次世代パワーデバイス ～SiC・GaN・酸化ガリウムの市場拡大予測と技術ロードマップ、今後の業界展望～
★2025年4月16日WEBオンライン開講。筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏が、次世代パワーデバイス ～SiC・GaN・酸化ガリウムの市場拡大予測と技術ロードマップ、今後の業界展望～ について解説する講座です。
■本講座の注目ポイント
★2025年現在、自動車の電動化（xEV化）の進展に少しブレーキがかかっているようであるが、世界各国の開発の最前線では、その開発に向け大きく進展し続けている。その必要不可欠なxEV化およびAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。
- 筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【1名の場合】45,100円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】
■本セミナーの主題および状況
★xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。
■注目ポイント
★パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向について学習、習得できる！
★シリコンパワー半導体デバイスの強みについて学習、習得できる！
★SiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴と課題について学習、習得できる！
★シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術について学習、習得できる！
★最新実装技術の動向について学習、習得できる！
講座担当：齋藤順
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【時間】 13:30-17:30
【講師】筑波大学 数理物質系 教授 岩室 憲幸 氏
【講演主旨】
これらxEV化ならびにデータセンター内電源の高効率化の進展には高性能パワーデバイスが必要不可欠であり，特に新材料パワーデバイスであるSiC/GaNパワーデバイスの普及が大いに期待されている。しかし現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられていない。
本講座では、SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かを主題に解説する。さらに次々世代パワーデバイスとして期待される酸化ガリウムデバイスについてもわかりやすく解説したい。
【プログラム】
1．パワーエレクトロニクス・パワー半導体デバイスとは？
1-1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1-2 パワーデバイスの種類と基本構造
1-3 パワーデバイスの適用分野
1-4 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
2．最新シリコンパワーデバイスの進展と課題
2-1 MOSFET・IGBT開発のポイント
2-2 特性向上への挑戦
2-3 MOSFET・IGBT特性改善を支える技術
2-4 最新のMOSFET・IGBT技術：まだまだ特性改善が進むシリコンデバイス
2-5 新構造IGBT：逆導通IGBT（RC-IGBT）の開発
3．SiCパワーデバイスの現状と課題
3-1 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3-2 SiCのSiに対する利点
3-3 SiCデバイス普及拡大のポイント
3-4 SiCウェハ技術の進展
3-5 なぜ各社はSiC-MOSFETの低オン抵抗化を目指すのか
3-6 内蔵ダイオード信頼性向上のポイント
3-7 最新SiC-MOSFET技術
4．GaNパワーデバイスの現状と課題
4-1 GaNデバイス構造は”横型GaN on Si”が主流。なぜGaN on GaNではないのか？
4-2 GaN-HEMTの特徴と課題
4-3 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
4-4 最近のGaN-HEMTパワーデバイス開発トピックス
4-5 縦型GaNデバイスの動向
5．酸化ガリウムパワーデバイスの開発
5-1 酸化ガリウムの特徴
5-2 最近の開発トピックス
6．高温対応実装技術
6-1 高温動作ができると何がいいのか
6-2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
6-3 ますます重要度を増すSiC-MOSFETモジュール開発
【質疑応答】
【キーワード】
xEV・データセンタ向けパワー半導体、シリコンパワーデバイス、SiC/GaNパワーデバイス、酸化ガリウムパワーデバイス、パワーデバイスの性能を引き出すための実装技術
【講演の最大のPRポイント】
xEV化ならびにAI化の進展に向けた最新パワー半導体技術ならびに実装技術を、具体例を示しながら紹介し、今後シリコンならびにSiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体技術開発の動向を中心に詳細にかつわかりやすく解説する。
【習得できる知識】
①パワー半導体デバイスならびに実装技術全体の最新技術動向
②シリコンパワー半導体デバイスの強み
③SiC/GaN/酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴と課題
④シリコン、SiC/GaNパワー半導体デバイス特有の設計、プロセス技術
⑤最新実装技術の動向