカニズムとCMPパッドの関係
2-2 材料除去のメカニズムとCMPパッドの関係
3．CMP研磨パッドの種類と特徴
3-1 ハードパッドとソフトパッド
3-2 CMP研磨パッドの物性とCMP性能の関係
3-3 パッドコンディショナーについて
3-4 開発のヒント
4．まとめ
【質疑応答】