【 LIVE配信・WEBセミナー】

【3か月連続・オンライン学習講座】 パワーデバイス入門講座【LIVE配信・WEBセミナー・復習用アーカイブ付き】

★2024年1月27日WEBでオンライン開講。元株式会社デンソー 神谷 有弘 氏がパワーデバイスの入門的な内容について解説する講座です。

★【3か月連続・オンライン学習講座】→オンライン(WEB)を使った新感覚のWEB講座+通信教育サービス!毎月1回、全3回の講座コースでこの料金で受講可能です。

★個別レッスンのようなマンツーマン感覚で講義を見て聴いて理解が深まる企業向けオンライン学習サービス!

★3か月にわたり毎月一回、講師から直接、会話(LIVE)で講義を学べます!

★各回ごとに指導の質問回答および総合質疑後、時間内であれば講師と受講者間での個別・自由議論も行えます!

■注目ポイント

★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説!

セミナー番号
OW250121
セミナー名
(3か月連続)パワーデバイス入門講座
講師名
  • 技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)(元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長)     神谷 有弘 氏
開催日
2025年01月27日(月) 13:00-16:00
会場名
※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
受講料(税込)

・1口(1-2名まで受講可能)60,500(消費税・資料代込)  

お申し込み人数は、1名でも2名でも金額に変更はありません。

・1口(3名まで受講可能) 88,000円 (消費税・資料代込)

※同一法人4名以上は1人あたり33,000円(消費税・資料代込)で金額追加で受講可

詳細

※ お申し込み後、受講票と請求書のURLが自動で返信されます。基本的にはこちらで受付完了です。開催前日16:00までに再度最終のご連絡をいたしますので、しばらくお待ちください。請求書と受講票は郵送ではないため必ずダウンロードください。また、同時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ずご確認ください。

※ セミナー前日夕方16:00までにWEB会議のURL、事前配布資料のパスワードについては、別途メールでご案内いたします。基本的には、事前配布資料はマイページからのダウンロードの流れとなります。なお、事前配布資料については、講師側の作成完了次第のお知らせになりますので、この点、ご理解のほどお願い申し上げます。

※請求書の宛名の「株式会社」や「(株)」の「会社名の表記」は、お客様の入力通りになりますので、ご希望の表記で入力をお願いします。

※お支払いは銀行振込、クレジット決済も可能です。銀行振込でお支払いの場合、開催月の翌月末までにお支払いください。お支払いの際は、社名の前に請求書番号をご入力ください。

※領収書のご要望があれば、お申込み時、領収書要にチェックを入れてください。

※2名以上でお申し込みをされた場合は、受講票と請求書を代表者様にご連絡します。

※なお、ご参加手続きの際、自宅住所やフリーアドレス、個人携帯番号のみで登録された場合は、ご所属確認をさせいただくことがございます。

※オンライン学習で使用する資料(PDF電子データ)として事前に受講者へご連絡いたします。お手数をおかけしますが、プリントアウトしていただき、ご準備ください。

※原則、紙媒体でのテキスト提供は対応しておりません。

※同一法人で15名以上の参加をお考えの企業様はWEB研修サービス(有料・カスタマイズ研修)も行っております。

※紙媒体による資料(テキスト)をお求めの場合は1冊(1回分、カラー、1頁4スライド構成)につき、5,500円(税込)を別途徴収いたします。お申込み時、備考欄にその旨をご記入ください。

※講座資料の電子データ提供の都合により、著作権保護の観点から研修参加者の名簿提出が必須となります。予め、ご了承ください。

キャンセルポリシー・特定商取引法はこちら

セミナーに関するQ&Aはこちら(※キャンセル規定は必ずご確認ください)

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【本セミナーの主題および状況・本講座の注目ポイント・全体スケジュール】

■本セミナーの主題および状況

車両をはじめ様々な交通機関の電動化が推進されており、モータの駆動制御が必要であることから、パワーデバイスに注目が集まっている。

■注目ポイント

★半導体・半導体デバイスに使われる材料やパワーデバイスの種類、実装構造について詳しく解説!

