SiC・GaNパワーデバイスの最新技術と応用展開
～xEV・AIサーバーを支える半導体、熱マネジメント材料および社会実装技術～
★2026年7月29日WEBでオンライン開講。インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 竹谷氏、ローム株式会社 樋口氏、富士高分子工業 片石氏、沖電気工業株式会社 桑原氏がSiC・GaNパワーデバイスの最新技術と応用展開について解説する講座です。
■注目ポイント
★インフィニオンによる車載SiCパワー半導体、ロームによるGaNパワーデバイスなど、最新のWBGパワー半導体技術と応用動向を学べる！
★高熱伝導樹脂材料（TIM）の基礎から最新開発事例まで、パワーデバイスの熱マネジメント技術を詳しく解説！
★縦型GaNデバイスの社会実装を支えるQST×CFB技術など、次世代実装・接合技術の最新動向を理解できる！
- 第1部 インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 オートモーティブ事業本部 テクニカルマーケティング 竹谷 英一 氏
- 第2部 ローム株式会社 マーケティング本部 樋口 泰生 氏
- 第3部 富士高分子工業株式会社 開発部/副主席部員 片石 拓海 氏
- 第4部 沖電気工業株式会社 アドバンストコンポーネント事業部 CFB事業開発部 応用技術開発第三チーム チームマネージャー 桑原 秀治 氏
【1名の場合】60,500円(税込、テキスト費用を含む)
2名以上は一人につき、16,500円が加算されます。
定員：30名
※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16：00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。
※ セミナー前日夕方16：00までにWEB会議のURLについては、別途メールでご案内いたします。事前の配布資料につきましては紙テキストで郵送にてお送りいたします。
※ 請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。
※ お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。
※ 領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。
※ 2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。
※ 当講座では、同一部署の申込者様からのご紹介があれば、何名でもお1人につき16,500円で追加申し込みいただけます (申込者様は正規料金、お2人目以降は16,500円となります)。追加の際は、申し込まれる方が追加の方を取りまとめいただくか、申込時期が異なる場合は紹介者様のお名前を備考欄にお書きくださいますようお願いいたします。
※ なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。
【【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント】】
■本セミナーの主題および状況
★SiC・GaNをはじめとする次世代パワー半導体は、xEVやAIサーバーの高効率化・高出力化を支える中核技術として注目されている。
★パワーデバイスの性能向上に伴い、高熱伝導材料や熱マネジメント技術、実装技術の重要性が高まっている。
★次世代GaNデバイスの社会実装に向けては、大口径化や異種材料接合など新たな技術開発が進展している。
■本講座の注目ポイント
★インフィニオンによる車載SiCパワー半導体、ロームによるGaNパワーデバイスなど、最新のWBGパワー半導体技術と応用動向を学べる！
★高熱伝導樹脂材料（TIM）の基礎から最新開発事例まで、パワーデバイスの熱マネジメント技術を詳しく解説！
★縦型GaNデバイスの社会実装を支えるQST×CFB技術など、次世代実装・接合技術の最新動向を理解できる！
講座担当：枩西洋佑
≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン講座になります≫
【第1講】 インフィニオンのxEV向け高耐圧パワー半導体システムソリューション
【時間】 13:00-14:00
【講師】インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社 オートモーティブ事業本部 テクニカルマーケティング 竹谷 英一 氏
【講演主旨】
【プログラム】
