パワー半導体用SiCウェハ加工技術の基礎と最新スライシング・検査・解析技術
～切断・研削・研磨・CMPからレーザ・WEDM、加工変質層・結晶欠陥評価まで～
★2026年9月25日WEBでオンライン開講。産業技術総合研究所 加藤氏、埼玉大学 山田氏、出光興産株式会社 北村氏、レーザーテック株式会社 藤木氏が、【パワー半導体用SiCウェハ加工技術の基礎と最新スライシング・検査・解析技術～切断・研削・研磨・CMPからレーザ・WEDM、加工変質層・結晶欠陥評価まで～】について解説する講座です。
■注目ポイント
★SiCウェハの開発動向と切断・研削・研磨・CMPの基盤技術から材料ロスや加工時間の低減を目指すレーザスライシング・WEDM、歩留まり・信頼性を支える加工歪・表面ダメージ・結晶欠陥の検査・解析手法までを網羅的に学べる講座！
- 第1部 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
- 第2部 埼玉大学 理工学研究科 山田 洋平 氏
- 第3部 出光興産株式会社 営業研究所 インダストリアルオイル開発グループ / 主任 北村 友彦 氏
- 第4部 レーザーテック株式会社 技術六部 藤木 翔太 氏
【1名の場合】66,000円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、22,000円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき22,000円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は22,000円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況（講師より）
★SiCパワー半導体の実用化と市場拡大が進む一方、SiCウェハは極めて硬く化学的にも安定しているため、切断・研削・研磨・CMPなどの各加工工程における高効率化、低コスト化、高品質化が重要な課題となっています。
★特にスライシング工程では、材料ロスや加工時間の低減に向け、レーザスライシングやWEDMなどの新たな加工技術が注目されており、量産適用に向けた加工条件の最適化と実用化技術の確立が求められています。
★また、加工後に残存する加工歪・表面ダメージ・結晶欠陥はデバイスの歩留まりや信頼性に影響するため、加工技術と併せて、全数検査や詳細解析を含む適切な評価・品質管理技術の重要性が高まっています。
■注目ポイント
★SiCウェハの開発動向から切断・研削・研磨・CMP、加工変質層の抑制、大口径化対応まで難加工材SiCのウェハ加工技術を解説！
★材料ロスを抑えるレーザスライシングや水・油WEDMによる放電スライシングなどSiCウェハの低コスト化・高効率化に向けた次世代切断技術と実用化への課題を紹介！
★加工歪・表面ダメージ・結晶欠陥がデバイスの歩留まりや信頼性に及ぼす影響を踏まえ量産工程に求められる全数検査と詳細解析の最適な評価設計を解説！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 パワー半導体用SiCウェハの開発動向と加工技術（仮題）
【時間】 09:15-10:45
【講師】国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 加藤 智久 氏
【講演主旨】
※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
SiCパワー半導体はここ数年で省エネルギー電力制御機器として各産業分野に実装が進み、SiCウェハ産業も世界的に拡大しつつある。SiCウェハは極めて硬く安定な材料であるため、その材料となるSiC単結晶の成長やウェハ加工は技術的にシリコンよりかなり難易度が高いことが知られている。
本セミナーでは、SiCパワー半導体用ウェハの開発動向およびウェハ製造に関わるウェハ加工技術と新しい技術アプローチについて解説する。
【プログラム】
※現在、最新のご講演プログラムを講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
1. SiCパワー半導体およびSiCウェハの開発動向
1）SiCの基礎と物性
a) 身近なSiC
b) ワイドギャップ半導体と特徴
c) SiCウェハ
d) 他半導体材料とSiCの違い
2）SiCパワー半導体への応用
a) SiCを使ったパワーエレクトロニクス技術
b) SiCパワー素子がもたらす技術変革・応用事例
3）SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求
a) パワー半導体用SiCウェハ開発の歴史
b) 国内・外でのSiCウェハ開発動向
c) SiCウェハ開発に対する今後の期待
2. SiCウェハ加工技術
1）SiCのウェハ加工
a) SiCウェハ加工工程と技術課題
2）ウェハ切断工程
a) SiC単結晶の切断技術
b) 切断工程の高速化技術
c) 切断工程の課題と新しい切断技術
3）ウェハ研削工程
a) SiCウェハの研削加工
