【 LIVE配信・WEBセミナー】

酸化物半導体(IGZO)系材料の基礎・研究開発動向とトランジスタ製造プロセス・次世代メモリへの応用展開

★2025年10月23日WEBでオンライン開講。WEBでオンラインLive講義にどこからでも参加できます。第一人者の東京大学  生産技術研究所 教授 小林 正治 氏のご講演。酸化物半導体(IGZO)系材料の基礎・研究開発動向とトランジスタ製造プロセス・次世代メモリへの応用展開についてご講演いただきます。


★TSMC・サムスンなどの大手半導体企業も注目、酸化物半導体(IGZO)系材料による次世代DRAM革新。2030年代、3Dメモリ実用化への扉を開く!

★低温プロセス・高移動度・低リーク、ディスプレイで確立されたIGZOからの材料が、今やメモリ材料の本命になってきた

★酸化物半導体の基礎から3D集積応用まで、開発者が押さえるべき最新研究と実用化課題を徹底解説!

セミナー番号
S251006
セミナー名
酸化物半導体(IGZO)と次世代メモリ
講師名
  • 東京大学  生産技術研究所/教授  小林 正治 氏
開催日
2025年10月23日(木) 13:00-16:00
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

【1名の場合】45,100円(税込、テキスト費用を含む)

2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。

※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ございません。

詳細

定員:30名

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。

※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。

※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。


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【【本セミナーの主題および状況  本講座の注目ポイント】】

■本セミナーの主題および状況 

★TSMCやサムスンなどの大手半導体企業が酸化物半導体を次世代DRAM材料とみて注目しており、そのなかでもIGZO系材料が有力候補となり、AIサーバー向けに高集積・低電力化を実現し、2030年代に3D化の実用化が期待されている。

★酸化物半導体(IGZO)は、低温プロセス適合性、高移動度、低リーク特性を有し、既にディスプレイ量産で確立された技術である。この技術を半導体、特にメモリに搭載する技術に注目がある。

■本講座の注目ポイント

★本講座では開発者に向け、材料物性から成膜・加工プロセス、デバイス構造に至る基礎を体系的に整理し、さらにモノリシック3D集積や三次元メモリといった次世代集積化応用の研究動向を詳述する。設計・プロセス開発の観点から酸化物半導体の実用化課題とポテンシャルを把握し、自社開発への適用や研究戦略立案に直結する知識を獲得できる講座である。


講座担当:青木良憲


≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫

【時間】 13:00-16:00

【講師】東京大学 生産技術研究所/教授 小林 正治 氏

【講演主旨】

 IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった特徴を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用の期待が高く、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では、酸化物半導体の基礎を解説し、最近の集積デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

【プログラム】

1.背景

 1-1 酸化物半導体のニーズ

 1-2 

2.酸化物半導体の基礎

 2-1 酸化物半導体の材料物性

 2-2 酸化物半導体のプロセス技術

 2-3 酸化物半導体のデバイス技術

3.三次元集積デバイス応用の研究開発動向

 3-1 集積デバイスの現状

 3-2 モノリシック三次元集積技術

 3-3 三次元構造メモリデバイス

4.まとめ

【質疑応答】


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