半導体材料のウェットエッチング加工の基礎と 持続的なウェットエッチングプロセス実現への取り組み
～単結晶シリコンの加工を主に，次世代半導体材料のウェットエッチング加工動向を含めて～
★2024年9月3日WEBでオンライン開講。愛知工業大学 田中氏が半導体材料のウェットエッチング加工の基礎と持続的なウェットエッチングプロセス実現への取り組み～単結晶シリコンの加工を主に，次世代半導体材料の ウェットエッチング加工動向を含めて～について解説する講座です。
■注目ポイント
★半導体材料の代表格である単結晶シリコンのウェットエッチング加工特性とそのメカニズムについて解説！
- 愛知工業大学 工学部 機械学科 田中 浩 氏
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★ウェットエッチング加工は、表面に加工歪が残らないことや化学的・結晶学的な作用に基づく異方性加工が行えるなど、機械的・物理的加工と異なるメリットを持っております。
★特に電子・半導体・MEMS加工分野では必要不可欠な加工であり、今後も基盤技術の一つとして持続可能性のあるプロセスにすることが求められます。
■注目ポイント
★単結晶シリコンを主にウェットエッチングプロセスの開発、改善、不具合対応などを20年程度実施してきた講師による講演！
★ウェットエッチング方法、エッチング液、エッチング機構、エッチング方式を選定するときに必要な実験技術とは！？
★次世代半導体材料のウェットエッチング動向や持続的なエッチングプロセスへ取り組みを紹介！
講座担当：牛田孝平
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 10:30-16:30
【講師】愛知工業大学 工学部 機械学科 田中 浩 氏
【講演主旨】
ウェットエッチング加工は、表面に加工歪が残らないことや化学的・結晶学的な作用に基づく異方性加工が行えるなど、機械的・物理的加工と異なるメリットを持ち、特に電子・半導体・MEMS加工分野では必要不可欠な加工である。今後も基盤技術の一つとして持続可能性のあるプロセスにしなければならない。
本講演では半導体プロセスで使用される金属薄膜も含めたウェットエッチングの基礎及びエッチング加工について説明する。また、半導体として基本となる単結晶シリコンに対して、エッチング加工特性とそのメカニズムを述べる。加えて、次世代半導体のウェットエッチング加工や持続的なエッチングプロセス（エッチングプロセスのグリーン化）への取り組みについて説明を行う。
【プログラム】
１．ウェットエッチングの基礎
1.1 ウェットエッチング加工が使用されている分野
1.2 ウェットエッチング加工の方法
1.3 ウェットエッチングのマクロ的な特徴
（等方性と異方性）
1.4 ウェットエッチングのミクロ的な特徴
（エッチング機構）
２．単結晶シリコンのウェットエッチング加工
2.1 酸系エッチング液による等方性エッチング
2.2 アルカリエッチング液による異方性エッチング
2.2.1 アルカリ水溶液によるエッチング加工特性
2.2.2 アルカリ水溶液中でのエッチングメカニズム
2.2.3 エッチング加工特性に及ぼす各種要因
（液中金属不純物、電圧、界面活性剤など）
2.2.4 エッチングマスクパターンの選択
2.2.5 エッチング特性を把握するための実験方法
３．次世代半導体材料のウェットエッチング加工
3.1 次世代半導体材料に使用されているエッチング方法
（光電気化学エッチング、金属アシストエッチングなど）
3.2 SiC、GaN、Ga2O3材料のエッチング加工事例
４．持続的なウェットエッチングプロセス
（アルカリ水溶液による単結晶シリコンエッチングプロセスでの事例）
4.1 エッチング液の低濃度化
4.2 液滴エッチングプロセス
【質疑応答】
【キーワード】
ウェットエッチング，エッチング機構，シリコン，グリーンプロセス
【講演のポイント】
講演者は，単結晶シリコンを主に，ウェットエッチングプロセスの開発，改善，不具合対応などを20年程度実施してきた．常に現地・現物にて現象を把握し，対策を講じてきたことから，具体的な事例経験が豊富であり，専門家間での技術コミュニケーションが取りやすいと考える．
【習得できる知識】
ウェットエッチング方法、エッチング液、およびエッチング機構についての知識が得られる．また、エッチング方式を選定するときに必要な実験技術についても把握できる．
半導体材料の代表格である単結晶シリコンのウェットエッチング加工特性とそのメカニズムについての知識が身につく．加えて、次世代半導体材料のウェットエッチング動向や持続的なエッチングプロセスへ取り組みを把握できる．