【 LIVE配信・WEBセミナー】

半導体、及び、半導体デバイス製造プロセス【アーカイブ視聴対応】

★2025年10月3日WEBでオンライン開講。サクセスインターナショナル株式会社 鈴木 俊治 氏が半導体、及び、半導体デバイス製造プロセスについて解説する講座です。

■注目ポイント

★半導体の材料、その構造、物理など、基本的な内容について解説!

★CMOS LSIを中心に半導体デバイスの作製プロセス技術について学ぶ事ができる!

セミナー番号
S251022
セミナー名
半導体製造プロセス技術入門
講師名
  • サクセスインターナショナル株式会社  技術顧問  鈴木 俊治 氏
開催日
2025年10月03日(金) 10:00-17:00
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】49,500円(税込、テキスト費用を含む)

2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURLについては、別途メールでご案内いたします。事前の配布資料につきましては紙テキストで郵送にてお送りいたします。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。

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セミナーに関するQ&Aはこちら(※キャンセル規定は必ずご確認ください)

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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】

■本セミナーの主題および状況

★半導体市場はAI・車載需要を背景に拡大を続け、2030年までに1兆ドル規模に達すると予測されている。

★前工程ではシリコンウェーハ製造、フォトリソグラフィ・成膜・エッチングといったプロセスが高度化しており、極端紫外線(EUV)リソグラフィや先端ノード対応が進展している。

★後工程ではパッケージ技術が進化し、3D実装・チップレット・先端封止技術などが半導体性能向上のカギを握っている。

★前工程・後工程を体系的に理解し、製造プロセス、品質管理、実装工程、さらにシステム設計の知識を整理することが、半導体産業全体の構造と課題を把握するために必須となっている。

■注目ポイント

★半導体の材料、その構造、物理など、基本的な内容について解説!

★CMOS LSIを中心に半導体デバイスの作製プロセス技術について学ぶ事ができる!

講座担当:枩西 洋佑

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫

【時間】 10:00-17:00

【講師】サクセスインターナショナル株式会社 技術顧問 鈴木 俊治 氏

【講演主旨】

半導体の材料、その構造、物理など、基本について理解する。
CMOS LSIを中心にして半導体デバイスの作製プロセス技術について学ぶ。

【プログラム】

1.半導体とは
 1-1 半導体の特長
 1-2 半導体の物理
2.半導体材料
 2-1 Ge, Si, 化合物半導体
 2-2 その他の半導体材料
 2-3 Siの特長
3.Si Wafer
 3-1 Si Waferの製法(石英からSi Wafer)
 3-2 Si WaferからLSIまで
4.半導体デバイス製造プロセス
 4-1 デバイス製造プロセスの概要
 4-2 フォトリソグラフィ
  4-2-1 フォトリソグラフィ工程の流れ
  4-2-2 デバイスの発展とフォトリソグラフィ技術
  4-2-3 微細化対応
  4-2-4 露光光源波長、光学系、露光方式
  4-2-5 フォトレジスト
  4-2-6 フォトマスク(レクチル)
  4-2-7 超解像技術、パターン忠実化技術
 4-3 洗浄技術
  4-3-1 バッチ式洗浄
  4-3-2 枚葉式洗浄
 4-4 不純物導入技術
  4-4-1 熱拡散
  4-4-2 イオン注入
  4-4-3 アニール(Anneal)
 4-5 成膜技術
  4-5-1 熱酸化技術
  4-5-2 CVD技術
  4-5-3 スパッタ技術
  4-5-4 その他成膜技術
 4-6 ドライエッチング技術
 4-7 平坦化技術(CMP)
 4-8 電気検査
  4-8-1 Tr特性評価
  4-8-2 信頼性評価
  4-8-3 歩留まり評価
【質疑応答】

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