b) 研削加工の高速・鏡面化技術
c) 研削工程の課題と新しい研削加工技術
4）ウェハ研磨工程
a) SiCウェハの研磨加工
b) 研磨加工と研削加工の特徴や違い
c) 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
5）CMP工程
a) SiCウェハのCMP加工
b) CMPの高速化技術
c) CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
6）加工変質層と評価
a) 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
b) 加工変質層の評価技術
c) 加工変質層の抑制技術
7）大口径化対応
a) SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
b) 大口径化対応へ向けた解決策の検討
【質疑応答】
【習得できる知識】
半導体用SiCウェハ製造技術（加工、評価）の基礎知識、これまでの開発動向、現在の技術課題とアプローチ、SiCウェハ産業の動向に関する知識
【第2講】 SiCウェハのレーザスライシング技術
【時間】 10:55-11:55
【講師】埼玉大学 理工学研究科 山田 洋平 氏
【講演主旨】
SiCウエハを切りくず無く薄くスライシングする技術として、本研究室ではレーザスライシング技術を提案しています。ウエハ内部にレーザ光を集光し、微小なき裂を連鎖させることで精密切断を実現する技術であるため、持続可能な社会を目指す上で好適な環境にやさしい技術として注目され始めました。しかし、生産ラインに乗せるためにはいくつかの課題が立ちはだかります。そこで本講座では、レーザスライシング技術の基礎から、スライシングを成功させるためのキーポイント・勘所、現状の課題と今後の展望について解説します。
【プログラム】
１．研究背景
１－1 SiCウエハ製造の課題
１－２ レーザスライシング技術の概略と市場へのインパクト
２．SiCのレーザスライシングの原理
２－１ レーザと装置の選定
２－２ レーザパラメータが加工に及ぼす影響
２－３ スライシングを成功させるためのキーポイント
３．SiCのレーザスライシングの現状と課題
３－１ 材料ロスと加工時間
３－２ 他材料への応用
３－３ 実用化に向けた試み
４．今後の展望
【質疑応答】
【キーワード】
・SiC
・ダイヤモンド
・光学レンズ
・レーザスライシング
【講演のポイント】
今後、登場する様々な半導体材料に対して、柔軟に対応できる加工技術の一つであると同時に、プレイヤーの少ない新規性の高い加工技術です。実用化できれば市場に対するインパクトは大きいと考えています。
【習得できる知識】
・レーザスライシング技術の原理
・レーザパラメータが加工に及ぼす影響
・実用化に向けた各種要素技術
【第3講】 水と油WEDMによる導電性SiCインゴットのスライスの研究 ―加工特性と溝の加工状況およびスライス面の表面性状と平坦度の調査―（仮題）
【時間】 12:55-14:10
【講師】出光興産株式会社 営業研究所 インダストリアルオイル開発グループ / 主任 北村 友彦 氏
【講演主旨】
※現在、最新のご講演主旨を講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
【プログラム】
※現在、最新のご講演プログラムを講師の先生にご考案いただいております。完成次第本ページを更新いたします。
【第4講】 実用化の進むSiCウェハに最適な加工歪・ダメージ・結晶欠陥の解析・検査手法
【時間】 14:20-15:50
【講師】レーザーテック株式会社 技術六部 藤木 翔太 氏
【講演主旨】
優れた材料特性を有する炭化ケイ素（SiC: Silicon Carbide）はパワーデバイスの更なる高効率化・低損失化をもたらすため、カーボンニュートラル社会の実現に向け普及が進んでいる。SiCパワーデバイスの更なる実用化のため、高性能化・低コスト化・高信頼化が求められる。
SiCは物理的・化学的に非常に安定した難加工材料であり、シリコンウェハと比べて加工難易度が高い。加工後のウェハ表面には加工歪や欠陥が残存しやすく、これらがデバイスの歩留まりや信頼性に大きく影響するため、量産工程ではウェハ全数の精密な検査が求められている。
本セミナーではSiCウェハの加工面の欠陥・ダメージがデバイスに及ぼす影響など、加工面の特徴や品質について述べ、その解析および検査手法について解説する。
【プログラム】
1. SiCウェハの重要性と表面品質はじめに
i. SiCパワーデバイスの市況
ii. 大口径化のトレンド
2. SiCウェハの加工プロセスと加工面の特徴
i. SiCウェハの加工プロセスの特徴
ii. SiCウェハの欠陥
3. SiCウェハ評価技術
i. 全数検査と詳細分析
ii. 全数検査手法
iii. 詳細解析手法
4. まとめ：評価設計の考え方
【質疑応答】
【習得できる知識】
SiCなどワイドバンドギャップ半導体ウェハ特有の加工面の課題、およびその課題に対する最適な検査・解析計測・評価のアプローチ方法