LIVE配信・WEBセミナー

半導体製造プロセスにおけるCMP研磨・洗浄プロセスの最新動向とSiC対応・今後の展開
～パッド・コンディショナー・装置の要求と平坦化・欠陥抑制技術・配線洗浄～

開催日時　2024年10月31日（木） 13:30-17:00

受講料　1名49,500円（税込）より

セミナー内容

★2024年10月31日WEBでオンライン開講。荏原製作所 今井正芳氏、産業技術総合研究所　加藤智久氏、ISTL  礒部晶 氏によるCMP研磨プロセスの最新動向について解説する講座です。

■注目ポイント
　★半導体洗浄プロセス技術の専門家３名による講座。
　★半導体製造プロセスに欠かせないCMP研磨技術、洗浄プロセス、SiC対応、
　　パッド・コンディショナなど詳細にわたり解説

【今回の登壇者】

  • 第1講：無所属：今井　正芳 氏「半導体CMPプロセス装置概要とCMP洗浄課題と動向」
  • 第2講：国立研究開発法人　産業技術総合研究所：加藤　智久 氏「パワーデバイス用ＳｉＣウエハの研磨加工」
  • 第3講：株式会社ISTL：礒部　晶 氏「CMP研磨パッドの最新技術＆動向」

講師紹介

プログラム

13:30-14:30

第1講

半導体CMPプロセス装置概要とCMP洗浄課題と動向

講　師

無所属　無所属 今井　正芳 氏

【講演主旨】

■本セミナーの主題および状況
近年、社会のIT化に伴い、半導体デバイスの需要が高まっている。それに伴い電子媒体であるチップ構造も高度化が進み、半導体製造工程であるCMP技術もさらなる向上が求められている。本講座ではCMPの研磨技術に焦点をあて、CMP装置の基本的な構造から、洗浄・研磨技術・研磨パッドなど最新の技術について解説する。

■注目ポイント

★最先端のCMP工程の特徴とそれらに必要な最新技術を、経験豊富な講師が丁寧に解説！
★半導体洗浄や研磨パッドなど、各工程についても詳説！

講座担当：金本　恵子

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫

【プログラム】

1. はじめに・・・2030年に向けたSEMI・CMP市場
2. 半導体製造におけるCMP工程の概説
　2-1 CMP(Chemical Mechanical Polisher/Planarization)とは
　2-2 CMPの研磨部の基本構成
　(1) 原理
　(2) 研磨ヘッドの種類と歴史
　(3) エンドポイントセンサの種類、機能、用途、特徴
　(4) 装置構成（研磨部、洗浄部、搬送部）
3. 半導体業界の洗浄工程について
　3-1 工程数（Logic, NAND, DRAM)
4. 一般洗浄とCMP後の洗浄
5.　Cu洗浄と腐食
6. 今後のCMP後洗浄
7. まとめ
【質疑応答】

【キーワード】
CMP,  研磨ヘッド,  エンドポイント,  半導体洗浄,  CMP後洗浄,  Cu腐食

【講演ポイント】
・先端CMP装置の基礎と、平坦性のトレンドについてわかりやすく解説。
・講演者は、数十年にわたり半導体洗浄プロセス技術に関わっており、一般の半導体洗浄プロセス技術とCMP後の洗浄技術の大きな差について気付き、そのあたりを経験から詳しく解説。

【習得できる知識】
半導体技術ロードマップ～CMP装置の基礎知識～一般半導体の洗浄とCMP後の洗浄の基礎知識

14:45-15:45

第2講

パワーデバイス用ＳｉＣウエハの研磨加工

講　師

国立研究開発法人　産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤　智久 氏

【講演主旨】

■本セミナーの主題および状況
近年、社会のIT化に伴い、半導体デバイスの需要が高まっている。それに伴い電子媒体であるチップ構造も高度化が進み、半導体製造工程であるCMP技術もさらなる向上が求められている。本講座ではCMPの研磨技術に焦点をあて、CMP装置の基本的な構造から、洗浄・研磨技術・研磨パッドなど最新の技術について解説する。

■注目ポイント

★最先端のCMP工程の特徴とそれらに必要な最新技術を、経験豊富な講師が丁寧に解説！
★半導体洗浄や研磨パッドなど、各工程についても詳説！

講座担当：金本　恵子

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫

【プログラム】

1．　SiCパワー半導体の社会実装とウェハ技術の動向
　1-1　SiCパワー半導体の特徴と効果
　1-2　SiCウェハ技術開発とその動向
　1-3　SiCウェハ技術の現状と課題
　1-4　国内におけるSiCウェハ技術開発と目的
2．　SiCウェハの平坦化加工技術
　2-1　SiウェハとSiCウェハの加工技術の比較
　2-2　大口径SiCウェハの高速加工における先行技術と応用
　　2-2-1　高速研削加工
　　2-2-2　高精度研削加工のデバイス技術応用
　 2-3　大口径SiCウェハの高速研磨加工と応用
　　2-3-1　鏡面研磨領域の大口径化対応と高速化
　2-4 　大口径SiCウェハのCMP
　　2-4-1　酸化剤によるCMPの能率改善と潜傷抑制
　　2-4-2 CMPのデバイス技術応用
　　2-4-3 新しい高速酸化援用加工
3．　おわりに
【質疑応答】

16:00-17:00

第3講

CMP研磨パッドの最新技術＆動向

講　師

株式会社ISTL　代表取締役 礒部　晶 氏

【講演主旨】

■本セミナーの主題および状況
近年、社会のIT化に伴い、半導体デバイスの需要が高まっている。それに伴い電子媒体であるチップ構造も高度化が進み、半導体製造工程であるCMP技術もさらなる向上が求められている。本講座ではCMPの研磨技術に焦点をあて、CMP装置の基本的な構造から、洗浄・研磨技術・研磨パッドなど最新の技術について解説する。

■注目ポイント

★最先端のCMP工程の特徴とそれらに必要な最新技術を、経験豊富な講師が丁寧に解説！
★半導体洗浄や研磨パッドなど、各工程についても詳説！

講座担当：金本　恵子

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫

【プログラム】

1．CMPの技術動向
　1-1　増え続けるCMP工程数
　1-2　新しいCMP工程の特徴
2．平坦化と材料除去のメカニズム
　2-1　平坦化のメカニズムとCMPパッドの関係
　2-2　材料除去のメカニズムとCMPパッドの関係
3．CMP研磨パッドの種類と特徴
　3-1　ハードパッドとソフトパッド
　3-2　CMP研磨パッドの物性とCMP性能の関係
　3-3　パッドコンディショナーについて
　3-4　開発のヒント
4．まとめ
 【質疑応答】

開催概要

セミナー番号 S241062
セミナー名 CMP研磨プロセス
講師名 第1部　無所属　無所属　今井　正芳　氏
第2部　国立研究開発法人　産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　加藤　智久　氏
第3部　株式会社ISTL　代表取締役　礒部　晶　氏
開催日時 2024年10月31日（木） 13:30〜17:00
会場 ※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)

2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員 1名
備考

定員：30名

※　お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※　セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURLについては、別途メールでご案内いたします。事前の配布資料につきましては紙テキストで郵送にてお送りいたします。

※　請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※　お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※　領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※　2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※　当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※　なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。



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