【第2講】 次世代WBGデバイスGaNの性能とAI-Serverへの応用例
【時間】 14:10-14:55
【講師】ローム株式会社 マーケティング本部 樋口 泰生 氏
【講演主旨】
※現在作成中です。
【プログラム】
※現在作成中です。
【第3講】 パワーデバイス向け高熱伝導樹脂材料の課題と研究開発事例
【時間】 15:05-16:20
【講師】富士高分子工業株式会社 開発部/副主席部員 片石 拓海 氏
【講演主旨】
放熱材(Thermal Interface Material, 以下TIMとする)についての概論をTIM開発者の視点で紹介する (熱伝導性フィラー選定の考え方、TIMの製造工程、TIMの熱物性評価方法)。 また、TIMの開発事例として以下の3例を紹介する。(1) 250℃高耐熱シリコーン系TIM, (2)カプセル化鉄触媒(神谷触媒)で付加反応硬化する白金フリーなシリコーン系TIM, (3) 六方晶窒化ホウ素を用いたシリコーン系低比重TIM
【プログラム】
1.サーマルインターフェースマテリアル(TIM)の概要
2.TIMの利用分野
3.TIMの基本技術
4.熱伝導性フィラー
5.TIMの熱物性測定方法
6.パワーデバイスにおけるTIMのニーズ
7.シリコーン系TIM製品の分類について
8.高耐熱(250℃)シリコーン系TIMの開発事例
9.カプセル化鉄触媒(神谷触媒)を応用したシリコーン系TIMの開発事例
10.六方晶窒化ホウ素を用いたシリコーン系高熱伝導TIMの開発事例
【質疑応答】
【キーワード】
TIM, サーマルインターフェースマテリアル, 熱物性測定, カプセル化鉄触媒, 神谷触媒, 高耐熱TIM, 六方晶窒化ホウ素
【講演のポイント】
TIM開発者の視点で、開発する際の材料選定の考え方、開発に必要な知識、熱物性評価方法の基礎を紹介する。パワーデバイス向けの研究開発事例として、シリコーンの付加反応に対して高い活性を示すカプセル化鉄触媒(神谷触媒)を世界で初めてシリコーンTIMに採用した開発事例などを紹介する。
【習得できる知識】
TIMについての基礎的な知識、TIMの熱物性評価方法、フィラー選定方法、六方晶窒化ホウ素などの異方性フィラーの配向制御方法、最新のシリコーン用鉄触媒の知識、シリコーンの耐熱性向上手段
【第4講】 縦型GaNパワーデバイスの社会実装に向けた課題とQST×CFBによる解決アプローチ
【時間】 16:30-17:30
【講師】沖電気工業株式会社 アドバンストコンポーネント事業部 CFB事業開発部 応用技術開発第三チーム チームマネージャー 桑原 秀治 氏
【講演主旨】
カーボンニュートラル達成に向け、次世代パワー半導体は成長市場として注目されており、中でも縦型GaNパワーデバイスは高い性能ポテンシャルから期待されています。しかし、低コスト化に向けた大口径化と高性能化に必要な縦型構造の両立には課題があり、普及の大きな障壁となっています。
本セミナーでは、これらの課題を整理し、信越化学様のQST基板とOKIのCFB技術の共創により、その両立をどのように実現するかを解説します。
※QSTは、Qromis Substrate Technologyの略。Qromis社(US)の米国登録商標。GaN成長専用の複合材料基板技術。2019年に信越化学様がライセンス取得。
※CFBは、Crystal Film Bondingの略。OKIの日本登録商標。結晶膜やデバイスを成長基板から剥離し異種材料基板へ接合する技術。
【プログラム】
1.次世代パワー半導体の動向
1.1 取り巻く環境
1.2 市場動向
1.3 GaNの高い性能ポテンシャル
1.4 GaNの課題
2.QSTの紹介
2.1 QST基板構造と特長
2.2 驚異的な特性の実現
2.3 普及可能な大口径化の実現
2.4 GaNデバイス実績とCFBとの親和性
3.CFBの紹介
3.1 歴史
3.2 量産実績
3.3 技術概要
3.4 ビジネスモデル
4.QST x CFBの課題解決
4.1 縦型GaNの課題解決
4.2 縦型GaNのプロセス提案
5.CFBの応用事例紹介
5.1 他分野への応用事例
【質疑応答】
【キーワード】
カーボンニュートラル、次世代パワー半導体、縦型GaN、異種材料接合、CFB技術、QST基板
【講演のポイント】
次世代パワー半導体として注目されるGaN。そのポテンシャルを最大限に引き出し、大口径化によるコスト課題の克服に向けて、QST基板とCFB技術を融合。これにより、GaNデバイスの社会実装を加速する新たな技術の道筋を示します。
【習得できる知識】
・次世代パワー半導体であるGaNデバイスの概要と課題、縦型GaNデバイスの大口径化の新たな技術、異種材料接合技術の応用