■全体スケジュール

第1回 1月27日(月) 13:00~16:00

第2回 2月17日(月) 13:00~16:00

第3回 3月17日(月) 13:00~16:00

講座担当:枩西 洋佑

≪こちらの講座は、WEB上での開催のオンライン学習講座になります≫

【時間】 13:00-16:00

【講師】技術士 (総合技術監理部門、電気電子部門)(元株株式会社 デンソー 半導体基盤技術開発部 担当部長)   神谷 有弘 氏

【講演主旨】

【第1回】半導体と半導体デバイス

第1回では半導体および半導体デバイスに使われる材料やダイオード、トランジスタなどの基礎的な内容について解説する。

【第2回】様々なパワーデバイス

第2回では様々な種類のパワーデバイスの構造や特性を理解していただくように解説する。

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造

第3回ではワイドバンドギャップデバイス(WBG)の特性や構造を解説し、パワーモジュールの実装放熱構造について解説する。

【プログラム】

【第1回】半導体と半導体デバイス
(日時:1月27日(月) 13:00~16:00 、学習時間:3時間)
1.半導体デバイスに使われる材料
 1-1 電気・電子回路に使われる材料
 1-2 導体と絶縁体
 1-3 抵抗率を変化させる
2.原子と電子
 2-1 原子と電子
 2-2 電子のエネルギー準位
 2-3 原子配列と結晶
 2-4 エネルギー準位とエネルギーバンド
3.半導体
 3-1 半導体となる材料
 3-2 結晶中の電子の運動
 3-3 真性・p型・n型半導体
4.ダイオード
 4-1 pn接合
 4-2 ダイオードの動作
 4-3 ダイオードの特性
5.トランジスタ
 5-1 トランジスタの種類 
 5-2 バイポーラトランジスタ
 5-3 JFET
 5-4 MOSFET
 5-5 半導体の製品名
6.演習
【質疑応答】

【第2回】様々なパワーデバイス
(日時:2月17日(月) 13:00~16:00 、学習時間:3時間)
1.ダイオード
 1-1 高耐圧ダイオード
 1-2 ダイオードの高速スイッチング
2.バイポーラトランジスタ
 2-1 縦型トランジスタ
 2-2 高耐圧大電流トランジスタ
 2-3 パワートランジスタの特性
3.MOSFET
 3-1 縦型MOSFET
 3-2 構造と特性
 3-3 低オン抵抗化
 3-4 各種MOSFETの比較
4.サイリスタ
 4-1 基本構造
 4-2 動作
 4-3 特性
5.IGBT
 5-1 構造と動作 
 5-2 出力特性
 5-3 IGBTのラッチアップと対策
 5-4 微細化・薄型化
 5-5 インバータの電力損失の変遷と小型化
 5-6 IGBTの高耐圧化
 5-7 逆導通IGBT
6.演習
【質疑応答】

【第3回】ワイドバンドギャップパワーデバイスとパワーモジュールの実装構造
(日時:3月17日(月) 13:00~16:00、学習時間:3時間)
1.Siからワイドバンドギャップデバイス(WBG)へ
 1-1 各デバイスと耐圧の関係
 1-2 各デバイスの耐圧理論限界
 1-3 ワイドバンドギャップ半導体の物性比較
 1-4 SiCとGaNの構造
2.SiCデバイス
 2-1 pnダイオード
 2-2 SBD
 2-3 SiC SBDの効果
 2-4 オン抵抗を低減させる構造例
 2-5 SiC MOSFETの構造
 2-6 SiC DMOSFET
 2-7 SiC MOSFETの課題と対応例
 2-8 MOSFETの電気特性
 2-9 SiCウェハの歩留り
 2-10 SiCの結晶成長法
 2-11 SiCウェハの加工
 2-12 SiCへの期待
 2-13 電力損失の比較(Siとの比較)
3.GaNデバイスの開発状況
 3-1 GaNデバイスによるパワー素子に期待する理由
 3-2 GaNの横型と縦型の構造
 3-3 GaN HEMTの特徴
 3-4 GaN HEMTの構造例
 3-5 縦型GANの課題
 3-6 GaNの結晶成長法
 3-7 GaNパワーデバイスへの期待
4.パワーモジュールとその実装・放熱構造
 4-1 シリコーンゲル封止とエポキシ樹脂封止
 4-2 パワーデバイスの高放熱化の動き
 4-3 各種冷却構造のモジュール
 4-4 インバータの冷却構造とパワーモジュールの関係
5.演習
【質疑応答】

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