【プログラム】

　半導体の微細化が限界に近づく中、3D集積技術はAI時代の性能向上を支える新たな進化軸となっている。その中核技術であるハイブリッド接合は、従来のバンプ接続の延長ではなく、サブミクロン配線やデバイス積層を可能にする新たな集積基盤技術として位置付けられている。本講演ではNAND、3D DRAM、ロジック、チップレット、光電融合など最新の技術動向を俯瞰するとともに、ハイブリッド接合の要素技術、量産化に向けた課題、さらにCMOS 2.0時代における役割と今後の展望について紹介する。

【章立て】
　1. AIが変えた半導体開発競争

　2. なぜ今、ハイブリッド接合なのか

　3. ハイブリッド接合が変える半導体アーキテクチャ

　4. 世界の開発競争最前

　5. まとめ：3D集積は技術競争から産業競争へ

　質疑応答

【キーワード】
　• 3次元半導体集積

　• ハイブリッド接合

　• CMOS 2.0

　• τスケーリング

　• システム統合

　• 半導体エコシステム

【講演者の最大のPRポイント】
　講演者は、imec在籍時代より3D集積・ハイブリッド接合技術の研究開発に最初期から携わり、現在も国内外の先端半導体企業と共同で、300 mmウエハ接合、SiCN/SiCNハイブリッド接合、接合界面評価、信頼性評価に関する研究を推進している。ECTCをはじめとする主要国際会議での継続的な発表実績を有し、ハイブリッド接合を「先端パッケージング技術」ではなく、次世代3D半導体集積を支える基盤技術として捉える視点から、世界の開発競争と今後の展望を解説する。

【習得できる知識】
　日本では、ハイブリッド接合が依然として「バンプ接続の延長」や「先端パッケージング技術の一部」として捉えられることも多い。本講演ではその理解を超え、ハイブリッド接合が配線、デバイス積層、システム統合、さらには半導体産業構造そのものを変える技術であることを、最新の国際動向とともに解説する。

【プログラム】

　スマートフォンや車載カメラ、産業・医療機器など、幅広い分野で用いられているCMOSイメージセンサでの高感度化・高機能化を支える技術の一つが、Cu-Cuハイブリッド接合です。近年では、CMOSイメージセンサ以外の半導体デバイスにも応用が広がっており、微細Cuパッドを用いた接合技術の開発も進められています。
　本講演では、Cu-Cuハイブリッド接合の概要や技術課題を紹介するとともに、基板積層技術を用いたCMOSイメージセンサへの適用例や、最新の技術開発についてご紹介します。

【章立て】
　1. イメージセンサと半導体積層技術
　 　・基板積層技術を用いたイメージセンサの歴史

　2. Cu-Cuハイブリッド接合技術と接合ピッチの進化
　　・Cu-Cuハイブリッド接合の概要
　　・Cu-Cuハイブリッド接合における技術課題
　　・微細ピッチにおける技術開発状況

　3. Cu-Cuハイブリッド接合技術を用いたイメージセンサの進化
　　・イメージセンサにおける高密度化
　　・積層技術を用いたイメージセンサの適応例

　4. さらなるイメージセンサの進化に向けて
　　・イメージセンサの進化軸

　質疑応答

【キーワード】
　イメージセンサ、Cu-Cuハイブリット接合、基板積層

【講演の最大のPRポイント】
　・Cu-Cuハイブリット接合は、CMOSイメージセンサが世界初の実用化を実現しました。
　・Cu-Cuハイブリット接合を用いたイメージセンサへの適用や、最新の開発状況について解説します。

【習得できる知識】
　製作中です。

【プログラム】

　近年、小型、低消費電力、高放熱、高出力などの優れた特性を持つ高性能・高機能半導体デバイスの実現に向けて、異種材料や異種機能を集積する「ヘテロジニアス集積技術」が重要な役割を果たすと注目を集めています。
　このヘテロジニアス集積を実現するための重要な要素技術が「接合技術」です。例えば、AI技術の急速な進展を背景に、先端半導体ではパッケージング技術によって進化（高性能化・低消費電力化）を牽引する動きが加速しており、ハイブリッドボンディングの開発が盛んに進められています。
　こうしたヘテロジニアス集積に向けた接合技術において、大きな課題の一つとなっているのが「接合プロセスの低温化」です。本講演では、特に『常温・低温接合技術』に焦点を当てます。その基礎メカニズムを解説するとともに、具体的なデバイスを例に挙げながら、最新の開発動向および今後の展望についてご紹介します。

【章立て】
　1. パッケージング分野から見た半導体を取り巻く状況
   　 1) チップレットを実現する先端パッケージング技術
    　2) 半導体・デジタル産業戦略の現状と今後
    　2) 次世代半導体のアカデミアにおける研究開発と人材育成
    　3) トップカンファレンスECTCの状況

　2. 半導体デバイス製造に用いられる様々な接合技術の概要

　3. 低温接合プロセスの基礎と応用
   　 1) 表面活性化接合およびプラズマ活性化接合による半導体の直接接合
        　a) Ge/Ge接合（急峻な不純物濃度勾配の実現）
        　b) GaAs/SiC接合（高放熱構造の実現）
    　2) 中間層を介した低温接合
       　 a) Auを介した大気中での常温接合（マルチチップ接合）
        　b) ポリシラザンを介した常温接合（フォトニクス応用）
        　c) ハイブリッドボンディング（半導体の3D集積化）

　4.今後の開発動向
    　1)　ハイブリッドボンディング

　5.おわりに

　質疑応答

【キーワード】
　低温接合、直接接合、ハイブリッドボンディング、三次元実装、ヘテロジニアス集積

【講演の最大のPRポイント】
　半導体パッケージング分野のトップカンファレンスである国際会議ECTCでの発表など、最新の動向と今後の課題を、具体例を挙げながら解説します。

【習得できる知識】
　・半導体デバイス製造に用いられるさまざまな接合技術の基礎（接合原理や評価技術）

　・常温・低温接合技術の基礎知識と最新動向

　・成功事例から学ぶ接合技術の応用に関する情報

　・今後の接合技術の課題と展望